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直流電機(jī)pwm調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)書-展示頁(yè)

2025-07-29 04:27本頁(yè)面
  

【正文】 樞電流也作為被控量,組成轉(zhuǎn)速、電流雙閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)。通過分析發(fā)現(xiàn),如果要求快速起動(dòng),必須使直流電動(dòng)機(jī)在起動(dòng)過程中輸出最大的恒定允許電磁轉(zhuǎn)矩,即最大的恒定允許電樞電流,當(dāng)電樞電流保持最大允許值時(shí),電動(dòng)機(jī)以恒加速度升速至給定轉(zhuǎn)速,然后電樞電流立即降至負(fù)載電流值。但是如果對(duì)系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能要求較高,如果要求快速起制動(dòng),突加負(fù)載動(dòng)態(tài)速降小等,單閉環(huán)系統(tǒng)就難以滿足要求。由于閉環(huán)系統(tǒng)的這些優(yōu)點(diǎn)因此選用閉環(huán)系統(tǒng)。本次設(shè)計(jì)以H型PWM直流控制器為主要研究對(duì)象。在眾多PWM變換器實(shí)現(xiàn)方法中,又以H型PWM變換器更為多見。4)IGBT的輸入阻抗高,其輸入特性與電力MOSFET類似。2)在相同電壓和電流定額的情況下,IGBT的安全工作區(qū)比GTR大,而且具有耐脈沖電流沖擊的能力。在變頻調(diào)速方式中,PWM調(diào)速方式尤為大家所重視,這是我們選取它作為研究對(duì)象的重要原因。變頻調(diào)速很快為廣大電動(dòng)機(jī)用戶所接受,成為了一種最受歡迎的調(diào)速方法,在一些中小容量的動(dòng)態(tài)高性能系統(tǒng)中更是已經(jīng)完全取代了其他調(diào)速方式。3) 低速性能好,穩(wěn)速精度高,調(diào)速范圍廣,可達(dá)到1:10000左右。PWM系統(tǒng)在很多方面具有較大的優(yōu)越性 :1) PWM調(diào)速系統(tǒng)主電路線路簡(jiǎn)單,需用的功率器件少。 選擇PWM控制系統(tǒng)的理由SG3525是一種性能優(yōu)良,功能全,通用性強(qiáng)的單片集成PWM控制器。目前,采用晶閘管整流供電的直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速系統(tǒng)已經(jīng)成為直流調(diào)速系統(tǒng)的主要形式。由于旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組缺點(diǎn)太多,采用汞弧整流器和閘流管這樣的靜止變流裝置來代替旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組,形成所謂的離子拖動(dòng)系統(tǒng)。對(duì)于要求在一定范圍內(nèi)無級(jí)平滑調(diào)速的系統(tǒng)來說,以調(diào)節(jié)電樞供電電壓的方式為最好。改變電阻調(diào)速缺點(diǎn)很多,目前很少采用,僅在有些起重機(jī)、卷?yè)P(yáng)機(jī)及電車等調(diào)速性能要求不高或低速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間不長(zhǎng)的傳動(dòng)系統(tǒng)中采用。電流超調(diào)量,空載起動(dòng)到穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速時(shí)的轉(zhuǎn)速超調(diào)量。負(fù)載:直流發(fā)電機(jī): 機(jī)組:轉(zhuǎn)動(dòng)慣量 設(shè)計(jì)指標(biāo)D=4,穩(wěn)態(tài)時(shí)無靜差。譬如在對(duì)控制精度有較高要求的造紙,轉(zhuǎn)臺(tái),輪機(jī)定位等系統(tǒng)中仍離不開直流調(diào)速裝置,因此加強(qiáng)對(duì)直流調(diào)速系統(tǒng)的研究還是很有必要的。相反,近幾年交流變頻調(diào)速在控制精度的提高上遇到了瓶頸,于是直流調(diào)速的優(yōu)勢(shì)就顯現(xiàn)了出來。而以運(yùn)算放大器為核心的有源校正網(wǎng)絡(luò)(調(diào)節(jié)器),和由 R、C等元件構(gòu)成的無源校正網(wǎng)絡(luò)相比,又可以實(shí)現(xiàn)更為精確的比例、微分、積分控制規(guī)律,于是就有可能將各種各樣的控制系統(tǒng)簡(jiǎn)化和近似成少數(shù)典型的低階系統(tǒng)結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)代的電力拖動(dòng)控制系統(tǒng)都是由慣性很小的晶閘管、電力晶體管或其他電力電子器件以及集成電路調(diào)節(jié)器等組成的。而后一次技術(shù)更新是設(shè)計(jì)思想和理論概念上的一個(gè)飛躍和質(zhì)變,電氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和性能亦隨之改觀。后一次技術(shù)更新主要是把現(xiàn)代控制理論和計(jì)算機(jī)技術(shù)用于電氣工程,控制器由模擬式進(jìn)入了數(shù)字式。直流電機(jī)PWM調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)書第一章 緒論 背景在現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)革命過程中,電氣自動(dòng)化在20世紀(jì)的后四十年曾進(jìn)行了兩次重大的技術(shù)更新。一次是元器件的更新,即以大功率半導(dǎo)體器件晶閘管取代傳統(tǒng)的變流機(jī)組,以線形組件運(yùn)算放大器取代電磁放大器件。在前一次技術(shù)更新中,電氣系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)仍采用經(jīng)典控制理論的方法。在整個(gè)電氣自動(dòng)化系統(tǒng)中,電力拖動(dòng)及調(diào)速系統(tǒng)是其中的核心部分。經(jīng)過合理的簡(jiǎn)化處理,整個(gè)系統(tǒng)一般都可以用低階近似。目前,隨著大功率電力電子器件的迅速發(fā)展,交流變頻調(diào)速技術(shù)已日臻成熟并日漸成為實(shí)際應(yīng)用的主流,但這并不意味著傳統(tǒng)的直流調(diào)速技術(shù)已經(jīng)完全退出了實(shí)際應(yīng)用的舞臺(tái)。直流調(diào)速仍然是目前最可靠,精度最高的調(diào)速方法。 直流調(diào)速系統(tǒng)的方案設(shè)計(jì) 設(shè)計(jì)已知參數(shù)拖動(dòng)設(shè)備:直流電動(dòng)機(jī): ,過載倍數(shù)?! 》€(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)速n=1500r/min, 。 現(xiàn)行方案的討論與比較直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速方法有三種:調(diào)節(jié)電樞供電電壓U、改變電動(dòng)機(jī)主磁通、改變電樞回路電阻R。弱磁調(diào)速范圍不大,往往是和調(diào)壓調(diào)速配合使用,在額定轉(zhuǎn)速以上作小范圍的升速。改變電樞電壓調(diào)速是直流調(diào)速系統(tǒng)采用的主要方法,調(diào)節(jié)電樞供電電壓需要有專門的可控直流電源,常用的可控直流電源有三種:旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組、靜止可控整流器、直流斬波器或脈寬調(diào)制變換器。離子拖動(dòng)系統(tǒng)克服旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組的許多缺點(diǎn),而且縮短了響應(yīng)時(shí)間。由于以上種種原因,所以選擇了脈寬調(diào)制變換器進(jìn)行改變電樞電壓的直流調(diào)速系統(tǒng)。由于它簡(jiǎn)單、可靠及使用方便靈活,大大簡(jiǎn)化了脈寬調(diào)制器的設(shè)計(jì)及調(diào)試,故獲得廣泛使用。2) 開關(guān)頻率高,電流容易連續(xù),諧波少,電機(jī)損耗及發(fā)熱都較小。4) 如果可以與快速響應(yīng)的電動(dòng)機(jī)配合,則系統(tǒng)頻帶寬,動(dòng)態(tài)響應(yīng)快。由此可見,變頻調(diào)速是非常值得自動(dòng)化工作者去研究的。 選擇IGBT的H橋型主電路的理由IGBT的優(yōu)點(diǎn):1)IGBT的開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小。3)IGBT的通態(tài)壓降比VDMOSFET低,特別是在電流較大的區(qū)域。5)與電力MOSFET和GTR相比,IGBT的耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高,同時(shí)可保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)。這種電路具備電流連續(xù)、電動(dòng)機(jī)四象限運(yùn)行、無摩擦死區(qū)、低速平穩(wěn)性好等優(yōu)點(diǎn)。 采用轉(zhuǎn)速電流雙閉環(huán)的理由同開環(huán)控制系統(tǒng)相比,它具有抑制干擾的能力,對(duì)元件特性變化不敏感,并能改善系統(tǒng)的響應(yīng)特性。單閉環(huán)速度反饋調(diào)速系統(tǒng),采用PI控制器時(shí),可以保證系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)速度誤差為零。在要求較高的調(diào)速系統(tǒng)中,一般有兩個(gè)基本要求:一是能夠快速啟動(dòng)制動(dòng);二是能夠快速克服負(fù)載、電網(wǎng)等干擾。如果要求快速克服電網(wǎng)的干擾,必須對(duì)電樞電流進(jìn)行調(diào)節(jié)。第二章 直流脈寬調(diào)速系統(tǒng)主電路設(shè)計(jì) 主電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) PWM變換器介紹脈寬調(diào)速系統(tǒng)的主要電路采用脈寬調(diào)制式變換器,簡(jiǎn)稱PWM變換器??赡鍼WM變換器主電路的結(jié)構(gòu)形式有T型和H型兩種,圖中(a)為T型PWM變換器電路,(b)為H型PWM變換器電路。H型電路是實(shí)際上廣泛應(yīng)用的可逆PWM變換器電路,它由四個(gè)可控電力電子器件和四個(gè)續(xù)流二極管組成的橋式電路。四個(gè)電力晶體管分為兩組,VT1和VT4為一組,VT2和VT3為一組。而且Ub1,Ub4和Ub2,Ub3相位相反,在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)VT1,VT4和VT2,VT3兩組晶體管交替地導(dǎo)通和關(guān)斷,變換器輸出電壓UAB在一個(gè)周期內(nèi)有正負(fù)極性變化。 雙極式PWM變換器電壓和電流波形(a)電動(dòng)機(jī)負(fù)載較重時(shí) (b)電動(dòng)機(jī)負(fù)載較輕時(shí)如果電動(dòng)機(jī)的負(fù)載較重,平均負(fù)載電流較大, VT1和VT4飽和導(dǎo)通;而和為負(fù),VT2和VT3截止。在時(shí),和為負(fù),VT1和VT4截止;和為正,在電樞電感釋放儲(chǔ)能的作用下,電樞電流經(jīng)二極管VD2和VD3續(xù)流,在VD2和VD3上的正向壓降使VT2和VT3的ce極承受反壓而不能導(dǎo)通,電樞電流沿回路2流通,電動(dòng)機(jī)仍處于電動(dòng)狀態(tài)。如果電動(dòng)機(jī)負(fù)載較輕,平均電流小,在續(xù)流階段電流很快衰減到零。在()時(shí),和變負(fù),VT2和VT3截止,因電樞電感的作用,電流經(jīng)VD1和VD4續(xù)流,使VT1和VT4的ce極承受反壓,雖然和為正,VT1和VT4也不能導(dǎo)通,電流沿回路4流通,電動(dòng)機(jī)工作在制動(dòng)狀態(tài)。雙極式可逆PWM變換器與具有制動(dòng)作用的不可逆PWM變換器的電流波形差不多,主要區(qū)別在于電壓波形;前者,無論負(fù)載是輕還是重,加在電動(dòng)機(jī)電樞兩端的電壓都在和之間變換;后者的電壓只在和0之間變換。實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)制可逆運(yùn)行,由正、負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓的脈沖寬窄而定。因?yàn)殡p極式可逆PWM變換器電動(dòng)機(jī)電樞兩端的平均電壓為 若仍以來定義PWM電壓的占空比,則雙極式PWM變換器的電壓占空比為。為正值,電動(dòng)機(jī)正轉(zhuǎn);為負(fù)值,電動(dòng)機(jī)反轉(zhuǎn);,電動(dòng)機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)。這個(gè)交變電流的平均值為零,不產(chǎn)生平均轉(zhuǎn)矩,徒然增加了電動(dòng)機(jī)的損耗,當(dāng)然是不利的。又根據(jù)雙極式H型可逆PWM變換器具有的優(yōu)點(diǎn):電流一定連續(xù),可以使電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限動(dòng)行;電動(dòng)機(jī)停止時(shí)的微振交變電流可以消除靜摩擦死區(qū);低速時(shí)由于每個(gè)電力電子器件的驅(qū)動(dòng)脈沖仍較寬而有利于折可靠導(dǎo)通;低速平穩(wěn)性好,可達(dá)到很寬的調(diào)速范圍。 H橋主電路 泵升電路當(dāng)脈寬調(diào)速系統(tǒng)的電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速由高變低時(shí)(減速或者停車),儲(chǔ)存在電動(dòng)機(jī)和負(fù)載轉(zhuǎn)動(dòng)部分的動(dòng)能將變成電能,并通過PWM變換器回饋給直流電源。過高的泵升電壓會(huì)損壞元器件,因此必須采取預(yù)防措施,防止過高的泵升電壓出現(xiàn)。 泵升電壓限制電路當(dāng)濾波電容器C兩端的電壓超過規(guī)定的泵升電壓允許數(shù)值時(shí),VT導(dǎo)通,將回饋能量的一部分消耗在分流電阻R上。 參數(shù)設(shè)計(jì) IGBT管的參數(shù)IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做絕緣柵極雙極晶體管。其開關(guān)速度可達(dá)1mS,額定電流密度100A/cm2,電壓驅(qū)動(dòng),自身?yè)p耗小。 IGBT的緩沖電路功能側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制,這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)3050kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的,從而產(chǎn)生過電壓,危及IGBT的安全。緩沖電路參數(shù):經(jīng)實(shí)驗(yàn)得出緩沖電路電阻R=10K;電容。泵升電路中電解電容選取C=2000;電壓U=450
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