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正文內(nèi)容

6-8英寸硅拋光片擴產(chǎn)項目-展示頁

2025-07-09 13:02本頁面
  

【正文】 硅外延片的生產(chǎn),項目建成后公司將生產(chǎn)8英寸硅外延片24萬片/年((折合6英寸P型/N型單層/);同時開發(fā)12英寸硅外延片,形成小批量生產(chǎn)能力。②廢水本項目建成投產(chǎn)后,其新增工藝廢水如下:拋光廢水產(chǎn)生量3t/d,其廢水水質(zhì):COD150mg/l,SS1000mg/l,;化腐、清洗廢水產(chǎn)生量3t/d,其廢水水質(zhì):COD210mg/l,SS100mg/l,PH4~10;③噪聲噪聲主要來自于生產(chǎn)設(shè)備運行產(chǎn)生的噪聲,其噪聲源強如下:切片機80dB、研磨機75dB、清洗機77dB、熱處理機62dB、空壓機80dB、純水制備70~80dB之間;公用動力設(shè)備運行產(chǎn)生的噪聲,包括空壓機房、真空機、水泵等,產(chǎn)生的噪聲在60~85dB之間;廢水、廢氣處理設(shè)備運行產(chǎn)生的噪聲,產(chǎn)生的噪聲在50~85dB之間。序號名稱年用量單位來 源1單晶硅8000kg寧波立立電子公司227英寸內(nèi)園刀片1800片南昌威金、美國NIFEC3倒角砂輪15片美國UCC、山東嘉詳碳素廠4研磨砂100kg美國MICRABRASIVE5行星片100片美國RODEL6冷卻液5t美國RODELNALCO7研磨液5t美國RODELNALCO8拋光液50t美國RODELNALCO9氫氧化鈉1200kg10鹽酸(MOS純)15000升江蘇江陰潤瑪、北京化試11NH4OH(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤瑪、北京化試12H2O2(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤瑪、北京化試13氫氟酸(MOS純)1850升江蘇江陰潤瑪、北京化試14硝酸(分析純)1120升江蘇江陰潤瑪、北京化試15硅片包裝盒80000只美國EMPAK16高純氣體Ar150升上海寶普17高純氣體N2400升上海寶普(5)三廢排放情況本項目主要在現(xiàn)有生產(chǎn)車間內(nèi)進行重新布局和增添相應(yīng)的8英寸生產(chǎn)設(shè)備,其污染源分析如下:①廢氣本項目腐化工序在現(xiàn)有生產(chǎn)車間通風柜內(nèi)進行,各通風柜均配置相應(yīng)的引風機、廢氣水洗吸收塔,從腐化工序所用原料來看,其廢氣主要為腐化工序產(chǎn)生的酸性/堿性廢氣,其主要成份為HF、HNONaOH等,目前,其廢氣排放量主要通過引風機,采用水洗吸收塔吸收處理后通過排氣筒排放。(2)生產(chǎn)工藝該項目主要從事拋光硅片的生產(chǎn),主要將單晶硅錠在專用設(shè)備上進行切片、磨片、拋光加工生產(chǎn),加工成拋光硅片,控制其幾何尺寸和表面質(zhì)量,使之能滿足外延片生產(chǎn)的要求。冷卻水塔運行時產(chǎn)生的噪聲,產(chǎn)生的噪聲在60~85dB之間。含HF、HNO3酸廢液:含HF、HNO3酸廢液主要來自坩鍋清洗工序,該廢液將排入新建回收槽由HF供應(yīng)單位回收處理。②廢水切割、滾園研磨廢水:切割機、滾園研磨機在對硅片切割、研磨過程中,需采用純水進行沖洗,將產(chǎn)生含微量硅屑的研磨切割廢水,廢水量6m3/d。(5)三廢處理及排放情況①廢氣酸性廢氣:清洗機、化腐機使用氫氟酸、硝酸,由于酸的揮發(fā)及與硅的反應(yīng)產(chǎn)生的酸性廢氣,其生產(chǎn)過程中集中在密閉槽子內(nèi)進行,通過引風機引入廢氣洗滌吸收塔進行處理。(2)生產(chǎn)工藝①單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖:多晶清洗備料單晶生長單晶切段坩堝清洗晶錠滾圓檢測酸性廢氣切割研磨廢水酸性廢水②硅外延片生產(chǎn)工藝襯底面檢外延生長外延片檢測外延片清洗出廠包裝外延片面檢廢氣廢氣硅外延片生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖:(3)主要生產(chǎn)設(shè)備①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要生產(chǎn)設(shè)備如下:序號名稱數(shù)量單位序號名稱數(shù)量單位1單晶爐14臺6檢測儀器5臺2真空泵18臺7冷卻塔2組3割斷機3臺8高純水設(shè)備20t/h1套4滾圓機2臺5清洗機3臺②硅外延片生產(chǎn)主要設(shè)備其主要生產(chǎn)設(shè)備如下:序號名稱型號數(shù)量單位序號名稱型號數(shù)量單位1外延爐PE2061S6臺74PP測試儀1臺2CV測試儀1臺8清洗機1臺3SRP測試儀SSM20001臺9甩干機1臺4FTIP測試儀1臺10外延爐尾氣處理系統(tǒng)6臺5LTV測試儀1臺6顆粒度測試儀ADE CR81e1臺(4)主要原材料消耗①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要原材料消耗如下:序號名稱用量序號名稱用量1多晶硅48t/a4鹽酸2硝酸5氫氧化鈉3氫氟酸其用水量為20t/d,其中:工藝用水70t/d;冷卻水補充300t/d;生活用水及其它用水30t/d。注冊資本金7108萬元,總占地面積90畝。廢氣經(jīng)處理后正常運行情況下可以達到GB162971996《大氣污染物綜合排放標準》。②廢氣:廢氣主要為腐化工序產(chǎn)生的酸性廢氣,其主要成份為HF、HNO3,其廢氣排放量主要通過引風機,采用水洗吸收塔吸收處理后通過排氣筒排放。(2)生產(chǎn)工藝其生產(chǎn)工藝及排污位置如下:成品晶錠切片切片檢驗熱處理清洗倒角烘干革命檢驗拋光腐化研磨切割廢水堿性廢水研磨廢水廢氣包裝拋光片產(chǎn)品外延外延清洗檢驗檢驗硅外延片產(chǎn)品廢氣廢水廢水(3)主要設(shè)備其主要生產(chǎn)設(shè)備如下:序號名稱數(shù)量單位序號名稱數(shù)量單位127英寸切片機31臺6硅片干燥機8臺216英寸切片機5臺7自動硅片熱處理爐6臺3磨片機12臺8高純水設(shè)備30t/h1套4倒角機15臺高純水設(shè)備12t/h1套5硅片清洗機22臺9壓縮空氣系統(tǒng)20m3/h7套(4)主要原材料消耗主要原材料消耗量如下:序號名稱用量序號名稱用量1單晶硅100t/a6行星片500片/a227英寸內(nèi)園刀片100片/a7冷卻液40t/a316英寸內(nèi)園刀片2000片/a8研磨液10t/a4倒角砂輪120片/a9硅片包裝盒20000個/a5研磨砂100t/a根據(jù)現(xiàn)有企業(yè)實際情況,其生產(chǎn)用水45t/d,純水用量146t/d。其生產(chǎn)工藝流程分工如下:立立電子立立半導(dǎo)體多晶硅多晶硅檢驗備料晶體生長取樣、分析測試 晶錠分段滾園切片切片清洗檢驗石英坩堝制作參考面檢驗晶錠粘結(jié)磨片化腐背面處理倒角研磨硅片熱處理檢驗硅片邊沿拋光貼片硅片表面拋光拋光片清洗檢驗外延外延清洗檢驗拋光液最終產(chǎn)品質(zhì)量檢驗包裝檢驗檢驗檢驗研磨砂立立電子立立半導(dǎo)體入庫根據(jù)生產(chǎn)分工情況,其二個企業(yè)目前主要包括已建工程、在建研發(fā)項目、公用工程概況及三廢排放情況如下:一、已建工程概況寧波立立半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)及污染情況(1)企業(yè)概況寧波立立半導(dǎo)體有限公司成立于1998年,主要從事單晶硅片的加工生產(chǎn),由寧波立立電子股份有限公司全資控股。 生產(chǎn)內(nèi)容及規(guī)模根據(jù)項目可行性報告,本項目主要進行硅拋光片的生產(chǎn),項目建成后公司將新增月產(chǎn)25萬片68英寸硅拋光片;產(chǎn)品可用于生產(chǎn)MOS、雙極型集成電路及集成電路外延襯底片等。力爭在經(jīng)過的2030年的努力成長為全球半導(dǎo)體材料一流的制造商。 并與國際著名的ST公司和美國ONSEMI公司建立了良好的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,市場可以得到保障。目前是國內(nèi)已建成的最大的46英寸重摻砷、磷、銻、硼單晶錠,硅拋光片、外延片的生產(chǎn)基地,生產(chǎn)能力年產(chǎn)單晶錠120噸、拋光片300萬片、外延片30萬片。擁有三家控股子公司寧波立立半導(dǎo)體有限公司、杭州立昂電子有限公司和杭州立立科技實業(yè)有限公司。公司是國家“863”計劃成果產(chǎn)業(yè)化基地,國家級重點高新技術(shù)企業(yè),設(shè)有企業(yè)博士后流動站。公司占地面積5萬平方米,均按國際一流的生產(chǎn)要求設(shè)計。并擁有一批高素質(zhì)的技術(shù)骨干,在全部512名員工中,本科以上學歷有114人,其中高級職稱20人,博士5人,碩士40人。五年來,通過貫徹“立信、立德、務(wù)實、創(chuàng)新”的理念,遵循著“追求純凈完美,滿足顧客期望”的宗旨,致力于重摻系列硅單晶錠、硅拋光片、外延片及復(fù)合半導(dǎo)體材料的研制。 其它:如改變生產(chǎn)內(nèi)容和規(guī)模,將重新進行相應(yīng)的環(huán)境影響評價及審批。 噪聲治理:本項目噪聲主要為各類設(shè)備運行噪聲,生產(chǎn)車間噪聲在70~85dB之間,對有振動設(shè)備均應(yīng)設(shè)防震基礎(chǔ)或減震墊,確保廠界噪聲達到《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標準》(GB1234890)Ⅲ類標準。建設(shè)項目環(huán)境影響報告表項目名稱: 68英寸硅拋光片擴產(chǎn)項目 建設(shè)單位: 寧波立立電子股份有限公司  (蓋章)編制日期: 2006年2月 18日浙江省環(huán)境保護局制42 / 45環(huán)評文件確認書建設(shè)單位寧波立立電子股份有限公司項目名稱68英寸硅拋光片擴產(chǎn)項目項目地址寧波保稅東區(qū)港東大道20號投資額35000萬元法定代表人李立本聯(lián)系電話57486821903寧波市環(huán)保局:我公司委托寧波市環(huán)科院編制的“寧波立立電子股份有限公司68英寸硅拋光片擴產(chǎn)項目環(huán)境影響報告表”經(jīng)我公司審核,同意該環(huán)評文件所述內(nèi)容,并承諾做到如下環(huán)保措施: 廢氣治理:本項目主要為硅片化腐廢氣,通過集氣罩經(jīng)引風機送入廢氣水洗塔處理后,可以達到《大氣污染物綜合排放標準》(GB162971996)二級排放標準。 廢水治理:本項目生產(chǎn)廢水可以接入生產(chǎn)廢水處理設(shè)施,經(jīng)調(diào)節(jié)中和、混凝沉淀、A/O生化處理后可以達到巖東污水處理廠進網(wǎng)標準,通過保稅區(qū)污水管網(wǎng)系統(tǒng)排入巖東污水處理,再經(jīng)巖東污水處理廠二級生化處理后排海。 固廢治理:生產(chǎn)過程中產(chǎn)生固廢物通過分類收集,分質(zhì)處置的原則,對廢多晶硅錠進行回收利用;廢水處理裝置排放污泥、生活垃圾由環(huán)衛(wèi)部門清運。 寧波立立電子股份有限公司(蓋章)法定代表人(簽字):      2006年  月  日備注項目名稱: 68英寸硅拋光片擴產(chǎn)項目環(huán)評類型:環(huán)境影響報告表評價單位: 寧波市環(huán)境保護科學研究設(shè)計院 (公章)項目名稱: 68英寸硅拋光片擴產(chǎn)項目
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