【正文】 (2)硅拋光片生產(chǎn)工藝及排污情況硅拋光片其生產(chǎn)工藝及排污位置如下：成品晶錠切片切片檢驗熱處理清洗倒角烘干革命檢驗拋光腐化研磨切割廢水堿性廢水研磨廢水廢氣包裝拋光片產(chǎn)品廢水 主要新增設備根據(jù)生產(chǎn)要求，其主要生產(chǎn)設備如下表：序號名稱型號數(shù)量單位備注1單晶爐CG600024臺2單晶爐KAYEX1502臺3晶錠滾圓機RSKh80Nah2臺4氧化爐1臺5切斷機OC215D2臺6XRay測試儀MOD101MG1031套7氧含量測試儀QS300J1套8GFA儀RO416S1套9相襯干涉光顯微鏡1臺10線切割機DS26E500ED83臺11清洗機SST2002臺12倒角機WGM42004臺13磨片機22B3臺14貼片機MT610/MT8403臺15腐蝕設備2套16拋光機SPEEDFAM5016臺17背封機WJ999R2臺18顆粒度測試儀ADECR81E1套19表面測試儀ADE72003套20去蠟清洗機1臺21片盒清洗機STORMⅡ1臺22貼片前清洗機1臺23熱處理前清洗機1臺24熱處理爐KAKUSAI2臺25打標機SIGACLEAN2臺26其他設備套 主要原輔材料及用量主要原輔材料及用量見下表?？偭靠刂浦笜?建設項目工程分析工藝流程簡述(圖標) 工藝流程硅拋光片的生產(chǎn)工藝一般可分二步：第一步：生產(chǎn)單晶硅晶錠。 污染物名稱取值時間濃度限值(mg/m3)一級標準二級標準三級標準SO2年平均日平均1小時平均NO2年平均日平均1小時平均TSP年平均日平均 環(huán)境噪聲保稅區(qū)按GB309693《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標準》3類標準執(zhí)行，即晝間65dB，夜間55dB。聲學環(huán)境質量現(xiàn)狀對保稅區(qū)東區(qū)環(huán)境噪聲進行監(jiān)測，；；聲環(huán)境現(xiàn)狀滿足工業(yè)區(qū)要求的三級標準。根據(jù)設計要求，其主要接納生活污水、工業(yè)污水以及北侖倉儲區(qū)廢水，進入巖東污水處理廠廢水必須符合巖東污水處理廠進網(wǎng)標準。引進高科技項目131個。本區(qū)域主要氣象要素如下：歷年最高氣溫 ℃歷年最低氣溫 ℃年平均氣溫 ℃年平均相對濕度 82%多年平均降水量 年平均雨日 年平均氣壓 年平均風速 主導風向 SE(%) N(%) 水文保稅區(qū)毗鄰的金塘水道海域屬于不正規(guī)半日潮，由于有舟山群島的金塘、大榭、黃蟒等島作屏障，外海涌浪難以傳入，主要波浪是局部水域產(chǎn)生的風浪。北侖地區(qū)地形呈狹長不規(guī)則三角形，西北為濱海水網(wǎng)平原，東南為低山丘陵區(qū)，區(qū)內(nèi)河流池塘交錯密布，地勢向海岸方向略有傾斜，%，略低于高潮海水水面。廠區(qū)北臨保稅區(qū)界河，靠近港務局碼頭區(qū)；南依港東大道，與蘭羚鋼鐵公司隔路相望；東為興業(yè)五路，與寧波日月鉆石科技有限公司相鄰；西靠興業(yè)四路，與高新貨柜公司和成路包裝公司隔路相望，本項目主要在公司廠區(qū)中部的單晶、切磨、拋光廠房內(nèi)，詳見地理位置圖。年工作日330天左右，三班制運行。根據(jù)《三廢處理工程技術手冊—廢氣卷》提供的產(chǎn)污系數(shù)，估算得各大氣污染物排放量如下表：污染物名稱排放系數(shù)排放量濃度煙氣量——TSP15 mg/Nm3SO2364mg/Nm3NO2*136mg/Nm3CO38mg/Nm3*：為原數(shù)值NO2%。企業(yè)辦公、生活垃圾其產(chǎn)生量為36t/a。②生產(chǎn)廢水酸、堿廢水：外延片清洗機使用鹽酸、氨水、雙氧水清洗硅片，清洗廢水含有一定的鹽酸、氨水及廢氣吸收廢水。812英寸硅外延片生產(chǎn)研發(fā)項目概況(1)項目概況該項目總投資19435萬元，主要進行硅外延片的生產(chǎn)，項目建成后公司將生產(chǎn)8英寸硅外延片24萬片/年((折合6英寸P型/N型單層/)；同時開發(fā)12英寸硅外延片，形成小批量生產(chǎn)能力。序號名稱年用量單位來 源1單晶硅8000kg寧波立立電子公司227英寸內(nèi)園刀片1800片南昌威金、美國NIFEC3倒角砂輪15片美國UCC、山東嘉詳碳素廠4研磨砂100kg美國MICRABRASIVE5行星片100片美國RODEL6冷卻液5t美國RODELNALCO7研磨液5t美國RODELNALCO8拋光液50t美國RODELNALCO9氫氧化鈉1200kg10鹽酸(MOS純)15000升江蘇江陰潤瑪、北京化試11NH4OH(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤瑪、北京化試12H2O2(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤瑪、北京化試13氫氟酸(MOS純)1850升江蘇江陰潤瑪、北京化試14硝酸(分析純)1120升江蘇江陰潤瑪、北京化試15硅片包裝盒80000只美國EMPAK16高純氣體Ar150升上海寶普17高純氣體N2400升上海寶普(5)三廢排放情況本項目主要在現(xiàn)有生產(chǎn)車間內(nèi)進行重新布局和增添相應的8英寸生產(chǎn)設備，其污染源分析如下：①廢氣本項目腐化工序在現(xiàn)有生產(chǎn)車間通風柜內(nèi)進行，各通風柜均配置相應的引風機、廢氣水洗吸收塔，從腐化工序所用原料來看，其廢氣主要為腐化工序產(chǎn)生的酸性/堿性廢氣，其主要成份為HF、HNONaOH等，目前，其廢氣排放量主要通過引風機，采用水洗吸收塔吸收處理后通過排氣筒排放。冷卻水塔運行時產(chǎn)生的噪聲，產(chǎn)生的噪聲在60～85dB之間。②廢水切割、滾園研磨廢水：切割機、滾園研磨機在對硅片切割、研磨過程中，需采用純水進行沖洗，將產(chǎn)生含微量硅屑的研磨切割廢水，廢水量6m3/d。(2)生產(chǎn)工藝①單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖：多晶清洗備料單晶生長單晶切段坩堝清洗晶錠滾圓檢測酸性廢氣切割研磨廢水酸性廢水②硅外延片生產(chǎn)工藝襯底面檢外延生長外延片檢測外延片清洗出廠包裝外延片面檢廢氣廢氣硅外延片生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖：(3)主要生產(chǎn)設備①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要生產(chǎn)設備如下：序號名稱數(shù)量單位序號名稱數(shù)量單位1單晶爐14臺6檢測儀器5臺2真空泵18臺7冷卻塔2組3割斷機3臺8高純水設備20t/h1套4滾圓機2臺5清洗機3臺②硅外延片生產(chǎn)主要設備其主要生產(chǎn)設備如下：序號名稱型號數(shù)量單位序號名稱型號數(shù)量單位1外延爐PE2061S6臺74PP測試儀1臺2CV測試儀1臺8清洗機1臺3SRP測試儀SSM20001臺9甩干機1臺4FTIP測試儀1臺10外延爐尾氣處理系統(tǒng)6臺5LTV測試儀1臺6顆粒度測試儀ADE CR81e1臺(4)主要原材料消耗①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要原材料消耗如下：序號名稱用量序號名稱用量1多晶硅48t/a4鹽酸2硝酸5氫氧化鈉3氫氟酸其用水量為20t/d，其中：工藝用水70t/d；冷卻水補充300t/d；生活用水及其它用水30t/d。廢氣經(jīng)處理后正常運行情況下可以達到GB162971996《大氣污染物綜合排放標準》。(2)生產(chǎn)工藝其生產(chǎn)工藝及排污位置如下：成品晶錠切片切片檢驗熱處理清洗倒角烘干革命檢驗拋光腐化研磨切割廢水堿性廢水研磨廢水廢氣包裝拋光片產(chǎn)品外延外延清洗檢驗檢驗硅外延片產(chǎn)品廢氣廢水廢水(3)主要設備其主要生產(chǎn)設備如下：序號名稱數(shù)量單位序號名稱數(shù)量單位127英寸切片機31臺6硅片干燥機8臺216英寸切片機5臺7自動硅片熱處理爐6臺3磨片機12臺8高純水設備30t/h1套4倒角機15臺高純水設備12t/h1套5硅片清洗機22臺9壓縮空氣系統(tǒng)20m3/h7套(4)主要原材料消耗主要原材料消耗量如下：序號名稱用量序號名稱用量1單晶硅100t/a6行星片500片/a227英寸內(nèi)園刀片100片/a7冷卻液40t/a316英寸內(nèi)園刀片2000片/a8研磨液10t/a4倒角砂輪120片/a9硅片包裝盒20000個/a5研磨砂100t/a根據(jù)現(xiàn)有企業(yè)實際情況，其生產(chǎn)用水45t/d，純水用量146t/d。 生產(chǎn)內(nèi)容及規(guī)模根據(jù)項目可行性報告，本項目主要進行硅拋光片的生產(chǎn)，項目建成后公司將新增月產(chǎn)25萬片68英寸硅拋光片；產(chǎn)品可用于生產(chǎn)MOS、雙極型集成電路及集成電路外延襯底片等。 并與國際著名的ST公司和美國ONSEMI公司建立了良好的戰(zhàn)略合作伙伴關系，市場可以得到保障。擁有三家控股子公司寧波立立半導體有限公司、杭州立昂電子有限公司和杭州立立科技實業(yè)有限公司。公司占地面積5萬平方米，均按國際一流的生產(chǎn)要求設計。五年來，通過貫徹“立信、立德、務實、創(chuàng)新”的理念，遵循著“追求純凈完美，滿足顧客期望”的宗旨，致力于重摻系列硅單晶錠、硅拋光片、外延片及復合半導體材料的研制。 噪聲治理：本項目噪聲主要為各類設備運行噪聲，生產(chǎn)車間噪聲在70～85dB之間，對有振動設備均應