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6-8英寸硅拋光片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目-全文預(yù)覽

  

【正文】 (2)硅拋光片生產(chǎn)工藝及排污情況硅拋光片其生產(chǎn)工藝及排污位置如下:成品晶錠切片切片檢驗(yàn)熱處理清洗倒角烘干革命檢驗(yàn)拋光腐化研磨切割廢水堿性廢水研磨廢水廢氣包裝拋光片產(chǎn)品廢水 主要新增設(shè)備根據(jù)生產(chǎn)要求,其主要生產(chǎn)設(shè)備如下表:序號(hào)名稱型號(hào)數(shù)量單位備注1單晶爐CG600024臺(tái)2單晶爐KAYEX1502臺(tái)3晶錠滾圓機(jī)RSKh80Nah2臺(tái)4氧化爐1臺(tái)5切斷機(jī)OC215D2臺(tái)6XRay測(cè)試儀MOD101MG1031套7氧含量測(cè)試儀QS300J1套8GFA儀RO416S1套9相襯干涉光顯微鏡1臺(tái)10線切割機(jī)DS26E500ED83臺(tái)11清洗機(jī)SST2002臺(tái)12倒角機(jī)WGM42004臺(tái)13磨片機(jī)22B3臺(tái)14貼片機(jī)MT610/MT8403臺(tái)15腐蝕設(shè)備2套16拋光機(jī)SPEEDFAM5016臺(tái)17背封機(jī)WJ999R2臺(tái)18顆粒度測(cè)試儀ADECR81E1套19表面測(cè)試儀ADE72003套20去蠟清洗機(jī)1臺(tái)21片盒清洗機(jī)STORMⅡ1臺(tái)22貼片前清洗機(jī)1臺(tái)23熱處理前清洗機(jī)1臺(tái)24熱處理爐KAKUSAI2臺(tái)25打標(biāo)機(jī)SIGACLEAN2臺(tái)26其他設(shè)備套 主要原輔材料及用量主要原輔材料及用量見(jiàn)下表??偭靠刂浦笜?biāo) 建設(shè)項(xiàng)目工程分析工藝流程簡(jiǎn)述(圖標(biāo)) 工藝流程硅拋光片的生產(chǎn)工藝一般可分二步:第一步:生產(chǎn)單晶硅晶錠。 污染物名稱取值時(shí)間濃度限值(mg/m3)一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)三級(jí)標(biāo)準(zhǔn)SO2年平均日平均1小時(shí)平均NO2年平均日平均1小時(shí)平均TSP年平均日平均 環(huán)境噪聲保稅區(qū)按GB309693《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)》3類標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,即晝間65dB,夜間55dB。聲學(xué)環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀對(duì)保稅區(qū)東區(qū)環(huán)境噪聲進(jìn)行監(jiān)測(cè),;;聲環(huán)境現(xiàn)狀滿足工業(yè)區(qū)要求的三級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)設(shè)計(jì)要求,其主要接納生活污水、工業(yè)污水以及北侖倉(cāng)儲(chǔ)區(qū)廢水,進(jìn)入巖東污水處理廠廢水必須符合巖東污水處理廠進(jìn)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)。引進(jìn)高科技項(xiàng)目131個(gè)。本區(qū)域主要?dú)庀笠厝缦拢簹v年最高氣溫 ℃歷年最低氣溫 ℃年平均氣溫 ℃年平均相對(duì)濕度 82%多年平均降水量 年平均雨日 年平均氣壓 年平均風(fēng)速 主導(dǎo)風(fēng)向 SE(%) N(%) 水文保稅區(qū)毗鄰的金塘水道海域?qū)儆诓徽?guī)半日潮,由于有舟山群島的金塘、大榭、黃蟒等島作屏障,外海涌浪難以傳入,主要波浪是局部水域產(chǎn)生的風(fēng)浪。北侖地區(qū)地形呈狹長(zhǎng)不規(guī)則三角形,西北為濱海水網(wǎng)平原,東南為低山丘陵區(qū),區(qū)內(nèi)河流池塘交錯(cuò)密布,地勢(shì)向海岸方向略有傾斜,%,略低于高潮海水水面。廠區(qū)北臨保稅區(qū)界河,靠近港務(wù)局碼頭區(qū);南依港東大道,與蘭羚鋼鐵公司隔路相望;東為興業(yè)五路,與寧波日月鉆石科技有限公司相鄰;西靠興業(yè)四路,與高新貨柜公司和成路包裝公司隔路相望,本項(xiàng)目主要在公司廠區(qū)中部的單晶、切磨、拋光廠房?jī)?nèi),詳見(jiàn)地理位置圖。年工作日330天左右,三班制運(yùn)行。根據(jù)《三廢處理工程技術(shù)手冊(cè)—廢氣卷》提供的產(chǎn)污系數(shù),估算得各大氣污染物排放量如下表:污染物名稱排放系數(shù)排放量濃度煙氣量——TSP15 mg/Nm3SO2364mg/Nm3NO2*136mg/Nm3CO38mg/Nm3*:為原數(shù)值NO2%。企業(yè)辦公、生活垃圾其產(chǎn)生量為36t/a。②生產(chǎn)廢水酸、堿廢水:外延片清洗機(jī)使用鹽酸、氨水、雙氧水清洗硅片,清洗廢水含有一定的鹽酸、氨水及廢氣吸收廢水。812英寸硅外延片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目概況(1)項(xiàng)目概況該項(xiàng)目總投資19435萬(wàn)元,主要進(jìn)行硅外延片的生產(chǎn),項(xiàng)目建成后公司將生產(chǎn)8英寸硅外延片24萬(wàn)片/年((折合6英寸P型/N型單層/);同時(shí)開(kāi)發(fā)12英寸硅外延片,形成小批量生產(chǎn)能力。序號(hào)名稱年用量單位來(lái) 源1單晶硅8000kg寧波立立電子公司227英寸內(nèi)園刀片1800片南昌威金、美國(guó)NIFEC3倒角砂輪15片美國(guó)UCC、山東嘉詳碳素廠4研磨砂100kg美國(guó)MICRABRASIVE5行星片100片美國(guó)RODEL6冷卻液5t美國(guó)RODELNALCO7研磨液5t美國(guó)RODELNALCO8拋光液50t美國(guó)RODELNALCO9氫氧化鈉1200kg10鹽酸(MOS純)15000升江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試11NH4OH(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試12H2O2(MOS純)20000加侖江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試13氫氟酸(MOS純)1850升江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試14硝酸(分析純)1120升江蘇江陰潤(rùn)瑪、北京化試15硅片包裝盒80000只美國(guó)EMPAK16高純氣體Ar150升上海寶普17高純氣體N2400升上海寶普(5)三廢排放情況本項(xiàng)目主要在現(xiàn)有生產(chǎn)車間內(nèi)進(jìn)行重新布局和增添相應(yīng)的8英寸生產(chǎn)設(shè)備,其污染源分析如下:①?gòu)U氣本項(xiàng)目腐化工序在現(xiàn)有生產(chǎn)車間通風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行,各通風(fēng)柜均配置相應(yīng)的引風(fēng)機(jī)、廢氣水洗吸收塔,從腐化工序所用原料來(lái)看,其廢氣主要為腐化工序產(chǎn)生的酸性/堿性廢氣,其主要成份為HF、HNONaOH等,目前,其廢氣排放量主要通過(guò)引風(fēng)機(jī),采用水洗吸收塔吸收處理后通過(guò)排氣筒排放。冷卻水塔運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的噪聲,產(chǎn)生的噪聲在60~85dB之間。②廢水切割、滾園研磨廢水:切割機(jī)、滾園研磨機(jī)在對(duì)硅片切割、研磨過(guò)程中,需采用純水進(jìn)行沖洗,將產(chǎn)生含微量硅屑的研磨切割廢水,廢水量6m3/d。(2)生產(chǎn)工藝①單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝單晶硅晶錠生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖:多晶清洗備料單晶生長(zhǎng)單晶切段坩堝清洗晶錠滾圓檢測(cè)酸性廢氣切割研磨廢水酸性廢水②硅外延片生產(chǎn)工藝襯底面檢外延生長(zhǎng)外延片檢測(cè)外延片清洗出廠包裝外延片面檢廢氣廢氣硅外延片生產(chǎn)工藝及排污位置如下圖:(3)主要生產(chǎn)設(shè)備①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要生產(chǎn)設(shè)備如下:序號(hào)名稱數(shù)量單位序號(hào)名稱數(shù)量單位1單晶爐14臺(tái)6檢測(cè)儀器5臺(tái)2真空泵18臺(tái)7冷卻塔2組3割斷機(jī)3臺(tái)8高純水設(shè)備20t/h1套4滾圓機(jī)2臺(tái)5清洗機(jī)3臺(tái)②硅外延片生產(chǎn)主要設(shè)備其主要生產(chǎn)設(shè)備如下:序號(hào)名稱型號(hào)數(shù)量單位序號(hào)名稱型號(hào)數(shù)量單位1外延爐PE2061S6臺(tái)74PP測(cè)試儀1臺(tái)2CV測(cè)試儀1臺(tái)8清洗機(jī)1臺(tái)3SRP測(cè)試儀SSM20001臺(tái)9甩干機(jī)1臺(tái)4FTIP測(cè)試儀1臺(tái)10外延爐尾氣處理系統(tǒng)6臺(tái)5LTV測(cè)試儀1臺(tái)6顆粒度測(cè)試儀ADE CR81e1臺(tái)(4)主要原材料消耗①單晶硅晶錠生產(chǎn)主要原材料消耗如下:序號(hào)名稱用量序號(hào)名稱用量1多晶硅48t/a4鹽酸2硝酸5氫氧化鈉3氫氟酸其用水量為20t/d,其中:工藝用水70t/d;冷卻水補(bǔ)充300t/d;生活用水及其它用水30t/d。廢氣經(jīng)處理后正常運(yùn)行情況下可以達(dá)到GB162971996《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》。(2)生產(chǎn)工藝其生產(chǎn)工藝及排污位置如下:成品晶錠切片切片檢驗(yàn)熱處理清洗倒角烘干革命檢驗(yàn)拋光腐化研磨切割廢水堿性廢水研磨廢水廢氣包裝拋光片產(chǎn)品外延外延清洗檢驗(yàn)檢驗(yàn)硅外延片產(chǎn)品廢氣廢水廢水(3)主要設(shè)備其主要生產(chǎn)設(shè)備如下:序號(hào)名稱數(shù)量單位序號(hào)名稱數(shù)量單位127英寸切片機(jī)31臺(tái)6硅片干燥機(jī)8臺(tái)216英寸切片機(jī)5臺(tái)7自動(dòng)硅片熱處理爐6臺(tái)3磨片機(jī)12臺(tái)8高純水設(shè)備30t/h1套4倒角機(jī)15臺(tái)高純水設(shè)備12t/h1套5硅片清洗機(jī)22臺(tái)9壓縮空氣系統(tǒng)20m3/h7套(4)主要原材料消耗主要原材料消耗量如下:序號(hào)名稱用量序號(hào)名稱用量1單晶硅100t/a6行星片500片/a227英寸內(nèi)園刀片100片/a7冷卻液40t/a316英寸內(nèi)園刀片2000片/a8研磨液10t/a4倒角砂輪120片/a9硅片包裝盒20000個(gè)/a5研磨砂100t/a根據(jù)現(xiàn)有企業(yè)實(shí)際情況,其生產(chǎn)用水45t/d,純水用量146t/d。 生產(chǎn)內(nèi)容及規(guī)模根據(jù)項(xiàng)目可行性報(bào)告,本項(xiàng)目主要進(jìn)行硅拋光片的生產(chǎn),項(xiàng)目建成后公司將新增月產(chǎn)25萬(wàn)片68英寸硅拋光片;產(chǎn)品可用于生產(chǎn)MOS、雙極型集成電路及集成電路外延襯底片等。 并與國(guó)際著名的ST公司和美國(guó)ONSEMI公司建立了良好的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,市場(chǎng)可以得到保障。擁有三家控股子公司寧波立立半導(dǎo)體有限公司、杭州立昂電子有限公司和杭州立立科技實(shí)業(yè)有限公司。公司占地面積5萬(wàn)平方米,均按國(guó)際一流的生產(chǎn)要求設(shè)計(jì)。五年來(lái),通過(guò)貫徹“立信、立德、務(wù)實(shí)、創(chuàng)新”的理念,遵循著“追求純凈完美,滿足顧客期望”的宗旨,致力于重?fù)较盗泄鑶尉уV、硅拋光片、外延片及復(fù)合半導(dǎo)體材料的研制。 噪聲治理:本項(xiàng)目噪聲主要為各類設(shè)備運(yùn)行噪聲,生產(chǎn)車間噪聲在70~85dB之間,對(duì)有振動(dòng)設(shè)備均應(yīng)
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