襯底制備ppt課件-展示頁
2025-05-12 06:28本頁面
【正文】 ③ 收頸 ? 目的：抑制位錯(cuò)從籽晶 向晶體延伸； ? 直徑： 23mm； ? 長(zhǎng)度： 20mm； ? 拉速： ④ 放肩 ? 溫度：降 1540℃ ； ? 拉速： ； ⑤ 收肩 ? 當(dāng)肩部直徑比所需直徑小 35mm時(shí) ， 提高拉速： ? 拉速： ； ⑥ 等徑生長(zhǎng) ? 拉速： ； ? 熔硅液面在溫度場(chǎng)保持相對(duì)固定； ⑦ 收尾 ? 熔硅料為 ，停止坩堝跟蹤。cm， 且均勻性好 （ 縱向 、 橫 向 、 微區(qū) ） 、 可靠性高 （ 穩(wěn)定 、 真實(shí) ） ； （ 少數(shù)載流子 ） ：晶體管 —長(zhǎng)壽命； 開關(guān)器件 —短壽命； ：無位錯(cuò) 、 低位錯(cuò) （ 1000個(gè) /cm2） ； 第一章 襯底制備 對(duì)襯底材料的要求 5． 純度：電子級(jí)硅 （ EGS,electronicgrade silicon） 1/109雜質(zhì)； 6． 晶向：雙極器件 111； MOS100； GaAs100； 7． 直徑： 8． 平整度： 9． 主 、 次定位面： 10. 禁帶寬度、遷移率、晶格匹配等。cm） ； ⑤成本高。第一章 襯底制備 主 講：毛 維 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院 第一章 襯底制備 襯底材料 襯底材料的類型 ? 1. 元素半導(dǎo)體 Si、 Ge、 C（ 金剛石 ） ? 2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、 SiGe 、 SiC 、 GaN、
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