【正文】 批/扭力螺絲刀力矩將IGBT模塊固定在標(biāo)準(zhǔn)散熱器上。在室溫（25℃177。l 模塊規(guī)格書中引腳定義與替代模塊引腳定義一致，且引腳截面積不低于產(chǎn)品設(shè)計規(guī)格，及跟替代模塊引腳截面積相近(滿足載流能力)。在完成基板平整度測試及模塊老化測試后，重新量測模塊以上尺寸參數(shù)。在室溫（25℃177。l 模塊外觀在放大鏡下觀察無明顯形變。封裝外觀檢查需要同時滿足以下要求方為合格：l 封裝外觀絲印清晰且標(biāo)識的規(guī)格、品牌、封裝信息等與廠商規(guī)格書一致。在完成基板平整度測試及模塊老化測試后，重新量測模塊以上尺寸參數(shù)。2℃）下，使用20X放大鏡下觀察封裝外觀絲印是否清晰、模塊引腳鍍層是否氧化、生銹。角拍攝記錄)。◆測試目的對IGBT模塊外形尺寸、基板平整度、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等封裝規(guī)格進行測量檢查，確認IGBT模塊封裝規(guī)格是否與廠商宣稱規(guī)格一致，或符合我司新器件規(guī)范要求。其余參數(shù)綜合評估。參數(shù)對比需要同時滿足以下條件方為合格l IGBT的關(guān)鍵參數(shù)，替代器件規(guī)格不得低于被替代器件規(guī)格。對于可以相互替代的模塊，根據(jù)IGBT模塊參數(shù)對比數(shù)據(jù)表中的參數(shù)，將各個廠商參數(shù)值及測試條件分別填寫在對應(yīng)參數(shù)欄中。半導(dǎo)體器件 第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范l GB 半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第1部分：總則l GB 半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第2部分：低氣壓l GB 139741992T 半導(dǎo)體管特性圖示儀測試方法l GB 141131993T 半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語l GB 半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分：第1篇：半導(dǎo)體集成電路 內(nèi)部目檢 (不包括混合電路)5. 測試設(shè)備l BJ4822智能大功率圖示儀（北京無線電儀器廠）l 34972A安捷倫數(shù)據(jù)采集儀（美國安捷倫科技有限公司）l DSO 5014A安捷倫示波器（美國安捷倫科技有限公司）l SD089電子數(shù)顯卡尺（上海量具刃具廠）l CS9932B綜合安規(guī)測試儀（南京長盛儀器有限公司）l KMH1000RL5型可程式快速溫變濕熱箱（科明科技有限公司）l QTT80L可程式濕熱箱（深圳市環(huán)亞科技有限公司）l 1147A電流探頭（美國安捷倫科技有限公司）l i1000S電流探頭（美國福祿克國際公司）l PT8010高壓差分探頭（臺灣品質(zhì)）6. 測試環(huán)境l 室溫環(huán)境：25℃177。4. 引用標(biāo)準(zhǔn)l GB 電工術(shù)語 電力半導(dǎo)體器件l GB 045861994T 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管l GB 045871994T結(jié)殼熱阻為半導(dǎo)體器件結(jié)溫和管殼規(guī)定點的溫度差與器件耗散功率之比，散熱器熱阻為散熱器上規(guī)定點和環(huán)境規(guī)定點溫度的差與產(chǎn)生這兩點溫差的耗散功率之比。l 平整度：物體表面凹凸不平及厚薄不均的程度。由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT通態(tài)壓降為2～3V。Roh—溝道電阻。通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示： Uds(on)＝Uj1＋Udr＋Id*Roh 式中：Uj1—JI結(jié)的正向電壓， ～1V。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應(yīng)用范圍。它與GTR的輸出特性相似，分為飽和區(qū)、放大區(qū)和擊穿特性三部分。l IGBT伏安特性：指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。3. 定義l 絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)：是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。本規(guī)范主要從IGBT結(jié)構(gòu)、電氣性能、可靠性等方面全面評估IGBT模塊各項性能指標(biāo)。 測試部測試規(guī)范英威騰電氣股份有限公司測試部規(guī)范編碼：版 本：密 級：機 密生效日期：頁 數(shù)： 40 頁IGBT模塊認證測試規(guī)范擬 制： 張 廣 文 日 期： 20110307審 核： 姜 明 日 期：__________批 準(zhǔn)： 董 瑞 勇 日 期：__________更 改 信 息 登 記 表規(guī)范名稱：IGBT模塊認證測試規(guī)范規(guī)范編碼：版本更改原因更改說明更改人更改時間規(guī)范升級新擬制測試項目，升級原測試項目內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)。張廣文評審會簽區(qū)：人員簽名意見日期董瑞勇吳建安唐益宏林金良張 波目 錄1. 目的 42. 范圍 43. 定義 44. 引用標(biāo)準(zhǔn) 55. 測試設(shè)備 66. 測試環(huán)境 67. 測試項目 7 7 8 8 9 9 11 12 12 IGBT集射極飽和壓降VCE(sat)測試 13 IGBT柵射極閥值電壓VGE(th)測試 14 IGBT內(nèi)置二極管正向壓降VF測試 15 Ices和IR測試 16 18 20 21 NTC熱敏電阻特性測試 22 22 23 25 26 27 28 29 30 34 IGBT晶元結(jié)溫測試 368. 數(shù)據(jù)記錄及報告格式 40IGBT模塊認證測試規(guī)范1. 目的檢驗IGBT模塊各項性能指標(biāo)是否滿足標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品設(shè)計要求。2. 范圍本規(guī)范規(guī)定的IGBT模塊性能測試方法，適用于英威騰電氣股份有限公司IGBT模塊器件選型認可及產(chǎn)品開發(fā)過程中IGBT模塊單體性能測試。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs控制，Ugs越高，Id越大。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。 l IGBT轉(zhuǎn)移特性：指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。 l IGBT開關(guān)特性：指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。Udr—擴展電阻Rdr上的壓降。通態(tài)電流Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)*Imos 式中：Imos—流過MOSFET的電流。IGBT處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。l 熱阻（Thermal Resistance）：在熱平衡條件下，兩規(guī)定點（或區(qū)域）之間溫度差與產(chǎn)生這兩點溫度差的耗散功率之比。l 緊固力（Tighten Pressure）：保證電力半導(dǎo)體器件與散熱器具有良好熱接觸的組裝壓力/力矩。半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分：雙極型晶體管l GB 2℃l 濕熱環(huán)境：85℃，85%l 高溫環(huán)境1：85℃l 高溫環(huán)境2：120℃l 低溫環(huán)境：40℃7. 測試項目測試項目清單 ★ ①規(guī)格參數(shù)比對★ ②封裝結(jié)構(gòu)測試★ ③晶體管電特性測試★ ④Ices和IR測試★ ⑤絕緣耐壓測試★ ⑥高溫電應(yīng)力老化測試★ ⑦高低溫老化測試★ ⑧NTC熱敏電阻特性測試★ ⑨驅(qū)動波形測試★ ⑩限流測試★ ?均流測試★ ?短路測試★ ?溫升測試★ ?IGBT晶元結(jié)溫測試對于可以相互替代或應(yīng)用于同一功率等級的IGBT模塊，根據(jù)廠商規(guī)格書對不同廠商不同型號模塊參數(shù)進行對比，通過對比規(guī)格參數(shù)差異確保模塊替代選型滿足產(chǎn)品設(shè)計要求。若某些參數(shù)只在某一方廠商規(guī)格書中體現(xiàn)，則無此參數(shù)的其他廠商對應(yīng)規(guī)格欄填寫“”。關(guān)鍵參數(shù)為：Ptot、Vce(sat)/Vf、Vces/Vr、Ices/Ir、Ic、Icm、Isc、Rth。l 所有廠商器件規(guī)格均應(yīng)在產(chǎn)品設(shè)計要求規(guī)格內(nèi)?！魷y試細項l 封裝外觀檢查l 封裝外形尺寸測試l 基板平整度測試l 封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)測試注：測試前，需記錄反應(yīng)模塊特征的整體圖片(模塊絲印前上方45176。在室溫（25℃177。模塊封裝殼體結(jié)構(gòu)是否存在形變縫隙，如有縫隙需要使用厚薄塞規(guī)量測縫隙大小。此過程要求對模塊進行前視、后視、左視、右視、俯視以及底部視角進行拍照留底。l 模