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硅片制備ppt課件-展示頁

2025-05-10 22:24本頁面

　　

【正文】 Dai Xianying 3 ? 石英砂（ SiO2)→ 冶金級(jí)硅 (MGS) ? HCl與 MGS粉反應(yīng)形成 TCS（ trichlorosilane：氯硅烷） ? 利用汽化和冷凝提純 TCS ? TCS與 H2反應(yīng)形成多晶硅 (EGS) ? 熔融 EGS和拉單晶硅錠電子級(jí)多晶硅的制備從石英砂到硅錠點(diǎn)石成金 Dai Xianying 4 SiO2 石英砂 C 碳＋加熱到 2022℃ Si 冶金級(jí)硅＋ CO2 二氧化碳純度 :98% Si單晶的起始材料石英巖（高純度硅砂 SiO2）電子級(jí)多晶硅的制備 Dai Xianying 5 硅提純 I HCl Si 硅粉過濾器冷凝器純化器反應(yīng)室， 300℃ SiHCl3 純度 :%(9N) Si (固 ) + 3HCl(氣 ) －－ → SiHCl3(氣 )+H2(氣 ) (220~300℃ ) SiHCl3：沸點(diǎn) ℃ Fe、 Al和 B被去除。 Dai Xianying 9 柴可拉斯基拉晶儀 Dai Xianying 10 拉晶過程 ① 熔硅 ? 調(diào)節(jié)坩堝位置 ② 引晶（下種） ③ 收頸 ? 目的：抑制位錯(cuò)從籽晶向晶體延伸 ④

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