led晶片芯片制程與教程-展示頁(yè)
2025-05-10 18:22本頁(yè)面
【正文】 技術(shù) (如 MOCVD),將 LED結(jié)構(gòu)成長(zhǎng)在晶圓上 利用金屬化制程 ,蝕刻制程和微影制程 ,制作電極圖案 張鵬志 13751126416 ： 7161150 基座 基座 基座 晶粒 固晶 焊線 封裝 基座 (Diffusion) 張鵬志 13751126416 ： 7161150 半導(dǎo)體的特性 (lattice) 原子在晶體中周期性的排列稱(chēng)為 晶格 ,而晶格所含之排列周期性的的空間稱(chēng)為 單胞 (unit cell)也叫晶胞 . 晶格決定了晶體的材料性質(zhì) ,也決定光電特性 . 固體材料依其結(jié)晶性 , 可分為三種 : ① 非晶 (amophous) ② 多晶 (polycrystalline) ③ 單晶 (single crystal). ① 非晶 ② 多晶 ③ 單晶 張鵬志 13751126416 ： 7161150 ①閃鋅礦結(jié)構(gòu)為立方晶系 ,如砷化鎵 (GaAs) ② 纖維鋅礦結(jié)構(gòu)為立方晶系 ,有二個(gè)晶格常數(shù) (a,b),如氮化鎵 (GaN) 張鵬志 13751126416 ： 7161150 a. 能隙 eV 能隙 ,導(dǎo)電能力 b. 晶格常數(shù) ? 晶格共價(jià)半徑 ? , 導(dǎo)電能力 (Energy Gap 或 Band Gap) 導(dǎo)電帶與價(jià)電帶之間的差量 ,稱(chēng)為 能隙 . a. 光電導(dǎo)體 ,由二層以上半導(dǎo)體材料堆疊在半導(dǎo)體基板而形成 ,堆疊在基板上的半導(dǎo)體材料為 磊晶層 . ,反之為 晶格差配 . 價(jià)電帶 Eg ~ 13eV 導(dǎo)電帶 磊晶層 基板 磊晶層 基板 張鵬志 13751126416 ： 7161150 半導(dǎo)體材料 。 ① 材料供應(yīng)系統(tǒng) ② 加熱系統(tǒng) ③ 真空系統(tǒng) ④ 氣體供應(yīng)系統(tǒng)和成長(zhǎng)反應(yīng)腔 目前常見(jiàn)的磊晶技術(shù)： a:液相磊晶法 LPE b:氣相磊晶法 VPE c:有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉漬法 MOCVD d:分子束磊晶法 MBE 張鵬志 13751126416 ： 7161150 LPE VPE MOCVD MBE 真空 (TORR) 760 760 10ˉ2 ≤10ˉ9 成長(zhǎng) 低 貴 昂貴 昂貴 成長(zhǎng)速率 快 快 慢 很慢 磊晶品質(zhì) 很好 好 很好 很好 表面形成 佳 佳 佳 佳 實(shí)用性 差 差 佳 佳 生產(chǎn)品 GaP GaAs INGaP 厚膜 10μm AIGaInP INGaAsP GaN AIGaAs INGaAs AIGaSb 制程 傾斜冷卻成長(zhǎng)法 ① 三氯化物氣相磊晶法 熱分解反
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