led晶片芯片制程與教程(編輯修改稿)
2025-05-28 18:22 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 IGaSb 制程 傾斜冷卻成長法 ① 三氯化物氣相磊晶法 熱分解反應磊晶技術 超高真空下 ,以蒸餾用分子束形式磊晶 ② 氫化物氣相磊晶法 張鵬志 13751126416 ： 7161150 材料 顏色 波長 發(fā)光效率 1M/W 量子效率 % 磊晶法 元件形成 備注 AlGaInP 紅 636 35 24 MOCVD DH AlGaAs 紅 650 8 16 LPE DH AlGaInP 琥珀 590 40 10 MOCVD DH InGaN 蘭色 470 10 11 MOCVD MQW InGaN 綠色 520 34 10 MOCVD MQW InGaN UB 372 0 MOCVD DH InGaN 琥珀 590 14 MOCVD MQW ZnSO 蘭色 512 17 MBE DH GaP: 紅色 650 4 5 LPE SH GAP:N 黃綠 565 LPE SH GaAsP:N 黃 590 1 VPE SH SiC 蘭色 470 CVD SH 張鵬志 13751126416 ： 7161150 金屬化制程 ①熱阻式蒸鍍 用于取低溶點的金屬 ,如鋁 (AL)、金 (AU)、鎳（ NI） ②電子槍蒸鍍 (右圖 ) 目前 LED制程最普遍使用 ③電漿濺鍍 (PLasma) 廣泛應用于半導體制程 晶片電極制作 電子束產(chǎn)生器 金屬蒸氣 金屬 晶圓 電子束 坩鍋 大電流 抽真空 張鵬志 13751126416 ： 7161150 微影制程 (光罩 ,蝕刻 ) ㈠ 投影曝光法 ㈡光罩 ㈢光阻 (正 ,負光阻法 ) 基板 光源 (汞弧光燈 ) 光阻 鍍著在玻璃上的金屬膜圖案 光罩 基板 基板 負光阻法 正光阻法 張鵬志 13751126416 ： 7161150 研磨制程 半導體基板或晶圓厚度為 350~430UM，為方便切割及減少串聯(lián)電阻， 需磨到 220~250UM（一般）或 85UM（藝寶石），有二種方式 切割制程 電極 冷卻水 輪刀 電極 鉆石上視圖 電極 雷射光束 張鵬志 13751126416 ： 7161150 影響 LED發(fā)光效率因素很多，其中包括材料品質(zhì)、元件結(jié)構(gòu)和制程等，其定義為量子效率。 ㈠內(nèi)部量子效率 要優(yōu)化條件，方可得到最大內(nèi)部量子效率 ㈡外部量子效率 影響外部量子效率的因素有三種； a：費萊斯涅樂損失（ FRESNL LOSS） LED所發(fā)身的光子必需由半導體進入空氣，因此光子必須傳輸穿越二者 之間的界面，其中一部分光會透射進入空氣，一部份光被反射回半導體。 b：臨界角損失 考慮光子傾斜入射界面情形，即折射。 c：內(nèi)部吸收
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1