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led芯片制作流程ppt課件-展示頁(yè)

2025-01-23 03:52本頁(yè)面
  

【正文】 不足 吸收光子 藍(lán)寶石 Al2O3襯底 優(yōu)點(diǎn) 化學(xué)穩(wěn)定性好 丌吸收可見(jiàn)光 價(jià)格適中 制造技術(shù)相對(duì)成熟 不足 導(dǎo)電性能差 堅(jiān)硬,丌易切割 導(dǎo)熱性差 SiC襯底 優(yōu)點(diǎn) 化學(xué)穩(wěn)定性好 導(dǎo)電性能好 導(dǎo)熱性能好 丌吸收可見(jiàn)光 不足 價(jià)格高 晶體品質(zhì)難以達(dá)到 Al2O3和 Si那么好 機(jī)械加工性能比較差 吸收 380 nm以下的紫外光,丌適合用來(lái)研収 380 nm以下紫外 LED 目前國(guó)際上能提供商用的高品質(zhì)的 SiC襯底的廠家只有美國(guó) CREE 公司。LED芯片制作流程 報(bào)告內(nèi)容 ? ? ? LED芯片結(jié)構(gòu) MQW=Multiquantum well,多量子阱 LED 制造過(guò)程 襯底材料生長(zhǎng) LED結(jié)構(gòu)MOCVD生長(zhǎng) 芯片加工 芯片切割 器件封裝 Sapphire藍(lán)寶石 LED制程工藝 步驟 內(nèi)容 前段 外延片襯底及外延層生長(zhǎng) 中段 蒸鍍、光刻、研磨、切割過(guò)程 后段 將做好的 LED芯片進(jìn)行封裝 LED三個(gè)過(guò)程:材料生長(zhǎng)、芯片制備、器件封裝。 外延片制作 襯底 外延 可用 LED襯底 GaAs襯底 GaAs襯底:在使用 LPE (液相磊晶 )生長(zhǎng)紅
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