led晶片芯片制程與教程-資料下載頁
2025-05-01 18:22本頁面
【正文】 MultipleQuantum Well,MQW) 備注 :改變活性層中 (AlXIn1X) X值 ,就可以改變 LED的發(fā)光波長 ,當(dāng) X值愈大時(shí)發(fā)光波長愈短 ,其中 0≤X ≤ 1,而且當(dāng) X值 ≥ ,就變成了間接半導(dǎo)體 . 張鵬志 13751126416 ： 7161150 GaN系 LED 包括 400nm紫光 470nm蘭光， 525nm綠光，以 MOCVD磊晶技術(shù)成長。 藍(lán)寶石基板 PGaN NGaN Ti/Al/Ti/Au 焊接墊 Ni/Au TCL InGaN/GaN MQW GaN 成核層 P N 備注 :改變活性層 InXGa1XN的值 ,就可以改變 LED的發(fā)光波長 , X值越大 ,發(fā)光波長越大 , 0≤X ≤ 1 張鵬志 13751126416 ： 7161150 白光發(fā)光 LED ① 壽命長 ② 由電較換為光的效率高、耗量少 ③ 體積小 ④ 兼具省電和環(huán)保概念 白熾燈泡 白光燈 白光 LED 色溫（ K） 2500~3000 3000~10000 3000~10000以 UV為激發(fā)源 回應(yīng)時(shí)間 ＜ 120MS ＜ 60MS ＜ 發(fā)光現(xiàn)象 熱發(fā)光 氣體發(fā)光 冷發(fā)光 壽命 約 1000HR 約 6000HR 約 10萬 HR 耗用量 1 省電 50% 省電約 90% 缺點(diǎn) 高耗電、命短、易碎 易碎、汞污染 價(jià)格高 ,技術(shù)未成熟 耐振動(dòng)及 低 中 高 張鵬志 13751126416 ： 7161150 白光 LED未來研發(fā)動(dòng)向 發(fā)展方向 目前 未來 發(fā)光效率提升 60LM/W 120LM/W GaN短波長發(fā)光源 460 nm 380nm 高外部能量轉(zhuǎn)換效率 10% 40% 高熒光材料能量轉(zhuǎn)換 60% 90% 成本降低 LED品粒成本降低 高操作功率技術(shù) If:20MA If:350 MA 散熱 178。 1mm178。 張鵬志 13751126416 ： 7161150 各種白光技術(shù)三優(yōu)缺點(diǎn)比較 產(chǎn)生方式 優(yōu)點(diǎn) 缺點(diǎn) 多晶型 紅、綠、蘭 三色LED 高發(fā)光效率 ,光色可調(diào) 須三種晶片 ,各晶片需有個(gè)別電路 ,衰減及壽命不同 ,成本高 單晶型 蘭色 LED配合黃色熒光粉 單一晶片即可發(fā)白光 ,成本低 ,制作簡單 發(fā)光效率低 ,演色性差 ,不同輸出電流使光色改變 ,容易有光色不均勻之月暈現(xiàn)象 蘭色 LED配合紅色及綠色熒光粉 光譜為三波長分布 ,演色性較高 ,光色及色溫可調(diào) 光色隨電流而改變可能有月暈現(xiàn)象 ,但較不明顯 UVLED配合紅、綠、蘭三色熒光粉 高演色性 ,光色及色溫可調(diào) ,使用高效率熒光粉提先發(fā)光效率 ,光色不均不隨電流變化 粉體混合數(shù)為因難，高效率粉體不易尋找 ① 蘭色 LED配合黃色熒光粉（釔鋁石榴石結(jié)構(gòu)），目前一般使用此方法。 ② 蘭色 LED配合紅、綠色熒光粉（主要以含硫在熒光粉）， OSRAM、 Luminleds專利，沿未商品化。 ③ UVLED配合紅、綠、蘭三色熒光粉，產(chǎn)生光顯似日光燈，是未來主力。 張鵬志 13751126416 ： 7161150 The END TKS!
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