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正文內(nèi)容

led芯片技術(shù)發(fā)展趨勢簡述-展示頁

2025-05-22 17:51本頁面
  

【正文】 目前的外延技術(shù)可以使得 InGaN有源層在常溫和普通注入電流條件下的內(nèi)量子效率達(dá)到 9095%,但當(dāng)溫度升高時(shí),內(nèi)量子效率會有較大的下降,因此要提高發(fā)光效率必須控制結(jié)溫和提高出光效率?;谶@點(diǎn),技術(shù)發(fā)展趨勢如下: 1,襯底剝離技術(shù)( Liftoff) ? 這項(xiàng)技術(shù)首先由美國惠普公司在 AlGaInP/GaAs led上實(shí)現(xiàn), GaAs襯底使得 LED內(nèi)部光吸收損失非常大,
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