【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場(chǎng)效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-01-16 21:39
【摘要】專業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-04-03 04:55
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)模擬試題(1)一、填空題(每空1分,共20分)1、邏輯函數(shù)的化簡(jiǎn)方法有_________和____________。2、()10=()2=()8421BCD。3、表示邏輯函數(shù)功能的常用方法有_________、_________卡諾圖等。4、組合電路由________________構(gòu)成,它的輸出只
2024-08-09 22:21
【摘要】模擬電路復(fù)習(xí)預(yù)習(xí)方法:1、掌握基本理論:二極管、三極管的特點(diǎn)和用途,反饋的定義、分類、判斷,功率放大的原理與分類,濾波器的基本原理,波形發(fā)生器的原理與能否起震的判斷,直流電源的基本原理及構(gòu)成。2、掌握的計(jì)算:三極管放大電路的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)分析,集成遠(yuǎn)放的相關(guān)計(jì)算,振蕩電路頻率計(jì)算,直流電源的簡(jiǎn)單計(jì)算。3、除開本次提供的例題外同學(xué)們要重點(diǎn)復(fù)習(xí)預(yù)習(xí)課本習(xí)題。習(xí)題一、半導(dǎo)體二極管
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),
2024-11-05 11:04
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-04 01:56
【摘要】電力電子技術(shù)模擬試卷四(考試時(shí)間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-04-03 06:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2024-11-10 08:43
【摘要】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),等效成一
2025-01-16 21:40
【摘要】中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京)繼續(xù)教育學(xué)院2014年03課程考試《模擬電子技術(shù)》模擬題(補(bǔ))一.填空題1.完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。2.在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)元素,可以形成N型半導(dǎo)體,常用摻雜的五價(jià)元素有磷、砷和鎢。3.半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)電特性是單向?qū)щ娦?,即所謂的
【摘要】模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)講解提綱?半導(dǎo)體技術(shù)?晶體管放大電路?集成運(yùn)放?反饋?穩(wěn)壓電源模擬電子技術(shù)第第1章章半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結(jié) 雙極型半導(dǎo)體三極管模擬電子技
2025-01-11 04:13
【摘要】模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴 B.本征半導(dǎo)體 C.P型半導(dǎo)體 D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散 B.漂移 C.小 D.大3.三極管有()和()兩種載流子參與導(dǎo)電,故稱作()極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管稱作()極型晶體管。
2025-04-04 00:51
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-11-02 19:42
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號(hào)是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-07-01 14:53
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-07 20:13