模擬電子技術(shù)-展示頁
2025-01-11 04:13本頁面
【正文】 /mAO 2特性模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù) 雙極型 雙極型 半導(dǎo)體半導(dǎo)體三極管三極管 晶體三極管 晶體三極管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)(Semiconductor Transistor) 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié)— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB模 擬 電 子 技 術(shù)二、電流放大原理1. 三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏2. 滿足放大條件的三種電路ui uoCEB ECBui uoECBui uo共發(fā)射極 共集電極共基極模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)二、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )擊穿電壓在 6 V 左右時，溫度系數(shù)趨近零?！?PN 結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型構(gòu)成： PN 結(jié) + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號： A (anode) C (cathode)分類：按材料分 硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點接觸型面接觸型平面型模 擬 電 子 技 術(shù)點接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負(fù)極引線負(fù)極引線 面接觸型N型鍺PN 結(jié) 正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極引線負(fù)極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿反向擊穿原因 ： 齊納擊穿 ：(Zener)反向電場太強，將電子強行拉出共價鍵。共價鍵 — 相鄰原子共有價電子所形成的束縛。如硅、鍺單晶體。模 擬 電 子 技 術(shù)模擬電子技術(shù)講解提綱? 半導(dǎo)體技術(shù)? 晶體管放大電路? 集成運放? 反饋? 穩(wěn)壓電源模 擬 電 子 技 術(shù)第第 1 章章 半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 半導(dǎo)體二極管 二極管電路的分析方法 特殊二極管 小 結(jié) 雙極型半導(dǎo)體三極管模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識識 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 PN結(jié)模 擬 電 子 技 術(shù) 本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體 — 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。本征 半導(dǎo)體 — 純凈的半導(dǎo)體。載流子 — 自由運動的帶電粒子。模 擬 電 子 技 術(shù)兩種載流子電子 (自由電子 )空穴兩種載流子的運動自由電子 (在共價鍵以外 )的運動空穴 (在共價鍵以內(nèi) )的運動 結(jié)論 ：1. 本征半導(dǎo)體中電子空穴成對出現(xiàn)，且數(shù)量少； 2. 半導(dǎo)體中有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電； 3. 本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力弱，并與溫度有關(guān) 。 (擊穿電壓 6 V， 負(fù) 溫度系數(shù) )雪崩擊穿： 反向電場使電子加速，動能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增?！?PN 結(jié)燒毀。模 擬 電 子 技 術(shù) 二極管的主要參數(shù)1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?)4. fM — 最高工作頻率 (超過時單向?qū)щ娦宰儾?)iDuDU (BR)I FURM O模 擬 電 子 技 術(shù)例 1 畫出硅二極管構(gòu)成的橋式整流電路在ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。A40 181。A20 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū)：2. IB ? 0 3. IC = ICEO ? 04. 條件： 兩個結(jié)反偏截止區(qū)ICEO模 擬 電 子 技 術(shù)iC / mAuCE /V50 181。A30 181。A10 181。A40 181。A20 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 飽和區(qū)： uCE ? u BEuCB = uCE ? u BE ? 0條件： 兩個結(jié)正偏特點： IC ? ? IB臨界飽和時： uCE = uBE深度飽和時： V (硅管 )UCE(SAT)= V (鍺管 )放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEO模 擬 電 子 技 術(shù) 晶體三極管的主要參數(shù)一、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 181。A30 181。A10 181
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