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正文內(nèi)容

模擬電子技術(shù)(留存版)

  

【正文】 ( 1+) 26/﹞ = 967(Ω) 則 Au = - (4∥ 4)/ = - 例 22 在下圖中, VCC=12V, RC=4kΩ, RB=300kΩ, β=, 試求放大電路的電壓放大倍數(shù) Au。? 放大電路的應(yīng)用十分廣泛,其主要作用是將微弱的信號(hào)進(jìn)行放大,以便人們測(cè)量和利用。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 飽和區(qū): uCE ? u BEuCB = uCE ? u BE ? 0條件: 兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn): IC ? ? IB臨界飽和時(shí): uCE = uBE深度飽和時(shí): V (硅管 )UCE(SAT)= V (鍺管 )放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEO模 擬 電 子 技 術(shù) 晶體三極管的主要參數(shù)一、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 181。模 擬 電 子 技 術(shù) 二極管的主要參數(shù)1. IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 , 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?)4. fM — 最高工作頻率 (超過時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?)iDuDU (BR)I FURM O模 擬 電 子 技 術(shù)例 1 畫出硅二極管構(gòu)成的橋式整流電路在ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。共價(jià)鍵 — 相鄰原子共有價(jià)電子所形成的束縛。A20 181。A10 181。解: 根據(jù)如圖所示的直流通路, 可以得到 IBQ ≈ VCC / RB= 12/300 = (mA) ICQ ≈ βIBQ = = (mA) UCEQ = VCC - ICQRC = 12- 4 = 6(V)模 擬 電 子 技 術(shù)2. 動(dòng)態(tài)分析? 放大電路有信號(hào)輸入時(shí)的工作狀態(tài)稱為 動(dòng)態(tài) 。 模 擬 電 子 技 術(shù) ui輸入一微小的正弦信號(hào) uiuceic ibiCuCEiBuBEQib模 擬 電 子 技 術(shù) 結(jié)論 ( 1)放大電路中的信號(hào)是交直流共存可表示為:( 2) 輸出 uo與輸入 ui相位相反,但幅度放大了,頻率不變。負(fù)反饋 — 反饋使凈輸入電量減小,從而使輸出量減小。AFRo Rof A? 為負(fù)載開路時(shí)的源電壓放大倍數(shù)。深度負(fù)反饋:模 擬 電 子 技 術(shù)放大電路引入負(fù)反饋的一般原則一、欲穩(wěn)定某個(gè)量,則引該量的負(fù)反饋穩(wěn)定直流, 引直流反饋; 穩(wěn)定交流, 引交流反饋;穩(wěn)定輸出電壓, 引電壓反饋; 穩(wěn)定輸出電流,引電流反饋。交流反饋 — 交流信號(hào)的反饋。但是,當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不當(dāng)時(shí),輸出波形將出現(xiàn)嚴(yán)重的非線性失真。? 放大電路有信號(hào)輸入時(shí),三極管各極的電流和電壓瞬時(shí)值既有 直流分量 ,又有 交流分量 。 Q二、 極間反向飽和電流 極間反向電流是由少數(shù)載流子形成的,其大小表征了管子的溫度特性 (越小越好 )。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū):放大區(qū)截止區(qū)條件: 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點(diǎn): 水平、等間隔ICEO模 擬 電 子 技 術(shù)iC / mAuCE /V50 181。模 擬 電 子 技 術(shù)   半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型構(gòu)成: PN 結(jié) + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號(hào): A (anode) C (cathode)分類:按材料分 硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型面接觸型平面型模 擬 電 子 技 術(shù)點(diǎn)接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負(fù)極引線負(fù)極引線 面接觸型N型鍺PN 結(jié) 正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極引線負(fù)極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)反向擊穿類型:電擊穿熱擊穿反向擊穿原因 : 齊納擊穿 :(Zener)反向電場(chǎng)太強(qiáng),將電子強(qiáng)行拉出共價(jià)鍵。— PN 結(jié)燒毀。A20 181。2. PCM — 集電極最大允許功率損耗 PC = iC ? uCE。在小信號(hào)工作條件下, rbe是一個(gè)常數(shù),低頻小功率管的 rbe可用下式估算:   26( mV) rbe = 300 + (1+β) ———— ( 210) IE( mA)三極管發(fā)射極電流的靜態(tài)值 IE≈ICQ 模 擬
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