【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經(jīng)過(guò)電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個(gè)輸入信號(hào)uI1uI2,則輸出電壓,uO0;
2024-10-30 15:23
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經(jīng)過(guò)電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個(gè)輸入信號(hào)uI1=uI2,則輸出電壓,uO=0;若uI1=100mV,uI2
2025-07-03 23:32
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題(20分)1、______電路和_______電路是兩種最基本的線性應(yīng)用電路。2、晶體二極管具有_______特性。3、放大電路的分析方法有______和小信號(hào)模型分析法。4、BJT的主要參數(shù)是__________。5、帶寬和________是放大電路的重要指標(biāo)之一。6、處理模擬信號(hào)的電子電路稱(chēng)為_(kāi)______。7、把整個(gè)電路中的元器件制
2024-08-20 10:19
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)考試試題及答案一.填空題:(每題3分,共30分)1、N型半導(dǎo)體又稱(chēng)電子型半導(dǎo)體,它主要靠自由電子導(dǎo)電。2、NPN型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí),三個(gè)極中電位最高的是c極。PNP型晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí),三個(gè)極中電位最高的是e極3、單級(jí)共射放大器對(duì)信號(hào)有放大和反相兩個(gè)作用
2025-07-02 15:16
【摘要】專(zhuān)業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒(méi)有得到
2025-04-03 04:55
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-20 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-07-03 23:33
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號(hào)是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-07-01 14:53
【摘要】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級(jí)放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級(jí)。4、三極管的輸出特性
2024-11-17 05:29
【摘要】系別專(zhuān)業(yè)(班級(jí))姓名學(xué)號(hào)………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試卷課程名稱(chēng)數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
2025-07-01 15:04
2025-08-03 21:40
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門(mén)檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門(mén)檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-04 01:56
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門(mén)檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門(mén)檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2024-11-10 08:43
【摘要】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(),反偏時(shí)(),所以PN結(jié)具有()導(dǎo)電性。2、漂移電流是()電流,它由()載流子形成,其大小與()有關(guān),而與外加電壓()。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(),
2024-11-05 11:04
【摘要】第1章習(xí)題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計(jì),試分別畫(huà)出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當(dāng)E時(shí),=E,當(dāng)E時(shí),。(c)圖:當(dāng)E時(shí),。(d)圖:當(dāng)E時(shí),;當(dāng)E時(shí),。畫(huà)出波形如圖所示。.有兩個(gè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2025-07-07 21:55