【正文】 波器；如果希望500 Hz以下的有用信號，可選用 低通 濾波器。7理想運算放大器，Ad= 無窮大 、Ri= 無窮大 、Ro= 0 。70、電流源的特點是輸出電流 恒定 ，直流等效電阻 小 ，交流等效電阻 大 。6理想集成運算放大器的理想化條件是Aud= ∞ 、Rid= ∞ 、KCMR= ∞ 、RO = 0 6理想運算放大器的理想化條件中有Avd= 無窮 ，KCMR= 無窮 。6為穩(wěn)定電路的輸出信號，電路應采用 負 反饋。6負反饋放大電路產(chǎn)生自激振蕩的條件是 。6電壓串聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的 輸出電壓 ，同時使輸入電阻 大 。②當環(huán)境溫度變化或換用不同值的三極管時，要求放大電路的靜態(tài)工作點保持穩(wěn)定： 直流負反饋 。60、負反饋對放大電路性能的改善體現(xiàn)在：提高 增益的穩(wěn)定性 、減小 非線性失真 、抑制 反饋環(huán)內(nèi)噪聲 、擴展 頻帶 、改變輸入電阻和輸出電阻。5正反饋是指 反饋信號增強凈輸入信號 ；負反饋是指 反饋信號減弱凈輸入信號 。5電路如圖1所示，TT2和T3的特性完全相同，則I2≈ mA，I3≈，則R3≈ 10 kΩ。5差分式放大電路能放大直流和交流信號，它對 差模信號 具有放大能力，它對 共模信號 具有抑制能力。5已知某差動放大電路Ad=100、KCMR=60dB，則其AC= 。5雙電源互補對稱功率放大電路（OCL）中VCC=8v，RL=8Ω，電路的最大輸出功率為 4W ，此時應選用最大功耗大于 功率管。4乙類功放的主要優(yōu)點是 效率高 ，但出現(xiàn)交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙類 。 4一個輸出功率為10W的擴音機電路，若用乙類推挽功放，則應選額定功耗至少應為 2W 的功率管 2 只。4FET是 電壓控制 器件，BJT是 電流控制 器件。4根據(jù)場效應管的輸出特性，其工作情況可以分為 可變電阻區(qū) 、恒流區(qū)、 擊穿區(qū) 和截止區(qū)四個區(qū)域。4場效應管屬于 電壓控制電流 型器件，而雙極型半導體三極管則可以認為是 電流控制電流 型器件。3在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶 窄 。3三極管工作在放大區(qū)時，它的發(fā)射結保持 正向 偏置，集電結保持 反向 偏置。（填寫a正偏，b反偏，c零偏）3在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用 共射 組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用 共集 組態(tài)。3放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 飽和 失真和 截止 失真。多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 變壓器耦合 。2在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中，共射和共基組態(tài)有電壓放大作用，共射 組態(tài)有電流放大作用， 共射和共集 組態(tài)有倒相作用； 共集 組態(tài)帶負載能力強， 共集 組態(tài)向信號源索取的電流小， 共基 組態(tài)的頻率響應好。②對于ＮＰＮ型三極管，應使VBC ＜0 。2某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為 4 kΩ 。2在多級放大電路中，后級的輸入電阻是前級的 負載 ，而前級的輸出電阻可視為后級的 信號源的內(nèi)阻 。某放大電路中的三極管，測得管腳電壓Va = 1V，Vb =, Vc =, 這是 硅 管（硅、鍺）， NPN 型，集電極管腳是 a 。2已知某兩級放大電路中第一、第二級的對數(shù)增益分別為60dB和20dB, 則該放大電路總的對數(shù)增益為 80 dB，總的電壓放大倍數(shù)為 10000 。集成運算放大器是一種采用 直接 耦合方式的放大電路。1在NPN三極管組成的基本共射放大電路中，如果電路的其它參數(shù)不變，三極管的β增加，則IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 減小 。1按一個周期內(nèi)一只三極管的導通角區(qū)分，功率放大電路可分為 甲類 、 乙類 、 甲乙類 三種基本類型。1頻率響應是指在輸入正弦信號的情況下， 輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應 。1二極管的最主要特性是 單向?qū)щ娦? ，它的兩個主要參數(shù)是反映正向特性的 最大整流電流 和反映反向特性的 反向擊穿電壓 。P型半導體的多子為 空穴 、N型半導體的多子為 自由電子 、本征半導體的載流子為 電子—空穴對 。硅二極管導通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為 伏；其門坎電壓Vth約為 伏。PN結反向偏置時，PN結的內(nèi)電場 增強 。二極管最主要的電特性是 單向?qū)щ娦? ，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個 電阻 。二極管的最主要特性是 單向?qū)щ娦? 。填空題1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為 ，導通后在較大電流下的正向壓降約為 ；鍺二極管的門檻電壓約為 。二極管的正向電阻 小 ；反向電阻 大 。ＰＮ結外加正向電壓時，擴散電流 大于 漂移電流，耗盡層 變窄 。電子技術分為模擬電子技術和數(shù)字電子技術兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術，稱為 模擬 電子技術。PN具有 具有單向?qū)щ? 特性。二極管正向偏置時，其正向?qū)娏饔? 多數(shù) 載流子的 擴散 運動形成。因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導體可為 空穴（P） 半導體和 電子（N） 半導體兩大類。1在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為 V，導通后在較大電流下的正向壓降約為 V。1N型半導體中的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是 空穴 。1在阻容耦合多級放大電路中，影響低頻信號放大的是 耦合和旁路 電容，影響高頻信號放大的是 結 電容。1三極管的三個工作區(qū)域是 截止 ， 飽和 ， 放大 。某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va = ， Vb = , Vc = , 試問該三極管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三極管，該管的集電極是a、b、c中的 C 。2 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是： 發(fā)射結正偏、集電結反偏 。2三種不同耦合方式的放大電路分別為： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_變壓器耦合_，其中 直接耦合 能夠放大緩慢變化的信號。多級放大電路總的通頻帶比其中每一級的通頻帶 要窄 。2為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求：①發(fā)射結 正向 偏置，集電結 反向 偏置。2放大器級間耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 變壓器 耦合三大類。2三極管放大電路的三種基本組態(tài)是 共集 、 共基 、 共射 。3在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為 1800 ；當為共集電極電路時，則VO和VI的相位差為 0 。3晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結 a ，集電結 a ；工作在放大區(qū)時，集電結 b ，發(fā)射結 a 。3場效應管同雙極型三極管相比，其輸入電阻 大 ，熱穩(wěn)定性 好 3影響放大電路通頻帶下限頻率fL的是 隔直 電容和 極間 電容。3場效應管有 共源 、 共柵 、 共漏 三種組態(tài)。場效應管從結構上分成 結型FET 和 MOSFET 兩大類型，它屬于 電壓 控制型器件。4場效應管是 電壓控制電流器件 器件，只依靠 多數(shù)載流子 導電。4當柵源電壓等于零時，增強型FET 無 導電溝道，結型FET的溝道電阻 最小 。4在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為 甲類 。4在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為 甲類 ，為了消除交越失真常采用 甲乙類 電路。50、乙類互補對稱功率放大電路產(chǎn)生特有的失真現(xiàn)象叫 交越 失真。5差動放大電路中的長尾電阻Ｒe或恒流管的作用是引人一個 共模負 反饋。集成電路運算放大器一般由 差分輸入級 、中間級、輸出級、 偏置電路 四部分組成。5差動放大電路能夠抑制 零漂 和 共模輸入信號 。圖15集成運放通常由 輸入級 、中間級；輸出級、 偏置級 四個部分組成。 5電流并聯(lián)負反饋能穩(wěn)定電路的 輸出電流 ，同時使輸入電阻 減小 。6為了分別達到下列要求，應引人何種類型的反饋：①降低電路對信號源索取的電流： 串聯(lián)負反饋 。③穩(wěn)定輸出電流： 電流負反饋 。6某負反饋放大電路的開環(huán)放大倍數(shù)Ａ=100000，反饋系數(shù)Ｆ＝，則閉環(huán)放大倍數(shù) 100 。6負反饋放大電路的四種基本類型是 電壓串聯(lián) 、 電壓并聯(lián) 、 電流串聯(lián) 、 電流并聯(lián) 。為了產(chǎn)生一個正弦波信號，電路應采用 正 反饋。6電流源電路的特點是，直流等效電阻 小 ，交流等效電阻 大 。7工作在線性區(qū)的理想集成運放有兩條重要結論是 虛斷 和 虛短 。7在構成電壓比較器時集成運放工作在開環(huán)或 正反饋 狀態(tài)。7選取頻率高于1000Hz的信號時, 可選用 高通 濾波器；抑制50 Hz的交流干擾時，可選用 帶阻 濾波器；如果希望抑制500 Hz以下的信號，可選用 高通 濾波器。7根據(jù)工作信號頻率范圍濾波器可以分為：低通濾波器、 高通濾波器 、帶通濾波器及 帶阻濾波器 。7通用型集成運算放輸入級大多采用 差分放大 電路， 輸出級大多采用 共集 電路。8正弦波振蕩電路產(chǎn)生振蕩時，幅度平衡條件為 ，相位平衡條件為 n=0、2… 。在正反饋時= 1 ，例如 文氏 振蕩電路。8正弦波振蕩電路利用正反饋產(chǎn)生振蕩的條件是 、其中相位平衡條件是 ，n為整數(shù) 、為使電路起振，幅值條件是 。8RC正弦波振蕩電路達到穩(wěn)定平衡狀態(tài)時有：= 3 、= 、= 。8正弦波振蕩電路起振的條件是和 n為整數(shù)。文氏電橋振蕩器中的放大電路電壓放大倍數(shù) Af≥3 ，才能滿足起振條件。為了產(chǎn)生一個正弦波信號，電路應采用 正 反饋。9三端集成穩(wěn)壓器7805輸出電壓 +5 V，7915輸出電壓 15 V。穩(wěn)壓集成電路W7810輸出電壓 +10 V。 9三端集成穩(wěn)壓器7915的輸出電壓為 15 伏。9開關型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 調(diào)整管的的狀態(tài)不同 。9 幅度失真 和 相位失真 總稱為頻率失真。單項選擇題半導體二極管加正向電壓時，有（ ） A、電流大電阻小 B、電流大電阻大C、電流小電阻小 D、電流小電阻大PN結正向偏置時，其內(nèi)電場被（ ）A、削弱 B、增強 C、不變 D、不確定半導體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時，應當工作于（ ）A、反向偏置擊穿狀態(tài) B、反向偏置未擊穿狀態(tài)C、正向偏置導通狀態(tài) D、正向偏置未導通狀態(tài)在本征半導體中摻入（　?。嫵蒔型半導體。在負載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的（ ） A、輸入電阻大 B、輸入電阻小 C、輸出電阻大 D、輸出電阻小1為了使高內(nèi)阻信號源與低阻負載能很好的配合，可以在信號源與低阻負載間接入（ ） A、共射電路 B、共基電路 C、共集電路 D、共集共基串聯(lián)電路1某NPN型三極管的輸出特性曲線如圖1所示，當VCE=6V，其電流放大系數(shù)β為（ ）圖1A、=100 B、=50C、=150 D、=251測量放大電路中某三極管各電極電位分別為6V、2V，（見圖2所示）則此三極管為（ ）圖2A、PNP型鍺三極管 B、NPN型鍺三極管 C、PNP型硅三極管 D、NPN型硅三極管 1多級放大電路的級數(shù)越多，則其（ ）A、放大倍數(shù)越大，而通頻帶越窄 B、放大倍數(shù)越大，而通頻帶越寬C、放大倍數(shù)越小，而通頻帶越寬 D、放大倍數(shù)越小，而通頻帶越窄1當放大電路的電壓增益為20dB時，說明它的電壓放大倍數(shù)為（ ）A、20倍