【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及參考答案試卷二(本科)及其參考答案試卷二一、選擇題(這是四選一選擇題,選擇一個(gè)正確的答案填在括號(hào)內(nèi))(共22分)1.某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓4V,接入?k12的負(fù)載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為()a.10?kb.2?kc.4?k
2024-11-21 15:02
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級(jí)_______學(xué)號(hào)______姓名______分?jǐn)?shù)______一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜越多,則
2024-11-06 11:36
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導(dǎo)體叫()。摻入3價(jià)雜質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體叫(),它主要靠導(dǎo)電()。A.空穴B.本征半導(dǎo)體C.P型半導(dǎo)體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時(shí),多子的()運(yùn)動(dòng)較強(qiáng),PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.?dāng)U散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-11-02 19:42
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為。【】A.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負(fù)載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-07 20:13
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()
【摘要】試卷一答案一、單項(xiàng)選擇題(每空2分,共20分)1、(C)2、(B)3、(D)4、(D)5、(A)6、(D)7、(D)8、(A)9、(C)10、(C)二、填空題(每空1分,共30分)1、互阻放大、互導(dǎo)放大2、摻雜、光照3、Au≤1(或放大倍數(shù)小于等于1,輸出電壓
2024-11-21 11:44
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級(jí)_______學(xué)號(hào)______姓名______分?jǐn)?shù)______題號(hào)得分閱卷一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-20 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-07-03 23:33
【摘要】試卷一一、填空題(20分)1.?dāng)?shù)字信號(hào)只有和兩種取值。2.十進(jìn)制123的二進(jìn)制數(shù)是;八進(jìn)制數(shù)是;十六進(jìn)制數(shù)是。3.設(shè)同或門的輸入信號(hào)為A和B,輸出函數(shù)為F。若令B=0,則F=若令
2024-11-07 18:00
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對(duì)者打“√”,錯(cuò)者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號(hào)中畫“√”,否則畫“×”。1)一個(gè)理想對(duì)稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號(hào),不能放大共模輸入信號(hào)。()2)共模信號(hào)都是直
2025-01-16 21:37
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-04-04 01:56
【摘要】試卷五(本科)及其參考答案試卷五一、填空和選擇題(每小題2分共16分)1.半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是。(A)溫度穩(wěn)定性(B)單向?qū)щ娦裕–)放大作用(D)濾波特性2.在由NPN型BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中,如靜態(tài)工作點(diǎn)過高,容易產(chǎn)生失真。(A)截止
2024-11-18 09:03
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案1第1頁共39頁1數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)一.1.(15分)試根據(jù)圖示輸入信號(hào)波形分別畫出各電路相應(yīng)的輸出信號(hào)波形L1、L2、L3、L4、和L5。設(shè)各觸發(fā)器初態(tài)為“0”。AB二.(15分
2024-08-29 11:19
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)1一.1.(15分)試根據(jù)圖示輸入信號(hào)波形分別畫出各電路相應(yīng)的輸出信號(hào)波形L1、L2、L3、L4、和L5。設(shè)各觸發(fā)器初態(tài)為“0”。二.(15分)已知由八選一數(shù)據(jù)選擇器組成的邏輯電路如下所示。試按步驟分析該電路在M1、M2取不同值時(shí)(M1、M2取值情況如下表所示)輸出F的邏輯表達(dá)式。八選一數(shù)據(jù)選擇器輸出端邏輯表達(dá)式為:Y=ΣmiDi,
2025-06-09 12:19