模擬電子技術(shù)模擬題-展示頁
2025-04-03 04:55本頁面
【正文】 導(dǎo)電特性是單向?qū)щ娦?，即所謂的“正向?qū)ā⒎聪蚪刂埂?。中?guó)地質(zhì)大學(xué)（北京）繼續(xù)教育學(xué)院 2014年03課程考試《模擬電子技術(shù)》模擬題(補(bǔ)) 一．填空題 1．完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。2．在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)元素，可以形成N型半導(dǎo)體，常用摻雜的五價(jià)元素有磷、砷和鎢。4．穩(wěn)壓二極管之所以能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)壓作用是利用了PN結(jié)的反向擊穿特性。6．直接耦合放大器既可放大交流信號(hào)，又能放大變化緩慢的信號(hào)或直流信號(hào)，但信號(hào)源和負(fù)載會(huì)影響放大器的直流狀態(tài)。7. 對(duì)晶體管放大器來說，只具有電壓放大作用、沒有電流放大作用的是共基極放大器。9．一般晶體管功率放大器工作于乙類或甲乙類狀態(tài)。10．場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器主要有共源極和共漏極兩種組態(tài)電路。12．理想運(yùn)放的同相端和反相端的輸入電流等于零，相當(dāng)于開路，稱為“虛斷”。14．半導(dǎo)體的主要特點(diǎn)是其具有摻雜效應(yīng)、溫度效應(yīng)、光電效應(yīng)。16．晶體管的輸入特性是指以集射電壓uCE為參變量時(shí)，基極電流iB和發(fā)射結(jié)偏壓uBE之間的關(guān)系。一般情況下，硅管的飽和壓降UCE(sat)≈，鍺管的飽和壓降UCE(
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