【摘要】高二物理試題4一、本題共10小題,每小題4分,共40分,每小題所給四個(gè)
2025-08-05 17:56
【摘要】小升初數(shù)學(xué)基本概念大全第一章數(shù)和數(shù)的運(yùn)算 一、概念 (一)整數(shù) 1整數(shù)的意義自然數(shù)和0都是整數(shù)?! ?自然數(shù)我們?cè)跀?shù)物體的時(shí)候,用來(lái)表示物體個(gè)數(shù)的1,2,3……叫做自然數(shù)?! ∫粋€(gè)物體也沒有,用0表示。0也是自然數(shù)?! ?計(jì)數(shù)單位一(個(gè))、十、百、千、萬(wàn)、十萬(wàn)、百萬(wàn)、千萬(wàn)、億……都是計(jì)數(shù)單位。 每相鄰兩個(gè)計(jì)數(shù)單位之間的進(jìn)率都是10。這樣的計(jì)
2024-08-19 15:32
【摘要】注:結(jié)合《半導(dǎo)體物理》季振國(guó)編著浙江大學(xué)出版社重點(diǎn)看第二章半導(dǎo)體材料的成分與結(jié)構(gòu)第三章晶體中電子的能帶第一章量子力學(xué)初步1、光電效應(yīng)、康普頓散射證明電磁波除了具有波動(dòng)性外,還具有性,即光具有。2、受愛因斯坦光量子的啟發(fā),德布羅意提出實(shí)物粒子具有性,德布羅意波長(zhǎng)公式為。3、寫出光子的
2025-06-16 16:56
【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題姓名學(xué)號(hào)習(xí)題請(qǐng)直接做在此頁(yè)面上,完成后發(fā)往:@習(xí)題一2011年9月21日1,指出下述各種結(jié)構(gòu)是不是布拉伐格子,如是,請(qǐng)給出三個(gè)原基矢量;如不是,請(qǐng)找出相應(yīng)的布拉伐格子和盡可能小的基元。(1)底心立方(在立方單胞水平表面的中心有附加點(diǎn)的簡(jiǎn)立方);(2)側(cè)面心立方(在立方單
2025-06-16 16:47
【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-08-03 02:12
【摘要】半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)與起源(~1900)在二十世紀(jì)的近代科學(xué),特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性,而陶瓷材料則否,性質(zhì)出來(lái)之前,人們對(duì)于四周物體的認(rèn)識(shí)仍然屬于較為巨觀的瞭解,那時(shí)已經(jīng)介于這兩者之間的,就是半導(dǎo)體材料。英國(guó)科學(xué)家法拉第(MIChaelFaraday,1791~1867),在電磁學(xué)方面擁有許多貢獻(xiàn),為人所知的,則是他在1833年發(fā)現(xiàn)的其中一種半
2025-04-13 02:20
【摘要】TD-SCDMA長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)LTE物理層TD網(wǎng)規(guī)網(wǎng)優(yōu)部梁晉仲2022年11月內(nèi)容?信道帶寬?多址技術(shù)?雙工方式與幀結(jié)構(gòu)?物理資源概念?子幀結(jié)構(gòu)?物理信道?物理信號(hào)?物理層過程信道帶寬?支持的信道帶寬(ChannelBandwidth)?,
2025-01-15 14:41
【摘要】小升初數(shù)學(xué)基本概念大全第一章數(shù)和數(shù)的運(yùn)算 一、概念 (一)整數(shù) 1整數(shù)的意義自然數(shù)和0都是整數(shù)?! ?自然數(shù)我們?cè)跀?shù)物體的時(shí)候,用來(lái)表示物體個(gè)數(shù)的1,2,3……叫做自然數(shù)?! ∫粋€(gè)物體也沒有,用0表示。0也是自然數(shù)?! ?計(jì)數(shù)單位一(個(gè))、十、百、千、萬(wàn)、十萬(wàn)、百萬(wàn)、千萬(wàn)、億……都是計(jì)數(shù)單位。 每相鄰兩個(gè)計(jì)數(shù)單位之間的進(jìn)率都是10。這樣
2024-08-19 09:29
【摘要】試卷結(jié)構(gòu):一、選擇題(每小題2分,共30分)二、填空題(每空2分,共20分)三、簡(jiǎn)答題(每小題10分,共20分)四、證明題(10分)(第六章)五、計(jì)算題(20分)(第五章)§鍺和硅的晶體結(jié)構(gòu)特征金剛石結(jié)構(gòu)的基本特征(重點(diǎn))§半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運(yùn)動(dòng)概念:原子組成晶體后,由于電子殼層的交疊,電子不再完全局限在某一
2025-06-16 16:48
【摘要】第1章基本半導(dǎo)體分立器件第1章基本半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)半導(dǎo)體二極管特殊二極管半導(dǎo)體三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管習(xí)題第1章基本半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)半導(dǎo)體的基本特性在自然界中存在著許多不同的物質(zhì),
2025-01-22 03:50
【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點(diǎn)缺陷,如空位間
2025-01-23 18:45
【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼)1-1.(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量;④價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-23 18:50
2025-06-16 17:02
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體表面和表面能級(jí)Si-SiO2系統(tǒng)中的表面態(tài)與表面處理表面能帶彎曲與反型表面復(fù)合第五章半導(dǎo)體表面Schoo
2025-07-27 13:44
【摘要】SemiconductorPhysicsChapter1上海交通大學(xué)成教院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)半導(dǎo)體物理學(xué)SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysicsChapter1電話:36033332(H)13482657996(M)上海交通大學(xué)微納科學(xué)技術(shù)
2024-08-16 14:52