半導體物理究極版-展示頁
2025-06-16 16:48本頁面
【正文】 ，167。雜質能帶及雜質帶導電。. 簡并半導體重摻雜及簡并半導體概念：重摻雜，雜質摻雜水平很高；簡并半導體，發(fā)生載流子簡并化的半導體。電子占據(jù)施主雜質能級的幾率：空穴占據(jù)受主能級的幾率：施主能級上的電子濃度為：受主能級上的空穴濃度為電離施主濃度為：電離受主濃度為：167。 玻爾茲曼分布函數(shù)：；載流子濃度表達式：（重點） ， 導帶底有效狀態(tài)密度 ， 價帶頂有效狀態(tài)密度載流子濃度的乘積的適用范圍：熱平衡狀態(tài)下的非簡并半導體167。（3）的位置比較直觀地標志了電子占據(jù)量子態(tài)的情況，通常就說費米能級標志了電子填充能級的水平。 費米能級和載流子的濃度統(tǒng)計分布費米分布函數(shù)：；費米能級的意義：它和溫度、半導體材料的導電類型、雜質的含量以及能量零點的選取有關。（非簡并—玻耳茲曼；統(tǒng)一費米能級；）167。雜質的電離能：施主雜質電離能，受主雜質電離能雜質的補償作用（重點）：第三章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布非簡并熱平衡載流子概念和性質：通常把服從玻爾茲曼統(tǒng)計律的電子系統(tǒng)稱為非簡并系統(tǒng)，而服從費米統(tǒng)計律的電子系統(tǒng)稱為簡并系統(tǒng)。受主雜質：因III族雜質在硅、鍺中能夠接受電子而產(chǎn)生導電空穴，并形成負電中心，所以稱它們?yōu)槭苤麟s質或p型雜質。 硅、鍺晶體中的雜質能級施主雜質：V族雜質在硅、鍺中電離時，能夠釋放電子而產(chǎn)生導電電子并形成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質或n型雜質。 硅和鍺的能帶結構硅和鍺的能帶結構特征：（1）導帶結構：導帶底的吸收峰位置、個數(shù)；（2）價帶結構：價帶頂?shù)奈恢?，重空穴帶、輕空穴帶以及自旋軌道耦合分裂出來的能帶。窄帶、寬帶與有效質量大小關系：窄大寬小167。167。 半導體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運動概念：原子組成晶體后，由于電子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一個原子上，可以由一個原子轉移到相鄰的原子上去，因而，電子將可以在整個晶體中運動，這種運動稱為電子的共有化運動。試卷結構： 一、選擇題（每小題2分，共30分）二、填空題（每空2分，共20分）三、簡答題（每小題10分，共20分）四、證明題(10分)（第六章）五、計算題（20分）（第五章）167。 鍺和硅的晶體結構特征 金剛石結構的基本特征（重點）167。絕緣體、半導體和導體的能帶特征：幾種常用半導體的禁帶寬度：，本征激發(fā)的概念：價帶上的電子激發(fā)成為準自由電子，即價帶電子激發(fā)成為導帶電子的過程，稱為本征激發(fā)。 半導體中電子的運動 有效質量導帶底和價帶頂附近的E(k)~k關系：；半導體中電子的平均速度：；有效質量的公式：。 空穴空穴的特征：帶正電；；；167。硅和鍺是間接帶隙半導體167。它釋放電子的過程叫做施主電離?？昭⊕昝撌苤麟s質束縛的過程稱為受主電離。電子從不斷熱振動的晶格中獲得能量由低能量量子態(tài)躍遷到高能量量子態(tài)，電子由同時高能量量子態(tài)躍遷到低能量量子態(tài)并向晶格釋放能量，這種熱
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