半導(dǎo)體物理究極版-在線瀏覽
2025-07-25 16:48本頁面
【正文】 平衡狀態(tài)下的導(dǎo)電電子和空穴稱為熱平衡載流子。定義式：；導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)密度：；價帶頂附近的狀態(tài)密度：167。（1）將半導(dǎo)體中大量的電子看成一個熱力學(xué)系統(tǒng)，費(fèi)米能級是系統(tǒng)的化學(xué)勢；（2）可看成量子態(tài)是否被電子占據(jù)的一個界限。費(fèi)米能級位置較高，說明有較多的能量較高的量子態(tài)上有電子。. 本征半導(dǎo)體的載流子濃度本征半導(dǎo)體概念：沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體本征載流子濃度：；載流子濃度的乘積（重點(diǎn)）：；它的適用范圍：熱平衡狀態(tài)下的非簡并半導(dǎo)體167。 一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布（重點(diǎn)）分析判斷費(fèi)米能級隨溫度及雜質(zhì)濃度的變化，尤其是飽和區(qū)：（1） 少量受主雜質(zhì)的n型半導(dǎo)體①極低溫度下，施主雜質(zhì)弱電離：②低溫下，施主濃度ND遠(yuǎn)比受主濃度NA大：③飽和區(qū)；溫度升高到ED大于EF，且滿足EDEFK0T時，施主雜質(zhì)完全電離：（2） 施主雜質(zhì)的p型半導(dǎo)體①低溫下弱電離：②飽和區(qū)；受主雜質(zhì)完全電離：167。簡并化條件(n型)：，具體地說：1）ND接近或大于NC時發(fā)生簡并；2）雜質(zhì)電離能ΔED越小，則雜質(zhì)濃度ND較小時就發(fā)生簡并；3）雜質(zhì)濃度越大，發(fā)生簡并的溫度范圍越寬；4）簡并時雜質(zhì)沒有充分電離；5）簡并半導(dǎo)體的雜質(zhì)能級展寬為能帶，帶隙寬度會減小。第四章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性167。. 載流子的散射.半導(dǎo)體中載流子在運(yùn)動過程中會受到散射的根本原因是什么？其根本原因是周期性勢場的被破壞主要散射機(jī)構(gòu)有哪些？（重點(diǎn)）電離雜質(zhì)的散射：晶格振動的散射：167。他們之間的關(guān)系，； 電導(dǎo)率、遷移率與平均自由時間的關(guān)系： (硅的)電導(dǎo)遷移率及電導(dǎo)有效質(zhì)量公式： 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系：167。不同溫區(qū)電阻率的變化/不同溫區(qū)載流子的散射機(jī)制：167。第五章 非平衡載流子167。比平衡狀態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子或過剩載流子。非平衡載流子的衰減、壽命的含義：衰減：光照停止后，△p隨時間按指數(shù)規(guī)律減少；壽命：非平衡載流子的平均生存時間稱為非平衡載流子的壽命。167。反之也可以說，n和p越大，EFn和EFp偏離EF越遠(yuǎn)。小注入條件下：u Δnn0，n=n0+Δn，nn0，n≈n0，EFn比EF更靠近導(dǎo)帶底，但偏離EF很小?？梢钥闯觯阂话闱闆r下，在非平衡狀態(tài)時，往往總是多數(shù)載流子的準(zhǔn)Fermi能級和平衡時的Fermi能級偏離不多，而少數(shù)載流子的準(zhǔn)Fermi能級則偏離很大。EFnEFp越大，np越偏離ni2。167。間接復(fù)合：非平衡載流子通過復(fù)合中心的復(fù)合。（重點(diǎn)）表面復(fù)合表面復(fù)合率：單位時間內(nèi)通過單位面積復(fù)合掉的電子空穴對數(shù)Us(s1cm2)為什么說非平衡載流子的壽命是“結(jié)構(gòu)靈敏”的參數(shù)：非平衡載流子的壽命與材料的完整性、某些雜質(zhì)的含量以及樣品的表面狀態(tài)有極密切的關(guān)系。非輻射復(fù)合167。最有效陷阱的特點(diǎn)（重點(diǎn)）(1) 典型的陷阱對電
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