半導(dǎo)體二極管電子教案-展示頁(yè)
2025-04-26 00:00本頁(yè)面
【正文】 理不同。共價(jià)鍵中的一些價(jià)電子由于熱運(yùn)動(dòng)獲得一些能量，從而擺脫共價(jià)鍵的約束成為自由電子，同時(shí)在共價(jià)鍵上留下空位，我們稱(chēng)這些空位為空穴，它帶正電。用于制造半導(dǎo)體器件的純硅和鍺都是四價(jià)元素，其最外層原子軌道上有四個(gè)電子（稱(chēng)為價(jià)電子）。目前制造半導(dǎo)體器件材料用得最多的有：?jiǎn)我辉氐陌雽?dǎo)體——硅(Si)和鍺(Ge)。為以后的電路分析打下基礎(chǔ)。 半導(dǎo)體PN結(jié)分別加正反向電壓導(dǎo)通與截止的特性。記住半導(dǎo)體PN結(jié)的特性。如：半導(dǎo)體二極管：伏安特性，主要參數(shù)，單向?qū)щ娦?。能夠識(shí)別和檢測(cè)二極管，會(huì)測(cè)定二極管簡(jiǎn)單應(yīng)用電路參數(shù)。分析這些管子組成的幾種簡(jiǎn)單的應(yīng)用電路，最后列出常用二極管參數(shù)及技能訓(xùn)練項(xiàng)目。第一章 半導(dǎo)體二極管內(nèi)容簡(jiǎn)介本章首先介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能和特點(diǎn)，進(jìn)而從原子結(jié)構(gòu)給與解釋。先討論P(yáng)N結(jié)的形成和PN結(jié)的特性，然后介紹半導(dǎo)體二極管特性曲線和主要參數(shù)。知識(shí)教學(xué)目標(biāo)掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?；、伏安特性和主要參?shù)；；技能教學(xué)目標(biāo)本章重點(diǎn)以便能正確使用和合理選擇這些器件。本章難點(diǎn)主要參數(shù)，單向?qū)щ娦?。課時(shí) 4課時(shí)題目：半導(dǎo)體、PN結(jié)教學(xué)目標(biāo)：了解本征半導(dǎo)體，雜質(zhì)半導(dǎo)體的區(qū)別，從而得出半導(dǎo)體特性。教學(xué)重點(diǎn)：半導(dǎo)體特性；半導(dǎo)體PN結(jié)的特性；教學(xué)難點(diǎn)：半導(dǎo)體單向?qū)щ娦?。教學(xué)方法：講授教具：色粉筆新課導(dǎo)入：電子技術(shù)基礎(chǔ)是我們這學(xué)期新開(kāi)的一門(mén)專(zhuān)業(yè)課，它包含各個(gè)基本小型電路的介紹及使用分析，這次課我們來(lái)學(xué)習(xí)一種材質(zhì)：半導(dǎo)體。 新授：從導(dǎo)電性能上看，通?？蓪⑽镔|(zhì)為三大類(lèi)：導(dǎo)體： 電阻率 ，緣體：電阻率 ， 半導(dǎo)體：電阻率ρ介于前兩者之間?；衔锇雽?dǎo)體 —— 砷化鎵(GaAs)。 半導(dǎo)體示例 本征半導(dǎo)體了解：純凈的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在單晶結(jié)構(gòu)中，由于原子排列的有序性，價(jià)電子為相鄰的原子所共有，圖中+4代表四價(jià)元素原子核和內(nèi)層電子所具有的凈電荷。在外電場(chǎng)作用下，自由電子產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電子電流；同時(shí)價(jià)電子也按一定的方向一次填補(bǔ)空穴，從而使空穴產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成空穴電流。 雜質(zhì)半導(dǎo)體其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。這個(gè)空穴可能吸引束縛電子來(lái)填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動(dòng)的帶負(fù)電的離子,因而在該半導(dǎo)體中就存在大量的空穴載流子,當(dāng)然,其中還有少數(shù)由于本征激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子。 需要指出的是,無(wú)論是N型還是P型半導(dǎo)體,都是呈電中性的。 *綜上所述，半導(dǎo)體特性：*半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕
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