半導(dǎo)體二極管及其基本電路-展示頁
2024-10-28 12:48本頁面
【正文】 本征激發(fā) （ 熱激發(fā) ） T=0 K時 電子 ( ) 空穴 (+) 復(fù)合 (3) 空穴的移動 (導(dǎo)電） 空穴的運(yùn)動 = 相鄰共價鍵中的 價電子 反向依次填補(bǔ)空穴來實現(xiàn)的 雜質(zhì)半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體 缺點(diǎn) ？ 電子濃度 =空穴濃度； 載流子少，導(dǎo)電性差，溫度穩(wěn)定性差！ (1) N型半導(dǎo)體 (2) P型半導(dǎo)體 (3) 雜質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響 (1） N型半導(dǎo)體（ 電子型半導(dǎo)體） 摻 雜 ： 特 點(diǎn) ： 多 數(shù)載流 子 ： 自由 電子 （ 主要由 雜質(zhì)原子提供） 少 數(shù)載流 子 ：空穴 （ 由熱激發(fā)形成） 少量 摻入五價雜質(zhì)元素（如：磷） (2） P型半導(dǎo)體（ 空穴 型半導(dǎo)體） 摻 雜 ： 少量 摻入三價雜質(zhì)（如硼、鎵和銦等） 特 點(diǎn) ： 多子 ：空穴 （ 主要由 雜質(zhì)原子提供） 少子 ：電子 （ 由熱激發(fā)形成） (3) 雜質(zhì)對半導(dǎo)體 導(dǎo)電性的影響 影響很大。 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 二極管基本電路及其分析方法 特殊二極管 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 一、半導(dǎo)體 定義 特點(diǎn) :導(dǎo)電能力可控（受控于光、熱、雜質(zhì)等） 典型半導(dǎo)體材料 :硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 本征 (intrinsic)半導(dǎo)體 —— 純凈無摻雜的半導(dǎo)體 。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到%， 常稱為 “ 九個 9”。載流子數(shù)目劇增 T=300 K室溫下 ,本征硅的 電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。 ? 載流子由濃度高流向濃度低的的運(yùn)動為擴(kuò)散。 電流 I 。 ? 電子 （ A）電場作用下的漂移運(yùn)動 （ B）空穴擴(kuò)散示意 PN結(jié)形成 P N + + + + + + + + + 由于接觸面載流子運(yùn)動形成PN結(jié) 示意圖 內(nèi)電場 + 擴(kuò)散運(yùn)動 漂移運(yùn)動 PN結(jié) 變窄
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