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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體二極管及其基本電路(留存版)

  

【正文】 平行板電容。不同的穩(wěn)壓管有不同的穩(wěn)定電壓。電路中常用做指示或顯示及光信息傳送。設(shè)二極管是理想的。一般幾納安到幾微安。 電流 I 。 . . 空穴 。 硅 (nA)級(jí);鍺 (?A)級(jí) (5) rd —— 動(dòng)態(tài)電阻 rd =?VF /?IF 二極管正向特性曲線斜率的倒數(shù) (4)—— 極間電容 C: 正向擴(kuò)散電容 CD:由于 PN結(jié)正向?qū)щ娛峭ㄟ^(guò)電子和空穴擴(kuò)散的結(jié)果。 特殊二極管 、穩(wěn)壓二極管 應(yīng)用在 反向擊穿區(qū) (雪崩擊穿 和 齊納擊穿) ( 一)符號(hào)、伏安特性 和典型應(yīng)用電路 (a) (a)符號(hào) 利用 PN結(jié)反向擊穿的特性,可以制成穩(wěn)壓二極管。 單個(gè)發(fā)光 二極管 七段顯示發(fā)光二極管 發(fā)光二極管 ( LED) 。而電壓基本不變的電壓。 反向勢(shì)壘電容 CB:二極管反向 PN結(jié)形成電荷勢(shì)壘。加反向電壓時(shí) 電阻很大,電流小。 ? 載流子由濃度高流向濃度低的的運(yùn)動(dòng)為擴(kuò)散。 指正常功率下的正向平均電流;根據(jù)二極管功率不同,由幾 mA到幾百安培不等 (3) IR( IS) —— 反向飽和電流 指二極管反向加電壓時(shí),在沒(méi)有擊穿前的電流。至于 rD的值,可以這樣來(lái)確定,即當(dāng)二極管的導(dǎo)通電流為 1mA時(shí),管壓降為 ,于是 rD的值可計(jì)算如下 一二極管開(kāi)關(guān)電路如圖 LT_01所示。由于電子空穴的復(fù)合產(chǎn)生發(fā)光能量。 ? 4)、最大耗散功率 PZM,工作時(shí)的功率 PZ=IZ?UZ ? 5)、溫度系數(shù);衡量由于溫度變化而使穩(wěn)定電壓 UZ變化的參數(shù)。DBDQ d QCCdUU???? 型號(hào)命名規(guī)則 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下: 部分國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體高頻二極管參數(shù)表 最高反向工作電壓 (峰值) V 反向擊穿電壓 V 正向電流 mA 反向電流 μA 最高工作頻率 MHZ 極間電容 Pf 最大整流電流 mA 2AP1 20 ≥40 ≥ ≤250 150 ≤1 16 2ck7 100 ≥150 ≥ ≤250 300 ≤ 20 部分國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體整流二極管參數(shù)表 最大整流 電流 A
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