半導(dǎo)體二極管及其基本電路(完整版)
【正文】 多子擴(kuò)散 ?空間電荷區(qū) (雜質(zhì)離子 ) ? 內(nèi)電場(chǎng) ? 促使少子漂移 ? 阻止多子擴(kuò)散 當(dāng)多子 擴(kuò)散 和少子 漂移 達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 ，形成 PN結(jié) 實(shí)質(zhì) PN結(jié) =空間電荷區(qū) =耗盡層 =內(nèi)電場(chǎng) =電阻 單向?qū)щ娦? 單向?qū)щ娦?： PN結(jié) 正偏 時(shí)導(dǎo)通（大電流）， PN結(jié) 反偏 時(shí)截止（小電流）。載流子數(shù)目劇增 T=300 K室溫下 ,本征硅的 電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個(gè)濃度基本上依次相差 106/cm3 。 2 摻雜后 N 型半導(dǎo)體中的 自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 第二節(jié) 典型數(shù)據(jù)如下 : PN結(jié) 形成 實(shí)質(zhì) 電容效應(yīng) 單向?qū)щ娦? 圖 PN結(jié)的形成過(guò)程 形成 兩種載流子的 兩種運(yùn)動(dòng) 動(dòng)態(tài)平衡時(shí) 形成 PN結(jié) 兩種運(yùn)動(dòng)： 擴(kuò)散（濃度差） 漂移（電場(chǎng)力） 漂移和擴(kuò)散 ? 電子或空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng)稱為漂移 如圖（ A）所示。 偏置 (bias) (1) 勢(shì)壘電容 CB（ Barrier) 勢(shì)壘電容是由 空間電荷區(qū) 的離子薄層形成 電容效應(yīng) 表現(xiàn)為： 勢(shì)壘電容 CB（ barrier) 擴(kuò)散電容 CD (diffusion) 圖 擴(kuò)散電容示意圖 第三節(jié) (2) 擴(kuò)散電容 CD(Diffusion) 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，擴(kuò)散電流即 外電路電流的大小也 就不同。一般手冊(cè)中給出的反向電壓是實(shí)際的一半。反向電壓愈高電容愈小 近似計(jì)算公式如下 ： D。這個(gè)電池的電壓選定為二極管的門坎電壓 Vt
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