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cvd設(shè)備基礎(chǔ)級教育資料-展示頁

2025-05-27 01:45本頁面
  

【正文】 低溫加熱使氣體反應(yīng),進(jìn)行成膜。 Ingector Belt Heater Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 7 APT5850設(shè)備介紹 ? APT5850設(shè)備是在大氣壓狀態(tài)下,由 5個 Deposition Header導(dǎo)入 TEOS, TMB, TMPO, O3和 N2等材料,加熱器 進(jìn)行加熱 400度,在每個 D/H下成長 1/5膜厚。Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 1 CVD 設(shè)備基礎(chǔ)知識教育 2021/7/21 王俊海 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 2 Agenda ? CVD 的基本概念 ? CVD 的設(shè)備種類 ? APCVD 的主要特征及設(shè)備 ? PECVD 的主要特征及設(shè)備 ? LPCVD 的主要特征及設(shè)備 ? MCVD 的主要特征及設(shè)備 ? CVD 設(shè)備的構(gòu)成總結(jié) ? 問題 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 3 CVD 的基本概念 ? CVD (Chemical Vapor Deposition)即化學(xué)氣象淀積的英文縮寫,是將反應(yīng)材料導(dǎo)入到反應(yīng)室內(nèi),利用加熱器,等離子,光等能量使氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在硅片表面形成一層穩(wěn)定的固態(tài)膜的工藝。 Gas input Exhaust Thin Film Wafer Energy Source Gas (heater,plasma,ultraviolet light etc. ) Shower
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