納米材料導(dǎo)論cvd法-展示頁
2024-12-17 11:40本頁面
【正文】 達(dá)到 700℃ 時(shí)沉積的 ZnO 納米團(tuán)簇開始結(jié)晶形成ZnO 薄膜。其生長機(jī)理是 :當(dāng)基片溫度還沒達(dá)到 ZnO的結(jié)晶溫度 700℃ 時(shí) ,爐管中央位置的 ZnO粉末源已經(jīng)開始分解 ,雖然沒通 Ar氣 ,但由于分子熱運(yùn)動(dòng)的作用 ,氣相 ZnO將向基片方向運(yùn)動(dòng)。 ( c) ZnO納米線斷面 SEM圖 Fig. 3 ( a) The top view of SEM images of ZnO nanowires。 圖 3 ( a) ZnO納米線正面 SEM圖 。圖 3 ( b)是樣品的斷面區(qū)域放大 SEM圖 ,從圖中可以看出 , ZnO納米線平均長度在 4μm左右 , ZnO納米線的底端有一層大約 500nm的 ZnO薄膜 , ZnO納米線長在 ZnO薄膜之上。 圖 3是樣品的掃描電子顯微鏡的照片。 處出現(xiàn)了 ZnO的 (002)晶面的衍射峰 ,說明 ZnO納米線沿 [ 001 ]方向擇優(yōu)生長 。采用英國 BedeD1 System X射線衍射儀和日本 JEOL2EDAX掃描電子顯微鏡對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征。爐管升溫速率為 20℃ /min,當(dāng) ZnO 源溫度上升到 1400℃ 時(shí)通 Ar氣 (99. 99% ) ,流量為 40 sccm,并將溫度保持在 1400℃ (此時(shí)基片溫度在 700℃ 左右 ) 。化學(xué)氣相沉積方法 (CVD)制備 ZnO納米線的實(shí)驗(yàn)裝置如圖 1所示。本研究中 ,以金 做催化劑 ,采用熱分解 ZnO粉末的 CVD方法在 Si (100)襯底上生長了有序排列的 ZnO納米線 ,運(yùn)用 X射線 衍射儀 (XRD)與掃描電子顯微鏡 ( SEM)進(jìn)行表征 ,結(jié)合汽 液 固(VLS)理論討論了其生長機(jī)理。最近 Jason B[ 9 ]等人運(yùn)用 (MOCVD)方法在藍(lán)寶石上制備了整齊排 列的 ZnO納米線。楊培東研究小組 [ 7 ]將 VLS機(jī)理和氣相外延技術(shù) 相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了納米線陣列的控制生長。制備 ZnO納米線的方法有多種 . Y. Li[ 5 ]等人運(yùn)用模板限制輔助生長法制備出多晶 ZnO 納米線陣列。而對(duì)于 ZnO納米線 ,從理論上可以推測(cè) [ 4 ] ,其電子態(tài)密度分布更集中 ,激子束縛能愈大 ,并且激子共振更強(qiáng)烈 ,因而 他們的吸收、發(fā)光等光躍遷譜更窄化 ,光與物質(zhì)的相互作用更有效。 電子科技大學(xué)微電子與固
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1