納米材料導(dǎo)論cvd法(專業(yè)版)
【正文】 可能是 ZnO在結(jié)晶過(guò)程中由于晶界的毛細(xì)管作用將金液滴吸到了ZnO薄膜上面。衍射峰強(qiáng)度大 ,寬度小 ,說(shuō)明產(chǎn)物純度高 ,結(jié)晶程度好 ,為 ZnO單晶納米線。這意味著 ZnO納米線在光電應(yīng)用方面 具有更優(yōu)越的性能 ,因此制備高質(zhì)量的 ZnO納米線成為一重要研究方向。最近 Jason B[ 9 ]等人運(yùn)用 (MOCVD)方法在藍(lán)寶石上制備了整齊排 列的 ZnO納米線。 圖 3 ( a) ZnO納米線正面 SEM圖 。 4 結(jié) 論 以金做催化劑 ,采用熱分解 ZnO粉末的 CVD方法在 Si ( 100)襯底上生長(zhǎng)了整齊緊密排列的 ZnO納米線 ,平均長(zhǎng)度為 4μm,直徑在 100nm左右。當(dāng)基片溫度達(dá)到 700℃ 時(shí)沉積的 ZnO 納米團(tuán)簇開(kāi)始結(jié)晶形成ZnO 薄膜。爐管升溫速率為 20℃ /min,當(dāng) ZnO 源溫度上升到 1400℃ 時(shí)通 Ar氣 (99. 99% ) ,流量為 40 sccm,并將溫度保持在 1400℃ (此時(shí)基片溫度在 700℃ 左右 ) 。CVD法制備高質(zhì)量 ZnO納米線及生長(zhǎng)機(jī)理 作者 唐 斌 , 鄧 宏 ,稅正偉 ,陳金菊 ,韋 敏 英文篇名 Preparation and Growth Mechanism of Wellaligned ZnO Nanowires by Chemical Vapor Deposition 單位 電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院 。高純度的 ZnO ( 99. 95 )粉末裝在氧化鋁舟中 ,將氧化鋁舟放入管式爐的恒溫中心位置 , Si基片放在距 ZnO源氣路下游15cm的位置。此時(shí)在基片位置處的氣相過(guò)飽和度低 ,氣相 ZnO將凝聚成 ZnO納米團(tuán)簇 ,團(tuán)簇的熱運(yùn)動(dòng)速度急劇下降 ,重力場(chǎng)作用較明顯 ,因此 ZnO納米團(tuán)簇在重力場(chǎng)作用下沉積在基片表面 ,形成一層 ZnO納米團(tuán)簇。 ZnO納米線的生長(zhǎng)機(jī)理與傳統(tǒng)的 VLS機(jī)理不同 ,在 Si (100)襯底上先生長(zhǎng)了大約 500nm厚的 ZnO薄膜 , ZnO納米線生長(zhǎng)在 ZnO薄膜上面。 ( b) ZnO納米線斷面放大 SEM圖 。運(yùn)用化學(xué)氣相沉積法 (CVD)制備高質(zhì)量的 ZnO納米線的報(bào)道還很少見(jiàn)。而對(duì)于 ZnO納米線 ,從理論上可以推測(cè) [ 4
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1