cvd設(shè)備基礎(chǔ)級(jí)教育資料(完整版)
【正文】 ept. Page 8 PECVD 的主要特征及設(shè)備 ? 特征 在真空狀態(tài)下，有加熱器進(jìn)行加熱，氣體被激勵(lì)成等離子狀態(tài)進(jìn)行反應(yīng)成膜。 Chamber Lid Chamber Body Quartz Window Lamp House Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 16 UnityEP設(shè)備介紹 ? UnityEP設(shè)備是采用腔體式，反應(yīng)室為低壓真空，利用加熱器加熱，在一個(gè)反應(yīng)室生長(zhǎng) Ti膜后，再在另一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)生長(zhǎng) TiN膜。反應(yīng)氣體 SiH4， O2或 N2O等被導(dǎo)入到爐體內(nèi)，在低壓真空狀態(tài)下，加熱器進(jìn)行加熱使反應(yīng)成膜。Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 1 CVD 設(shè)備基礎(chǔ)知識(shí)教育 2021/7/21 王俊海 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 2 Agenda ? CVD 的基本概念 ? CVD 的設(shè)備種類(lèi) ? APCVD 的主要特征及設(shè)備 ? PECVD 的主要特征及設(shè)備 ? LPCVD 的主要特征及設(shè)備 ? MCVD 的主要特征及設(shè)備 ? CVD 設(shè)備的構(gòu)成總結(jié) ? 問(wèn)題 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 3 CVD 的基本概念 ? CVD (Chemical Vapor Deposition)即化學(xué)氣象淀積的英文縮寫(xiě)，是將反應(yīng)材料導(dǎo)入到反應(yīng)室內(nèi)，利用加熱器，等離子，光等能量使氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面形成一層穩(wěn)定的固態(tài)膜的工藝。
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