等離子刻蝕工藝原理介紹-展示頁(yè)
2025-05-26 03:34本頁(yè)面
【正文】 4 DC BIAS CH3F CHF3 C4F8 聚合和腐蝕的條件 氣體內(nèi) F/C比率，腐蝕粒子與 DC Bias 大小決定了工藝的聚合和腐蝕 ? 駐留時(shí)間 = pV/Q ? 高流量和低壓力 –低駐留時(shí)間 , 反應(yīng)被吸附的時(shí)間也短。 ? Plasma與電極（陰極）之間的電壓差控制離子的能量和方向性。 ? Polymer在小尺寸和大尺寸區(qū)域形成速度不同，也對(duì)微負(fù)載效應(yīng)造成較大貢獻(xiàn)。 圓片偏壓的產(chǎn)生 1 plasma sheath a sheath b Sheath b sheath a plasma p 圓片偏壓的產(chǎn)生 2 ti m e0+ 1 1v2v1ti m e0+ 1 1(kV)(kV)fa st ele c trons de cay vo lt ag e ra p i dl yhea v y ions d eca y voltage slowl yV1V2“ dc bia s ”(a ver age wafe r pot ent i al )0ti m ewafe r vol ta gepla sm a pote n ti a l? 電容耦合 : RF功率通過(guò) RF電場(chǎng)直接傳導(dǎo)到 Plasma，涉及到的電極也直接暴露在 Plasma中 (但是一般有 Wafer在基座 /電極上 ). ? 電感 /變壓器耦合 : RF功率通過(guò) RF磁場(chǎng)傳導(dǎo)到 Plasma, 該磁場(chǎng)誘導(dǎo)產(chǎn)生起電離作用的電場(chǎng) . ? 電容耦合對(duì)產(chǎn)生電離作用不是很有效，因?yàn)樗暮艽笠徊糠帜芰坑糜谙螂姌O表面運(yùn)動(dòng)的離子加速 . ?電感耦合對(duì) Plasma的產(chǎn)生很有效，因?yàn)樗哪芰繋缀跞坑糜陔x化 . 但是電感耦合點(diǎn)燃 Plasma不是很有效 . ?在 MERIE中，外加磁場(chǎng)也用于提高 Plasma的濃度 . Plasma刻蝕中的功率耦合 電容耦合 plasma rf electric field wafer 電感耦合 RF current in coil RF magic field ionizing Efield (induced) 電容 /電感耦合 inductive source defines density P source/TCP wafer capacitive rf bias gives ions directed energy P bias ? Plasma Etch是多變量的工藝 Bi
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