pecvd等離子的基本原理-展示頁
2024-10-24 21:27本頁面
【正文】 的作用: 減少光的反射:良好的折射率和厚度可以促進太陽光的吸收。,PECVD的原理,技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜?？梢愿鶕?jù)改變硅烷對氨氣的比率，來得到不同的折射指數(shù)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。PECVD的原理及設(shè)備結(jié)構(gòu),PECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 等離子增強化學(xué)氣相沉積 等離子體：由于物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣的物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的電子、正離子和中性粒子組成混合物的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài).,PECVD的原理,工作原理：Centrotherm PECVD 系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。這些氣體作用于存儲在硅片上的氮化硅。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。,PECVD的原理,3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑,Si3N4的認(rèn)識: Si3N4膜的顏色
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1