igbt驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法-展示頁
2024-09-17 11:09本頁面
【正文】 負(fù)偏的靜態(tài)柵源電壓來維持 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)的方法是不可取的 ， 主要是由于 MOSFET的 晶體管結(jié)構(gòu)所能夠承受的 dv/dt有限，從而限制了柵源負(fù)偏電壓的應(yīng)用。 (1) +VGE應(yīng) 設(shè)計(jì)在 GE間 最大額定電壓 VGES=士 20V的范圍內(nèi)。 (3)導(dǎo)通期 間 的 CE間 飽和電壓 (VCE(sat))隨 +VGE變化， +VGE越高飽和電壓越低。 (5) +VGE越高，開通時(shí) (FWD反向恢復(fù)時(shí) )的對置支路 越容易產(chǎn)生浪涌電壓。這種現(xiàn)象被稱為 dv/dt誤觸發(fā)， +VGE越高越容易發(fā)生。 : VGE（ 阻斷期 間 ) 門極反偏壓電壓 VGE的推薦值為 5V到 15V。 (1) +VGE應(yīng)設(shè)計(jì)在 GE間最大額定電壓 VGES=士 20V的范圍內(nèi)。 (3)IGBT的關(guān)斷特性依存于 VGE，特別是集電極電流開始關(guān)斷部分的特性在很大程度上依存于 VGE。 (4) dv/dt 誤觸發(fā)在 VGE小的情況下也有發(fā)生，所以至少要設(shè)定在 5V 以上。 :RG 門極電阻 RG的數(shù)值，在說明書中用測定交換特性時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)門極電阻值表示。以下說明 RG設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。 (2)dv/dt誤觸發(fā)在 RG較大時(shí)不太容易發(fā)生。當(dāng) RG為標(biāo)準(zhǔn)門極電阻值 （ Tj=250℃ )時(shí)，電流限制最小值為額定電流值的 2倍左右。 IGBT 具有 MOS門
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