led生產線設計-文庫吧資料
2024-12-11 18:08本頁面
【正文】 構緊湊 ，可以進行波峰焊或者回流焊，適合規(guī)?；a的要求。 塑料帶引線片式載體是 LED 重要的一種封裝形式。該技術封裝出的二極管 具有體積小、散射角大、 發(fā)光均勻性好、可靠性高等優(yōu)點。作為陽極和陰極的引腳，可以選用鍍銀的銅、鐵材料，其形狀有直形和帶肩形等。透鏡頭可以做成是橢圓頭、矩形頭、斜面頭、三角形和階梯形等，以實現(xiàn)不同的配光要求。 ～ 120176。而新 的研究表明以納米 MgO 為填料，添加環(huán)氧樹脂 AB 膠固化體系中，可以增強固化物的導熱性能，同時少量的 MgO還影響固化物的透光性 [7]。 圓頭插腳式 LED 是普遍采用的封裝形式。 ② 均勻性好，合格率高，黑燈率控制在 3/10000。負極用銀漿粘接在支架反射杯 內或用金絲和反射杯引腳相連，然后頂部用環(huán)氧樹脂包封。 這種技術就是將 LED芯片黏結在引線架上。 為了 使 LED 的性能更好，人們正在努力地在封裝形式和材料選擇，還有散熱技術方面做改進。雖然 LED 的封裝與晶體三極管這類半導體分立器件的封裝一樣，都具有保護芯片不受外界環(huán)境影響和提高 器件導熱能力等功能，但是 LED 的封裝卻覺有很大的特殊性，它還有一個更重要的作用是提高出光效率，并實現(xiàn)特定的光學分布，輸出可見光。其中，照明級芯片制備技術是今后研究的重中之重，它直接影響半導體照明的發(fā)展進程。因此，為了提高芯 片的發(fā)光效率，必須控制溫度和提高出光效率。為 LED 照明的普及作出重要貢獻，但目前該技術仍有很多不成熟的地方 [6]。）、電極和電流擴展技術。 LED 的芯片技術 LED 的芯片結構設計是一種非常復雜的系統(tǒng)工程，其內容涉及以提高注入效率和光效為目的的電致發(fā)光結構設計、以提高光學出光效率為目的的光引出結構設計和與光效密切相關的電極設計等。 ，并且可以 在較大范圍內調整外延生長速度。 加熱和溫度控制 反應器 計算機控制、安全控制 氣體輸送 廢氣處理 圖 2 MOCVD設備系統(tǒng)框圖 [5] 其設備的主要特點是： ，可以通過精確的控制各種源和摻雜劑氣體流量來控制外延層的組分、摻雜濃度和厚度等。是生長 IIIV族、 IIVI 族化合物及合金薄膜單晶的主要方法。 目前有很多種方法可以實現(xiàn)外延材料的生長，其中包括液相外延（ LPE）、氣相外延（ VPE）、分子束外延（ MBE）和金屬有機物化學氣相沉積（ MOCVD）外延等。 ④ 發(fā)光符合概率大。 ② 可獲得高電導率的 P型和 N型晶體，以制備優(yōu)良的 PN 結。因此對外延材料的要求也相當?shù)膰栏?，通常需要滿足以下幾點： ① 要求有合適的帶隙寬度 Eg。外延層與襯底材料可以相同，也可以不同。 在 GaN外延生長的溫度和氣氛中容易發(fā)生分解和被腐蝕。 吸光材料，影響 LED 的發(fā)光率。 其實現(xiàn)商品化受限制。 氮化鎵（ GaN） 是用于生長 GaN 外延層的最理 制備非常困難，且價格高，使芯片制造 退火、光刻、刻蝕、金屬電極蒸發(fā)、合金化、介質膜 在線芯片測試（光學、波長、 亮度 、電學） 封裝 磨片 劃片（切片） 目檢 分選 包裝 貼片 引線 目檢 注膠 檢測 老化 包裝 入庫 材料制備 襯底 GaAs 藍寶石SiC 外延片生長 MOCVD 外延片生長 光學 電學 測試表面 高純氮 /氨 三甲基鎵 二乙基銦 快速結果檢驗及對 MOCVD 生長的反饋 想的襯底。 硅（ Si） 晶體質量高，尺寸大，成本低，易加工，有良好的導電性、導熱性和熱穩(wěn)定性。 碳化硅（ SiC） 化學穩(wěn)定性
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