led生產(chǎn)線設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)版)
【正文】 用的是塑料材料作為L(zhǎng)ED 的外殼，將 LED 芯片放在頂部凹槽處，底部封以金屬片狀引腳，其特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊 ，可以進(jìn)行波峰焊或者回流焊，適合規(guī)?；a(chǎn)的要求。 表面貼片封裝一般有兩種結(jié)構(gòu)：一種為金屬支架片式 LED，另一種為 PCB片式 LED。這種芯片的烘干溫度是100～ 150℃，時(shí)間一般是 60～ 90min。 通常我們所用的是環(huán)氧樹(shù)脂封裝，但它固化后交聯(lián)密度高，內(nèi)應(yīng)力大，脆性大，耐沖擊性差，使用溫度一般不能超過(guò) 150℃，而有機(jī)硅封裝材料能夠增強(qiáng)透過(guò)率和耐熱老化、耐紫外老化性能，并且具有高折射率。 參考文獻(xiàn) [1] 毛興武 ,張艷雯 ,周建軍 ,祝大衛(wèi) .新一代綠色光源 LED 及其應(yīng)用技術(shù) [M].人民郵電出版社 2021,8:3 [2] 王海濱 ,樊國(guó)輝 .LED 照明光源技術(shù)的應(yīng)用前景及趨勢(shì) [J].中國(guó)半導(dǎo)體照明雜志 ,2021(2):1019. [3] 中國(guó)機(jī)電數(shù)據(jù)網(wǎng)編 .2021LED行業(yè)分析報(bào)告 [R].北京 :機(jī)電財(cái)富雜志社出版， 2021. [4] 郝金剛 , 梁春軍 , 劉淡寧 等 .LED 產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 [R].北京 :北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所 [5] Anndi, 芯片制造 半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程 [J].電子膠水學(xué)習(xí)指南 . [6] 彭暉，朱立秋 .LED芯片技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) .國(guó)際 LED制造雜志 [J]， 2021（ 5） :1520. [7] 萬(wàn)正國(guó) ,賈虎生 ,梁建等 .LED 封裝用環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱透明改性 .國(guó)際 LED 制造雜志[J],2021(10):810 [8] 陳大華 . 綠色照明 LED 實(shí)用技術(shù) [M]. 北京 : 化學(xué)工業(yè)出版社 , 2021 [9] 梁超 ,何錦華 ,董巖等 .熒光粉對(duì)白光 LED 光衰性能的影響 .國(guó)際 LED 技術(shù)[J],2021(10):122126 [10] 查爾斯 ,. 電 子封裝材料與工藝 (原著第 3 版 )[M]. 北京 : 化學(xué)工業(yè)出版社 , 2021 [11]吳啟保，青雙桂，王芳等 .大功率 LED 器件封裝材料的研究現(xiàn)狀 .國(guó)際 LED制造 [J],2021(6):1115 [12] 孫燕飚 . 十城萬(wàn)盞工程引發(fā)狂熱 中國(guó)成全球 LED路燈試驗(yàn)場(chǎng) [N]. 。所以解決封裝問(wèn)題是功率型 LED 封裝的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。特別要注意大功率 LED 通過(guò)的電流大， 1WLED 的電流一般為 350mA，所以連接時(shí)要用粗金絲 。 該封裝技術(shù) 常用 的生產(chǎn)設(shè)備主要有固晶機(jī)、焊線機(jī)、烤箱、電子秤、分光機(jī)、包裝機(jī)、點(diǎn)膠機(jī)、真空機(jī)等。 塑料帶引線片式載體是 LED 重要的一種封裝形式。 ～ 120176。負(fù)極用銀漿粘接在支架反射杯 內(nèi)或用金絲和反射杯引腳相連，然后頂部用環(huán)氧樹(shù)脂包封。其中，照明級(jí)芯片制備技術(shù)是今后研究的重中之重，它直接影響半導(dǎo)體照明的發(fā)展進(jìn)程。 LED 的芯片技術(shù) LED 的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是一種非常復(fù)雜的系統(tǒng)工程，其內(nèi)容涉及以提高注入效率和光效為目的的電致發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、以提高光學(xué)出光效率為目的的光引出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和與光效密切相關(guān)的電極設(shè)計(jì)等。 目前有很多種方法可以實(shí)現(xiàn)外延材料的生長(zhǎng)，其中包括液相外延（ LPE）、氣相外延（ VPE）、分子束外延（ MBE）和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（ MOCVD）外延等。外延層與襯底材料可以相同，也可以不同。 氮化鎵（ GaN） 是用于生長(zhǎng) GaN 外延層的最理 制備非常困難，且價(jià)格高，使芯片制造 退火、光刻、刻蝕、金屬電極蒸發(fā)、合金化、介質(zhì)膜 在線芯片測(cè)試（光學(xué)、波長(zhǎng)、 亮度 、電學(xué)） 封裝 磨片 劃片（切片） 目檢 分選 包裝 貼片 引線 目檢 注膠 檢測(cè) 老化
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