led生產(chǎn)線設(shè)計(jì)-wenkub
2022-12-14 18:08:54 本頁面
【正文】 。其中比較側(cè)重的介紹了 LED 的封裝技術(shù)工藝。 2021 字。 重慶科技學(xué)院學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 文 獻(xiàn) 綜 述 題目 LED 生產(chǎn)工藝現(xiàn)狀 院（系） 冶金與材料工程學(xué)院 專業(yè)班級(jí) 無機(jī) 普 202101 學(xué)生姓名 黎朝進(jìn) 學(xué)號(hào) 2021440417 指導(dǎo)教師（簽字） 文獻(xiàn)綜述要求 出的一種學(xué)術(shù)論文。其所附注釋、參考文獻(xiàn)格式要求同正文。 關(guān)鍵詞： LED， LED 封裝， LED應(yīng)用 a) b) 1 引言 LED，即發(fā)光二極體，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的半導(dǎo)體。在 20世紀(jì) 80年代前， LED 主要作為指示燈使用，從起 光色上來看只有紅光、橙光、黃光和綠光等幾種。 1996 年由日本Nichia 公司（日亞）成功開發(fā)出白色 LED。 LED 近年來的發(fā)展 近年來， 全球高 亮 LED 產(chǎn)業(yè)的集中 度 高， 2021 年， Nichia、 Osram、 Citizen、Stanely、 Lumileds 五大廠家市場(chǎng)占有 率 約達(dá) 56%。 中國臺(tái)灣晶元光電 合并后的新晶電在 GaN 基藍(lán)、綠光外延、芯片和四元系 AIGaInp 的外延、芯片，月產(chǎn)能分別為世界第一。長三角、珠三角、閩三角以及北方地區(qū)，成為大陸 LED 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的聚集地，已初步形成有優(yōu)勢(shì)、有配套能力、有公共測(cè)試服務(wù)的產(chǎn)業(yè)集群，有效帶動(dòng)了大陸LED 整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。常見的襯底材料主要有：藍(lán)寶石（ Al2O3）、碳化硅 （ SiC）、硅（ Si）、氮化鎵（ GaN）、砷化鎵（ GaAs）、氧化鋅（ ZnO） 。 碳化硅（ SiC） 化學(xué)穩(wěn)定性好，不吸收可見光，有優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性等。 氮化鎵（ GaN） 是用于生長 GaN 外延層的最理 制備非常困難，且價(jià)格高，使芯片制造 退火、光刻、刻蝕、金屬電極蒸發(fā)、合金化、介質(zhì)膜 在線芯片測(cè)試（光學(xué)、波長、 亮度 、電學(xué)） 封裝 磨片 劃片（切片） 目檢 分選 包裝 貼片 引線 目檢 注膠 檢測(cè) 老化 包裝 入庫 材料制備 襯底 GaAs 藍(lán)寶石SiC 外延片生長 MOCVD 外延片生長 光學(xué) 電學(xué) 測(cè)試表面 高純氮 /氨 三甲基鎵 二乙基銦 快速結(jié)果檢驗(yàn)及對(duì) MOCVD 生長的反饋 想的襯底。 吸光材料，影響 LED 的發(fā)光率。外延層與襯底材料可以相同，也可以不同。 ② 可獲得高電導(dǎo)率的 P型和 N型晶體，以制備優(yōu)良的 PN 結(jié)。 目前有很多種方法可以實(shí)現(xiàn)外延材料的生長，其中包括液相外延（ LPE）、氣相外延（ VPE）、分子束外延（ MBE）和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（ MOCVD）外延等。 加熱和溫度控制 反應(yīng)器 計(jì)算機(jī)控制、安全控制 氣體輸送 廢氣處理 圖 2 MOCVD設(shè)備系統(tǒng)框圖 [5] 其設(shè)備的主要特點(diǎn)是： ，可以通過精確的控制各種源和摻雜劑氣體流量來控制外延層的組分、摻雜濃度和厚度等。 LED 的芯片技術(shù) LED 的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是一種非常復(fù)雜的系統(tǒng)工程，其內(nèi)容涉及以提高注入效率和光效為目的的電致發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、以提高光學(xué)出光效率為目的的光引出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和與光效密切相關(guān)的電極設(shè)計(jì)等。為 LED 照明的普及作出重要貢獻(xiàn)，但目前該技術(shù)仍
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