led生產(chǎn)線設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 包裝 入庫(kù) 材料制備 襯底 GaAs 藍(lán)寶石SiC 外延片生長(zhǎng) MOCVD 外延片生長(zhǎng) 光學(xué) 電學(xué) 測(cè)試表面 高純氮 /氨 三甲基鎵 二乙基銦 快速結(jié)果檢驗(yàn)及對(duì) MOCVD 生長(zhǎng)的反饋 想的襯底。常見(jiàn)的襯底材料主要有：藍(lán)寶石（ Al2O3）、碳化硅 （ SiC）、硅（ Si）、氮化鎵（ GaN）、砷化鎵（ GaAs）、氧化鋅（ ZnO） 。 中國(guó)臺(tái)灣晶元光電 合并后的新晶電在 GaN 基藍(lán)、綠光外延、芯片和四元系 AIGaInp 的外延、芯片，月產(chǎn)能分別為世界第一。 1996 年由日本Nichia 公司（日亞）成功開(kāi)發(fā)出白色 LED。 關(guān)鍵詞： LED， LED 封裝， LED應(yīng)用 a) b) 1 引言 LED，即發(fā)光二極體，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的半導(dǎo)體。 重慶科技學(xué)院學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 文 獻(xiàn) 綜 述 題目 LED 生產(chǎn)工藝現(xiàn)狀 院（系） 冶金與材料工程學(xué)院 專(zhuān)業(yè)班級(jí) 無(wú)機(jī) 普 202101 學(xué)生姓名 黎朝進(jìn) 學(xué)號(hào) 2021440417 指導(dǎo)教師（簽字） 文獻(xiàn)綜述要求 出的一種學(xué)術(shù)論文。其中比較側(cè)重的介紹了 LED 的封裝技術(shù)工藝。直 到 1994 年，藍(lán)色、綠色 LED 才研制成功。 德國(guó) Osram 光電公司 歐洲最大的 GaN 基藍(lán)、率 LED 外延、芯片及白光 LED 的廠商 南韓首爾半導(dǎo)體 Seoul Semiconductor GaN 基藍(lán)、綠光 LED，目前技術(shù)指標(biāo)較高。 圖 1 LED 基本工藝流程 材料制備 半導(dǎo)體器件的襯底材料也稱(chēng)為基片材料，外延層都是在襯底材料上生長(zhǎng)獲得的。 與 GaN 外延層與 Si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配，在生長(zhǎng)過(guò)程中容易形成非晶 氮化硅（ SiN）。 表 1 各種襯底材料 LED 的外延工藝技術(shù) 外延的主要目的是指在襯底基片上向外拓延生長(zhǎng)一定厚度的半導(dǎo)體薄層。 主要的幾種外延材料： AlInGaP、 GaN、 AlInGaN、 AlGaAs 等。 ，可減小外延生長(zhǎng)過(guò)程中的存儲(chǔ)效應(yīng)和過(guò)渡效應(yīng)，異質(zhì)界面能夠?qū)崿F(xiàn)但原子層突變，適合超薄結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)。根據(jù)目前 LED芯片技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，該領(lǐng)域未來(lái)研發(fā)的重點(diǎn)主要包括襯底剝離技術(shù)、表面粗化技術(shù)、基于二維光電子晶體的微結(jié)構(gòu)技術(shù)、倒裝芯片技術(shù)、全方位反射膜技術(shù)、芯片表面處理技術(shù)、提高側(cè)向出光效率技術(shù)及大功率大尺寸芯片制造技術(shù)等幾個(gè)方面。芯片的正極用金絲鍵合連到另一引線架上。通常環(huán)氧樹(shù)脂的直徑有 、 、 和 等規(guī)格，發(fā)光角（ 2θ 1/2）的范圍可達(dá) 18176。廣泛用于手機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)等。本設(shè)計(jì)主要是 SMD3528 產(chǎn)品的封裝。 這種封裝 應(yīng)在絕緣體下表面用一種導(dǎo)熱（絕緣）膠把 LED 芯片與熱沉黏合，上面把兩個(gè)電極用金絲焊出。如果熱量不能有效散出，則會(huì)導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高，引起熱應(yīng)力分布不均勻，芯片發(fā)光效率和熒光粉激射效率下降?，F(xiàn)在我國(guó)科技部已經(jīng)同意開(kāi)展“十城萬(wàn)盞”半導(dǎo)體照明應(yīng)用工程試點(diǎn)工作 [12]LED 產(chǎn)業(yè)必將蓬勃發(fā)展。是現(xiàn)在最合適的封裝大功率的材料 [11]。 在封裝大功率
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