n阱cmos工藝課件-文庫(kù)吧資料
2025-03-17 07:45本頁(yè)面
【正文】 一層金屬上淀積保護(hù)層 。 ? 由于 As的擴(kuò)散系數(shù)小。 采用一步調(diào)節(jié)方法 重新生長(zhǎng)二氧化硅（柵氧） 光刻 3，刻多晶硅掩膜版 柵氧 場(chǎng)氧 ⑥ 多晶硅淀積和光刻 光刻 3，刻多晶硅掩膜版 多晶硅 刻蝕多晶硅 光刻 3，刻多晶硅掩膜版 掩膜版 ⑦ 源 /漏注入 ? 現(xiàn)在完成的多晶硅柵可作為 NMOS管和PMOS管的源 /漏自對(duì)準(zhǔn)注入的掩模版。 氮化硅的刻蝕 光刻 2，刻有源區(qū)掩膜版 二氧化硅 掩膜版 溝道終止注入 ? P型外延場(chǎng)區(qū)接受 P型的溝道終止注入，而 N阱場(chǎng)區(qū)接受 N型溝道終止注入，這里包含大面積硼注入和選擇性磷注入 場(chǎng)氧的生長(zhǎng) 光刻 2，刻有源區(qū)掩膜版 二氧化硅 氮化硅 掩膜版 去除氮化硅 光刻 3，刻多晶硅掩膜版 FOX ⑤ 閾值調(diào)整 ? 目的為了讓 PMOS和 NMOS管擁有相同的閾值電壓絕對(duì)值。芯片上的局部氧化區(qū)域稱(chēng)為場(chǎng)區(qū)，而被保護(hù)未形成氧化層的區(qū)域稱(chēng)為有源區(qū)。 ③ N阱擴(kuò)散 ? 使用 N阱掩模版對(duì)甩在氧化層上的光刻膠進(jìn)行光刻。理論上 CMOS工藝不需要外延層，因?yàn)?MOS管可以直接在 P型襯底上形成。N阱 CMOS工藝 ① 初始材料 ? CMOS集成電路通常制造在盡可能重?fù)诫s硼的 P型（ 100）襯底上以
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