n阱cmos工藝課件(已修改)
2025-03-21 07:45 本頁面
【正文】 N阱 CMOS工藝 ① 初始材料 ? CMOS集成電路通常制造在盡可能重摻雜硼的 P型（ 100）襯底上以減小襯底電阻 ,防止閂鎖效應。 ② 外延生長 ? CMOS工藝的第一步是在襯底上生長一層輕摻雜的 P型外延層，比標準雙極工藝采用的外延層薄很多。理論上 CMOS工藝不需要外延層，因為 MOS管可以直接在 P型襯底上形成。外延工藝增加了成本，但是采用 P+襯底可以提高抗閂鎖效應的能力。 ③ N阱擴散 ? 使用 N阱掩模版對甩在氧化層上的光刻膠進行光刻。 ③ N阱注入 光刻 1， 刻 N阱掩膜版 氧化層 PSUB 曝 光 光刻 1， 刻 N阱掩膜版 光刻膠 掩膜版 氧化層的刻蝕 光刻 1， 刻 N阱掩膜版 N阱注入 光刻 1， 刻 N阱掩膜版 形成 N阱 N阱 PSUB ④ 場區(qū) LOCOS （局部氧化） ? 基本 CMOS工藝采用 LOCOS技術(shù)選擇性地生長厚氧化層，只在形成源器件的區(qū)域留下薄的緩沖氧化層。芯片上的局部氧化區(qū)域稱為場區(qū)，而被保護未形成氧化層的區(qū)域稱為有源區(qū)。 LOCOS工藝首先在整個晶圓上淀積一層氮化硅，然后用反型槽掩模版光刻氮化硅，最后采用選擇性可是除去場區(qū)上的氮化層。 氮化硅的刻蝕 光刻 2，刻有源區(qū)掩膜版 二氧化硅 掩膜版 溝道終止
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