會(huì)聚束電子衍射(ppt66頁)-文庫吧資料
2025-02-28 10:53本頁面
【正文】 ?D?11rrxx??? ??? ?Dr ?D ? DB’’ 應(yīng)變 SiPMOSFET中的應(yīng)變分析 1 sin(2 )2? ? ??D?Dr?D ? D444 cD D DD?D ?D111 111sin ( )c yxDD? ? qD?440 220 220()yx DD?q?D130nm柵長(zhǎng) (3)， P點(diǎn)應(yīng)變－ % 11xx??? ??? ?Beijing National Laboratory of condensed matter physics Beijing Laboratory of Electron Microscopy BLEM [001] CBED pattern of Si g=220 g=220 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定 點(diǎn)陣消光 不消光條件（ n為整數(shù)） 相應(yīng)的點(diǎn)陣 h+k+l=2n 體心 h+k=2n C心 h+l=2n B心 k+l=2n A心 h,k,l全奇或全偶 面心 h+k+l=3n 六角點(diǎn)陣（菱面體坐標(biāo)） 結(jié)構(gòu)消光 不消光條件（ n為整數(shù)） 相應(yīng)的對(duì)稱元素 k=2n （ 100）滑移面，滑移分量 b/2 k+l=2n （ 100）滑移面，滑移分量 b/2+c/2， n滑移 k+l=4n （ 100）滑移面，滑移分量 b/4177。 90186。C 5186。C 5186。C ）： BaTiO3四方晶胞在 a面上的投影 室溫下為四方相 a= c= c/a= Tc=120186。 nbg ????Si [110]帶軸 g=440,b=[110]/2 =4,分裂成五段 ,有四個(gè)節(jié)點(diǎn) 模擬的螺位錯(cuò)造成的 ZOLZ線分裂 位錯(cuò)的 Burgers矢量的測(cè)定 (a) (b) (b) epoxy g 1100 AlN 6 (a) 2 1 InN g 0002 200nm GaN Al2O3 AlN 6 3 4 5 7 Microstructure of InN/GaN grown on Al2O3 LACBED of InN/GaN grown on Al2O3 位錯(cuò)的 Burgers矢量的測(cè)定 g=0006 GaN 極性的測(cè)定 g=0002 g= 0002 0002 0002 立方相（ 1460186。 nbg ????如果我們能在離焦會(huì)聚束電子衍射圖中，找到 3條都穿過位錯(cuò)線，但不屬于同一個(gè) Laue帶的衍射線，則可根據(jù)衍射線與位錯(cuò)線相互作用的分裂情況，列出三個(gè)線性無關(guān)的方程， 解這個(gè)方程組即可確定位錯(cuò)的 Burgers矢量。 在實(shí)際上，可以嘗試用不同的 n來作圖，如果 呈直線 關(guān)系，即為正確的 n。 但是 s＝ 0時(shí)， x并不一定 為 0， 即 n是待定的，只能用作圖法近似地求解此方 程，求出樣品的厚度。會(huì)聚束電子衍射 convergentbeam electron diffraction (CBED) 選區(qū)電子衍射和會(huì)聚束電子
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