會聚束電子衍射(ppt66頁)(已修改)
2025-03-04 10:53 本頁面
【正文】 會聚束電子衍射 convergentbeam electron diffraction (CBED) 選區(qū)電子衍射和會聚束電子衍射 （ SAED） （ CBED） spots disks lens sample Parallel beam Convergent beam T D T D Convergence angle objective SAED CBED Spatial resolution ?m Spatial resolution beam size 菊池 衍射圖和會聚束電子衍射圖 Kikuchi band Kikuchi lines Kikuchi band 菊池圖花樣 Kikuchi （ 1928） Pattern ? 形成機理： – 透射電子的非相干散射構成衍射花樣的背底強度 – 非相干散射電子被晶面的Bragg衍射造成背底強度重新分配：菊 池 亮－暗線對 – 亮線對應小角度非相干散射電子的 Bragg衍射 – 暗線是小角度非相干散射電子的 Bragg衍射引起的背底強度減弱 ? 特征： – 亮－暗線對的夾角＝ 2q – 亮－暗線對的方向＝對應晶面的取向（可用來定入射束與晶面的夾角） 亮線 暗線 qB 2qB qB qB qB 樣品 物鏡 選區(qū)光欄 物面 后焦面 像面 樣品的共軛面 A B A’ B’ 選區(qū)電子衍射光路圖 樣品 物鏡 選區(qū)光欄 物面 后焦面 像面 會聚束電子衍射光路圖 a 會聚束電子衍射衍射線形成示意圖 SOLZ FOLZ ZOLZ a 會聚束電子衍射中高階勞厄線 （ HOLZ線）的形成 亮線 暗線 衍射盤 透射盤 樣品 物鏡 選區(qū)光欄 物面 后焦面 像面 樣品的共軛面 DS 大角度會聚束電子衍射 （ LACBED） 光路示意圖 Si[100]帶軸 LACBED花樣 (透射盤 ) LACBED 可以研究晶體的對稱性，幫助傾轉晶體，確定晶體的取向，HOLZ線的交叉點和相互位置對晶格常數(shù)十分敏感 , 可以分析得到微區(qū)的晶格參數(shù)，研究晶體缺陷，局部應變 . Si[102]帶軸 LACBED花樣 (透射盤 ) 欠焦和過焦 LACBED圖中陰影像 樣品 物鏡 選區(qū)光欄 物面 后焦面 像面 樣品的共軛面 DS 離焦會聚束電子衍射光路示意圖 樣品厚度的會聚束電子衍射測量 電子顯微鏡高壓的測量 晶體點陣常數(shù)的精確測定 位錯的會聚束電子衍射 (CBED)分析 晶體極性 的會聚束電子衍射 (CBED)分析 應變的會聚束電子衍射 (CBED)分析 晶體對稱群的會聚束電子衍射測定 會聚束電子衍射的模擬計算 定量會聚束電子衍射 CBED的主要應用 雙束條件下，完整晶體的衍射盤中的強度分布可以寫成 由式可以看出，當 x=0時，衍射強度 ID達到主極大值，其余次極大的位置分別在 x1=， x2=， … ，當 x=n時， n 為自然數(shù)，達到極小值 0。因此在測量中選擇衍射極小的位置比較方便。 但是 s＝ 0時， x并不一定 為 0， 即 n是待定的，只能用作圖法近似地求解此方 程，求出樣品的厚度。如果選擇的 n是正確的，用 對 作圖，那么應該得 到一條直線，其斜率為 ，截距為 ，即可求得樣品的消光距離和厚度。 在實際上，可以嘗試用不同的 n來作圖，如果 呈直線 關系，即為正確的 n。 I t xxDg? ( ) sin ( )( )?? ??2 2 2 x t sg g? ?2 21?sn n tgii g i22 2 2 21 1 1? ? ? ??sngii2212ni12?g 12t樣品厚度的會聚束電
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