會(huì)聚束電子衍射(ppt66頁(yè))-wenkub
2023-03-15 10:53:16 本頁(yè)面
【正文】 類型疇 極化方向采取“頭對(duì)尾”的排列方式 BaTiO3單晶中鐵電疇極性的確定 C方向 +2%的應(yīng)變 C方向 2%的應(yīng)變 應(yīng)變的會(huì)聚束電子衍射 (CBED)測(cè)量 應(yīng)變的會(huì)聚束電子衍射 (CBED)分析 ()()Bdtgddtgdqq??DD ? ?DD?晶面傾轉(zhuǎn)引起的衍射線的變化 Ge PAI應(yīng)變誘導(dǎo)工藝方法 中科院微電子所的徐秋霞研究員提出了一種簡(jiǎn)單，低成本的應(yīng)變誘導(dǎo)工藝：鍺預(yù)非晶化源漏區(qū)離子注入工藝 (GePAI)，在 PMOSFET器件溝道中引入很大的單軸壓應(yīng)變，實(shí)現(xiàn)了空穴載流子遷移率和器件性能的極大增強(qiáng)。C ） 四方相 （ 120186。C 130186。 I t xxDg? ( ) sin ( )( )?? ??2 2 2 x t sg g? ?2 21?sn n tgii g i22 2 2 21 1 1? ? ? ??sngii2212ni12?g 12t樣品厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)量 22igins12ni12?g12t 斜率為 0 樣品厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)量 222 Bxs g g gxqq ? ?qDD? D ? ?sn n tgii g i22 2 2 21 1 1? ? ? ??高壓測(cè)量和點(diǎn)陣常數(shù)測(cè)定 電鏡的高壓為 kV, Si的點(diǎn)陣常數(shù)為 ChernsPreston法則 當(dāng)一條衍射線穿過(guò)位錯(cuò)時(shí)，如果 則這條衍射線將分裂成 n+1段。因此在測(cè)量中選擇衍射極小的位置比較方便。 但是 s＝ 0時(shí)， x并不一定 為 0， 即 n是待定的，只能用作圖法近似地求解此方 程，求出樣品的厚度。 nbg ????如果我們能在離焦會(huì)聚束電子衍射圖中，找到 3條都穿過(guò)位錯(cuò)線，但不屬于同一個(gè) Laue帶的衍射線，則可根據(jù)衍射線與位錯(cuò)線相互作用的分裂情況，列出三個(gè)線性無(wú)關(guān)的方程， 解這個(gè)方程組即可確定位錯(cuò)的 Burgers矢量。C ）： BaTiO3四方晶胞在 a面上的投影 室溫下為四方相 a= c= c/a= Tc=120186。C 5186。 Q. X. Xu et al EDL27(3) (2023), 179181 PMOSFET器件的示意圖 TEM形貌像 EDS分析表明在源漏區(qū)的 Ge含量為 1% 左右 Ge Ge 應(yīng)變 SiPMOSFET中的應(yīng)變分析 壓應(yīng)變測(cè)量示意圖 1 sin (2 )2r? ? ??D?11rrxx??? ??? ?Dr ?D ? DB’’ 應(yīng)變 SiPMOSFET中的應(yīng)變分析 1 sin(2 )2? ? ??D?Dr?D ? D444 cD D DD?D ?D111 111sin ( )c yxDD? ? qD?440 220 220()yx DD?q?D130nm柵長(zhǎng) (3)， P點(diǎn)應(yīng)變－ % 11xx??? ??? ?Beijing National Laboratory of condensed matter physics Beijing Laboratory of Electron Microscopy BLEM [001] CBED pattern of Si g=220 g=220 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定 點(diǎn)陣消光 不消光條件（ n為整數(shù)） 相應(yīng)的點(diǎn)陣 h+k+l=2n 體心 h+k=2n C心 h+l=2n
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