【正文】 。n 笑氣常溫下為 無(wú)色氣體，略帶甜味，吸入能使人狂笑，是一種氧化劑 。使用中需要注意不同批號(hào)的產(chǎn)品不要混合使用。n 當(dāng)氨氣大規(guī)模泄漏時(shí)，工作人員需要穿全身防護(hù)服，并立即隨時(shí)意識(shí)到潛在的火災(zāi)和爆炸危險(xiǎn)。n 氨氣具有 可燃性 ，會(huì)嚴(yán)重灼傷眼、皮膚及呼吸道。69氨氣n 氨氣是合成絕緣層和保護(hù)膜的反應(yīng)氣體；分子量 比重 沸點(diǎn) － ℃ l個(gè)大氣壓冰點(diǎn) /熔點(diǎn) ℃ l個(gè)大氣壓氣體密度 lb .(ft)－ 3 ℃水溶性 蒸氣壓 lbn 重復(fù)暴露在低濃度磷烷中，產(chǎn)生的癥狀包括支氣管炎、厭食、神經(jīng)系統(tǒng)問(wèn)題，以及類(lèi)似于急性中毒的癥狀。多次暴露的會(huì)潛在影響健康。n 聽(tīng)到報(bào)警，工作人員必須迅速撤離現(xiàn)場(chǎng)。氣瓶上要明確記載氣體名稱(chēng)、生產(chǎn)公司的產(chǎn)品編號(hào)、純度、填充日期等。不同批次的產(chǎn)品不要混淆。n 磷烷氣體純度要求在 %以上，工藝載氣氫氣的純度要求在 %以上。 m 2 ℃65n 磷烷雖然是一種 劇毒氣體 ，但是在 TIT制作工藝中，生產(chǎn)是在安全條件下進(jìn)行的。64磷烷n 磷烷是制作 n+非晶硅的反應(yīng)氣體，其 外觀無(wú)色，比空氣重，并有類(lèi)似臭魚(yú)的味道 ，氣體經(jīng)壓縮液化后運(yùn)輸 。n 在 TFT制造中采用的是高純度的硅烷，對(duì)一氧化碳、二氧化碳、甲烷和水的含量都要求小于 ppm。一級(jí)報(bào)警濃度為 ppm；二級(jí)報(bào)警濃度為 ppm。n 在高濃度純氣體狀況下，因其泄漏可能燃燒成大量的二氧化硅(Si02 ) 粉塵，因此可以推薦采用硅烷 +二氧硅 (SiH4+SiOz)復(fù)合型的檢測(cè)器和紫外 /紅外 (UV/IR)監(jiān)測(cè)器。n 實(shí)際上，在工作環(huán)境中允許濃度是采用 5ppm的基準(zhǔn)測(cè)定的。溶解在二硫化碳中的硅烷遇到空氣也可發(fā)生爆炸。對(duì)幾乎所有的金屬無(wú)腐蝕性。n 因此， 對(duì)硅烷不能使用氟利昂滅火劑。在氧氣中燃燒產(chǎn)物為粉狀氧化硅和水。n 硅烷在氬氣中含 2%、氮?dú)庵泻?%、氫氣中含 1%時(shí)，它仍能著火。分子量 32. 118熔點(diǎn) ℃ 101. 325 kPa沸點(diǎn) 111. 5 ℃ 101. 325 kPa液體密度 711 kg .m－ 3 － 185 ℃氣體密度 1. 42 kg .m－ 3 O ℃ ， 100 kPa比容 (kg） l ℃ ，101. 325 kPa臨界溫度 － ℃蒸氣壓 kPa 163 ℃1 040 kPa 60 ℃4 150 kPa 10 ℃黏度 101. 325 kPa， 0 ℃爆炸界限 0. 8%~98%60n 硅烷在常溫常壓下為具有 惡臭的無(wú)色氣體 ；n 在室溫下能著火 ，在空氣或鹵素氣體中發(fā)生爆炸性燃燒 。58n工藝氣體n 硅烷 (SiH4)、n 磷烷 (PH3)、n 氨氣 (NH3)、n 笑氣 (N2O)、n 氮?dú)?(N2)、n 氫氣 (H2)59硅烷（氣）n 硅烷是制作非晶硅和 SiN， SiO的反應(yīng)氣體。57n PECVD方法區(qū)別于其他 CVD方法的特點(diǎn)在于， 等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。56n TFT工藝膜的生長(zhǎng)溫度比較低，需引入額外的非熱能能量或降低反應(yīng)所需激活能，以得到足夠的反應(yīng)能量。n 低壓化學(xué)氣相沉積 (low pressure chemical vapor deposition， LPCVD)。n 廢氣處理系統(tǒng)一定要達(dá)到國(guó)家環(huán)境保護(hù)條件要求，否則不能投入運(yùn)行。54n 因?yàn)?CVD使用的工藝氣體有些是有毒的，有的甚至是劇毒，而且易燃易爆，因此必須要有完善的氣體監(jiān)測(cè)與報(bào)警系統(tǒng)。52n 在 TFT陣列工藝中， PECVD中的化學(xué)反應(yīng)主要是n SiH4+H2生成 aSin SiH4+NH3+N2生成 SiNx 53n 圖 CVD成膜的二維模型，氣流平行于玻璃基板表面。51化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理n 化學(xué)氣相沉積技術(shù) 是利用熱能、等離子放電、紫外光照射等形式的能源或上述能源形式的綜合利用，使氣態(tài)物質(zhì)在灼熱的固體熱表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積，形成穩(wěn)定的固態(tài)物質(zhì)膜的工業(yè)過(guò)程 。 50TFTLCD設(shè)計(jì)及制作CVDn 在 TFT制備中一共有 4層非金屬膜需要采用化學(xué)氣相沉積工藝完成，n 金屬柵極的絕緣層 (SiNx， SiO2 )、n 非晶硅層 (aSi)，n n+非晶硅層 (n+aSi)和n 最后的保護(hù)層 (SiNx， SiO2 )。n 缺點(diǎn)n 設(shè)備復(fù)雜、昂貴。 n 離子源獨(dú)立存在、單獨(dú)設(shè)定容易。n (注 :使原材料離子化而射向基板的手法被稱(chēng)為離子注入法、而不是濺射。離子束濺射不采用放電現(xiàn)象。 n 從離子槍 (產(chǎn)生離子并加速的設(shè)備 )發(fā)射出來(lái)的高速離子照射靶材使其濺射后堆積在基板上成膜?，F(xiàn)在一般采用反應(yīng)濺射法成膜。n 在 TFTLCD工業(yè)中，彩膜黑矩陣的氧化鉻 /鉻 (CrOx/Cr)膜要求對(duì)可見(jiàn)光吸收性好、反射率低。47n 化合物靶材是針對(duì)要得到的化合物薄膜，制作與其成分相一致的靶材。n 使用純金屬 (合金 )靶材進(jìn)行成膜時(shí)，成膜氣體必須采用氬和反應(yīng)性氣體的混合氣體。反應(yīng)性氣體流量對(duì)于膜的生長(zhǎng)速度和膜質(zhì)都會(huì)產(chǎn)生影響。 45n(4).反應(yīng)性濺射 n 在氬氣中添加反應(yīng)性氣體，通過(guò)濺射得到化合物薄膜的方法稱(chēng)作反應(yīng)性濺射（ reactive sputter）。 n 濺射量大。 44n特征 n 也可使用高頻電源。 n 3：因?yàn)榘兄車(chē)写艌?chǎng)、電子沿磁力線做螺旋運(yùn)動(dòng)。43磁控濺射n 1：成膜基板和靶近距離配置、靶材的后面安裝有磁鐵。 n 磁控濺射因?yàn)樘岣吡朔烹娦?，得到比較高的濺射率，可以在工藝氣體壓力較低的情況下工作，減小了氣體對(duì)膜質(zhì)的影響，且具有成膜均一性好、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn)，所以在生產(chǎn)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。41射頻濺射的優(yōu)點(diǎn)n 可以濺射二氧化硅等絕緣膜射頻濺射的缺點(diǎn)n 對(duì)基板損傷大n 相同功率下，濺射速率只有 DC濺射的一半n 設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜42n（ 3）磁控濺射 n 為了克服 DC濺射在高真空情況下由于氣體分子密度過(guò)低而導(dǎo)致放電不能持續(xù)維持的問(wèn)題， 在陰極靶材內(nèi)側(cè)設(shè)置一個(gè)磁場(chǎng)，可以使電子在陰極表面作螺旋狀前進(jìn)的運(yùn)動(dòng) ，這樣，即使氣體分子密度很小，但由于電子在靶材附近運(yùn)動(dòng)的時(shí)間延長(zhǎng)，因此電子密度相對(duì)增大，同樣可以保證和氣體的碰撞次數(shù)，從而解離氣體產(chǎn)生等離子體，使放電持續(xù)進(jìn)行。 n 5：靶一側(cè)的電子沒(méi)有流通渠道、使電子密度升高。n 3：因?yàn)槭墙涣麟妷海詭щ娏Ｗ拥募铀俜较螂S電壓而變。40（ 2）射頻濺射（ RF）n 1：靶和成膜基板近距離配置。通過(guò)這個(gè)偏壓轟擊靶材建立的平衡稱(chēng)為自偏壓 vdc。n 在射頻電源交變電場(chǎng)作用下，氣體中的電子隨之發(fā)生振蕩，并使氣體電離為等離子體，在射頻濺射中，電子的運(yùn)動(dòng)速度比離子更高，一個(gè)周期入射到靶材上的電子數(shù)量比離子要多。n 不可以濺射絕緣膜。因?yàn)楦邷乜赡軙?huì)損傷基板。比如說(shuō)成長(zhǎng)的薄膜和殘留氣體發(fā)生 化學(xué)反應(yīng)，或薄膜中有氣泡等。 n 5：被濺射出來(lái)的靶材的粒子到達(dá)成膜基板上成膜。n 3：電子和離子在高電壓下高速運(yùn)動(dòng)，離子撞擊靶材，高速運(yùn)動(dòng)的電子和離子與氣體分子碰撞，產(chǎn)生更多的離子。n 1：成膜基板和膜靶材近距離配置。粗抽泵也有使用干泵的。n 排氣泵可以采用低溫泵、分子泵等。34n 在濺射工藝中真空技術(shù)非常重要，工藝室抽成真空，一方面可防止陰極、靶材氧化以及控制和消除大氣中雜質(zhì)的影響 。沖擊能量要大于 100 eV才比較有效。 RF用于絕緣體成膜， DC用于金屬成膜。壓力對(duì)膜的致密性、膜的均勻性和成膜的速率都有影響，在壓力達(dá)到 102 Pa時(shí)會(huì)產(chǎn)生輝光放電。在大氣壓下比較容易控制膜的質(zhì)量。n 公共電極 的氧化銦錫 (ITO)金屬膜29 濺射原理n 濺射主要是一種金屬成膜的方法，該方法利用高能量電子的解離作用，使濺射氣體離化形成等離子體 (如果是直流濺射，這時(shí)候伴有輝光放電現(xiàn)象發(fā)生 ) ，氣體等離子體在電場(chǎng)的加速下轟擊靶材，使靶材原子濺射轉(zhuǎn)移到基板表面形成致密的薄膜 。23TFTLCD設(shè)計(jì)及制作各種常用的基板清洗方法的比較清洗方法 優(yōu)點(diǎn) 缺點(diǎn)濕式化學(xué)清洗 ●去除金屬離子及可溶性不純物 ●去除微粒效果不佳●會(huì)增加表面的微塵數(shù)刷洗 ●去除大顆粒微塵非常有效●適合清洗疏水性的基板表面不適合去除有圖案的表面，會(huì)損傷基板高壓噴淋