【正文】 /秒。目前，該公司在上海建有一座 300mm芯片廠和三座 200mm芯片廠；在北京建有兩座 300mm芯片廠 ,在天津建有一座 200mm芯片廠，在深圳有一座200mm芯片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。整個計劃的目標(biāo)是通過 68年的努力，培養(yǎng) 4萬名集成電路設(shè)計人才和 1萬名集成電路工藝人才。 2023年 8月，教育部又批準(zhǔn)了北航、西安交大、哈工大、同濟(jì)、華南理工和西北工大等六所高校為人才培養(yǎng)基地的建設(shè)單位，并同意北工大和中山大學(xué)開展籌建工作。其中操作系統(tǒng) ，數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng) 2億元，重大應(yīng)用共性軟件及示范 1億元，軟件技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系和軟件技術(shù)創(chuàng)新體系 5000萬元。中國華大集成電路設(shè)計中心 75 ? 2023年 03月，國務(wù)院第 300號令頒布《集成電路布圖設(shè)計保護(hù)條例》，2023年 10月 1日起施行； ? 2023年 09月，國務(wù)院發(fā)布國辦函 [2023]51號函，對集成電路產(chǎn)業(yè)政策作了補(bǔ)充和完善； ? 2023年 07月，科技部批復(fù)國家重大科技專項“超大規(guī)模集成電路和軟件（軟件部分）”，該專項正式啟動； ? 注釋：該軟件專項的總體目標(biāo)為研制包括系統(tǒng)軟件（操作系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫管理軟件）、中間件平臺和重大應(yīng)用軟件在內(nèi)的中國自主網(wǎng)絡(luò)軟件核心平臺。 ? 2023年： intel酷睿 i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的 32納米工藝 ? 2023年： intelP1270 22納米 ? 近日 Intel布了旗下未來處理器生產(chǎn)工藝藍(lán)圖，其中首先將在年底登場的22nm工藝將在多個工廠實現(xiàn)量產(chǎn)，而在 2023年出現(xiàn) 14nm工藝技術(shù)，到2023年則會有 10nm工藝。 ? 2023年： intel 酷睿 2系列上市，采用 65nm工藝。m transistor size Human hair Red blood cell Bacteria Virus 67 No plete technological solution available !!! Physical gate length in nm Year Gate Source Drain silicide metal metal channel gate oxide We are here. ITRS, the International Technology Roadmap for Semiconductors: Source Drain 68 ? 1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個里程碑； 1950年：結(jié)型晶體管誕生； 1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝； 1951年：場效應(yīng)晶體管發(fā)明； 69 ? 1956年： C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝； 1958年：仙童公司 Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史； 1960年： H H Loor和 E Castellani發(fā)明了光刻工藝； 1962年：美國 RCA公司研制出 MOS場效應(yīng)晶體管； ? 1963年： CMOS技術(shù)，今天， 95%以上的集成電路芯片都是基于 CMOS工藝； 70 ? 1964年： Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測晶體管集成度將會每 18個月增加 1倍； 1966年：美國 RCA公司研制出 CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（ 50門）； 1967年：應(yīng)用材料公司（ Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司； 1971年： Intel推出 1kb動態(tài)隨機(jī)存儲器（ DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)； 71 ? 1971年：全球第一個微處理器 4004由 Intel公司推出，采用的是 MOS工藝，這是一個里程碑式的發(fā)明； 1974年： RCA公司推出第一個 CMOS微處理器1802； 1976年： 16kb DRAM和 4kb SRAM問世； 1978年： 64kb動態(tài)隨機(jī)存儲器誕生，不足 平方厘米的硅片上集成了 14萬個晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（ VLSI）時代的來臨； 1979年： Intel推出 5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于 8088推出全球第一臺 PC； 72 ? 1981年： 256kb DRAM和 64kb CMOS SRAM問世； 1984年：日本宣布推出 1Mb DRAM和 256kb SRAM； 1985年： 80386微處理器問世， 20MHz； 1988年： 16M DRAM問世， 1平方厘米大小的硅片上集成有 3500萬個晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（ ULSI）階段； 1989年： 1Mb DRAM進(jìn)入市場； 1989年： 486微處理器推出， 25MHz， 1μm工藝，后來50MHz芯片采用 ； ? 1992年： 64M位隨機(jī)存儲器問世； 1993年： 66MHz奔騰處理器推出 ,采用 ； 73 ? 1995年 :Pentium Pro, 133MHz，采用 ； 1997年： 300MHz奔騰 Ⅱ 問世 ,采用 ； 1999年：奔騰 Ⅲ 問世， 450MHz，采用 ，后采用 ； 2023年 : 1Gb RAM投放市場； 2023年：奔騰 4問世， ，采用 ； 2023年： Intel宣布 2023年下半年采用 。m 1 181。 2300 134 000 410M 42M 1991 486 174。 2023 Pentium IV 174。 64 65 Explosive Growth of Computing Power Pentium IV 1st transistor 1947 1st electronic puter ENIAC (1946) Vacuum Tuber 1st puter(1832) Macroelectronics Microelectronics Nanoelectronics 66 2023 Itanium 2174。比如，一個針尖上可以容納 3000萬個45毫微米大小的晶體管。 1970年，普爾薩剛剛上市時售價為 2100美元。“ Microma”液晶數(shù)字表是應(yīng)用“系統(tǒng)芯片”技術(shù)的首款產(chǎn)品。 ENIAC使用了 18000個真空管，占據(jù)了整個房間。英特爾公司的 4004微處理器雖然并不是首個商業(yè)化的微處理器，但卻是第一個在公開市場上出售的計算機(jī)元件。于是誕生了歷史上第一個微處理器 4004。 1969年，英特爾公司為日本計算機(jī)公司最新研發(fā)的“ Busi 141PF”計算機(jī)設(shè)計 12塊芯片。 55 摩爾定律（ Moore’ s Law) 技術(shù)節(jié)點 特征尺寸 DRAM 硅集成電路二年（或二到三年）為一代，集成度翻一番，工藝線寬約縮小 30%，芯片面積約增 ， IC工作速度提高 56 57 “ Busi 141PF”計算機(jī) ? 在 20世紀(jì) 60年代，計算機(jī)通常都是笨重的龐然大物。而實際上，每過 12個月芯片上集成的電子元件數(shù)量都會翻一番。早在 1965年，摩爾就曾對集成電路的未來作出預(yù)測。到1965年，美國空軍已超越美國宇航局，成為世界上最大的集成電路消費者。 51 52 集成電路應(yīng)用于導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng) ? 1962年，德州儀器為“民兵 I”型和“民兵 II”型導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)研制 22套集成電路。美國宇航局也開始對該技術(shù)表示了極大興趣。相反，它卻首先引起了軍事及政府部門的興趣。他們被公認(rèn)為集成電路共同發(fā)明者。諾伊斯的方案最終成為集成電路大規(guī)模生產(chǎn)中的實用技術(shù)。在基爾比研制出第一塊可使用的集成電路后，諾伊斯提出了一種“半導(dǎo)體設(shè)備與鉛結(jié)構(gòu)”模型。 47 第一塊單片 IC 48 半導(dǎo)體設(shè)備與鉛結(jié)構(gòu)模型 49 ? 其實，在 20世紀(jì) 50年代，許多工程師都想到了這種集成電路的概念。很明顯，這種做法是不切實際的。當(dāng)時，晶體管的發(fā)明彌補(bǔ)了電子管的不足，但工程師們很快又遇到了新的麻煩。雖然它看起來并不美觀，但事實證明，其工作效能要比使用離散的部件要高得多。用集成電路來裝配電子設(shè)備，其裝配密度相比晶體管可以提高幾十倍至幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時間也可以大大提高。集成電路具有體積小、重量輕、壽命長和可靠性高等優(yōu)點，同時成本也相對低廉，便于進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。這兩根金屬絲尖端很細(xì)，靠得很近地壓在基片上。同時 ,比如銅引線工藝、低 K介質(zhì)材料等新工藝也引起人們研究的興趣。一般講要制造一個可制造的 64 MB DRAM的生產(chǎn)線，需要投資約 10億美元。這樣，可以在其體積不變的情況下，不斷增強(qiáng)集成電路的功能，降低使用的成本。 年代 1995 1998 2023 2023 2023 2023 特征尺寸 /μ m