半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)與pn結(jié)-文庫(kù)吧資料
2025-01-12 03:13本頁(yè)面
【正文】 該半導(dǎo)體時(shí)，電流表的讀數(shù)是 _______。 A． P B． N C． PN D．電子導(dǎo)電AD4．半導(dǎo)體的載流子隨溫度升高而 _______，也就是說(shuō)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度升高而 _______。 A．降低／降低 B．降低／升高 C．升高／降低 D．升高／升高1．用于制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是 _____。P N外電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向V RIS結(jié)論(1) 加正向電壓（正偏） —— 電源正極接 P區(qū)，負(fù)極接 N區(qū)(2) (2) 加反向電壓（反偏） —— 電源正極接 N區(qū)，負(fù)極接 P區(qū) PN結(jié)加正向電壓時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導(dǎo)通； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦??！『谋M層圖 PN 結(jié)加反向電壓時(shí)截止 反向電流又稱 反向飽和電流 。圖 P N什么是 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?？有什么作用？ ? PN 結(jié)加上一個(gè)很小的正向電壓，即可得到較大的正向電流，為防止電流過(guò)大，可接入電阻 R。P NPN結(jié)二、二、 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?. PN結(jié)結(jié) 外加正向電壓時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)又稱正向偏置，簡(jiǎn)稱正偏。 少子的運(yùn)動(dòng)與多子運(yùn)動(dòng)方向相反 阻擋層5. 擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐漸減小；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)， PN 結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。P N （ 動(dòng)畫(huà) 13）3. 空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)P N空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)Uho 空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差 Uho —— 內(nèi)電場(chǎng) ； 內(nèi)電場(chǎng)阻止多子的擴(kuò)散 —— 阻擋層 。 P NPN結(jié)圖 PN 結(jié)的形成一、 PN 結(jié)的形成 PN結(jié) PN 結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)耗盡層空間電荷區(qū)P N1. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 2. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū) 電子和空穴濃度差形成 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體 載流子的數(shù)目 要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持 電中性 。雜質(zhì)原子最外層有 3 個(gè)價(jià)電子， 3與硅構(gòu)成共價(jià)鍵，多余一個(gè)空穴。空穴濃度多于自由電子濃度空穴為多數(shù)載流子 (簡(jiǎn)稱多子）， 電子為少數(shù)載流子 (簡(jiǎn)稱少子 )。雜質(zhì)原子最外層有 5 個(gè)價(jià)電子，其中 4 個(gè)與硅構(gòu)成共價(jià)鍵，多余一個(gè)電子只受自身原子核吸引，在室溫下即可成為自由電子。自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度電子稱為多數(shù)載流子 (簡(jiǎn)稱多子 )
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