半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及二極管-文庫(kù)吧資料
2025-06-27 08:07本頁(yè)面
【正文】 析方法：如果電路中有兩個(gè)二極管，則先將不分析的二極管所在的支路斷開(kāi)，再按前面所學(xué)的方法分析。 vD iD △ iD △ vD DDDdDDDdImVdidvreIsiivrTVDv26)1(/?????????+ △ vD _ △ iD rd ID Q 適用：二極管僅在 VI特性的某一小 范圍內(nèi)工作 230 二、分析方法應(yīng)用 例 1 電路如圖所示，分別用理想模型，恒壓降模型和折線(xiàn)模型來(lái)求電路的 ID和 VD。電池壓降為二極管的門(mén)坎電壓。 iD + vD － iD vD 適用：電源電壓 二極管壓降 適用： iD≥1mA 228 折線(xiàn)模型 認(rèn)為二極管的壓降隨著電流的增加而增加。 二極管基本電路及其分析方法 一、四種建模 理想模型 正向偏置時(shí)，管壓降為 0V， 反向偏置時(shí)，電阻為無(wú)窮大。 小知識(shí) :二極管的簡(jiǎn)易測(cè)試 將萬(wàn)用表置于 R 100或 R 1k(Ω)擋 （ R 1擋電流太大 ,用R 10k(Ω)擋電壓太高 ,都易損壞管子 ） 。 勢(shì)壘電容 CB在反向偏置時(shí)較大 擴(kuò)散電容 CD在正向偏置時(shí)較大 最高工作頻率 ：指二極管能保持單向?qū)щ娦缘淖畲箢l率。 VBR （ VBR為反向擊穿電壓。 U I E + 反向漏電流 （很小， ?A級(jí)） 225 三、二極管的參數(shù) 最大整流電流 IF：指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。 224 U I 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 二極管反向電壓加到一定數(shù)值時(shí) ,反向電流急劇增大 ,這種現(xiàn)象稱(chēng)為反向擊穿 。 二極管兩端加上反向電壓時(shí) 在開(kāi)始很大范圍內(nèi) ,二極管相當(dāng)于非常大的電阻 ,反向電流很小 ,且不隨反向電壓而變化 。 當(dāng)正向電壓超過(guò)門(mén)檻電壓時(shí) ,正向電流就會(huì)急劇地增大 ,二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導(dǎo)通狀態(tài) 。 平面型： 結(jié)面積可小、可大，小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。 按功率分 :有大功率 、 中功率及小功率等二極管 219 常見(jiàn)二極管外形 220 點(diǎn)接觸型： 結(jié)面積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流小，最高工作頻率高。 按用途分 :有整流 、 穩(wěn)壓 、 開(kāi)關(guān) 、 發(fā)光 、 光電 、變?nèi)?、 阻尼等二極管 。 一、 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 結(jié)構(gòu)不同 點(diǎn)接觸型 面接觸型 ：適用于高頻檢波和數(shù)字電路開(kāi)關(guān)。 dbj CCC ??結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若 PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕? 216 問(wèn)題 ? 為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，改善導(dǎo)電性能？ ? 為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？ ? 為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？ 217 167。 e= PN 結(jié)的電容效應(yīng) 1. 勢(shì)壘電容 PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過(guò)程，與電容的充放電相同，其等效電容稱(chēng)為勢(shì)壘電容 Cb。 在雜質(zhì)濃度特別大的 PN結(jié)中，外加電場(chǎng)直接破壞共價(jià)鍵，產(chǎn)生電子空穴對(duì)。 213 PN結(jié)的反向擊穿 PN結(jié)的外加反向電壓增大到一定的數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然
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