模擬電子技術(shù)及應(yīng)用-文庫(kù)吧資料
2025-01-09 03:56本頁(yè)面
【正文】 解： ① 采用理想二極管模型分析。例題（ 2）如果 ui為幅度 177。 (1)若 ui為 4V的直流信號(hào)，分別采用理想二極管模型、恒壓源模型計(jì)算電流 I和輸出電壓 uo解： （ 1）采用理想模型分析。3．二極管是由一個(gè) PN結(jié)構(gòu)成的。2．采用一定的工藝，使 P型和 N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，就形成了 PN結(jié)。電子帶負(fù)電，空穴帶正電。目前的發(fā)光二極管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光；電特性與一般二極管類似。132光電二極管反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。令輸入電壓降到下限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為 Izmin 。穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用舉例UoiZDZRiLiUi RL穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù) :解：令輸入電壓達(dá)到上限時(shí)，流過(guò)穩(wěn)壓管的電流為 Izmax —— 方程 1要求當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生 ?20%波動(dòng)時(shí)，負(fù)載電壓基本不變。（ 3）動(dòng)態(tài)電阻穩(wěn)壓管只有與適當(dāng)?shù)碾娮柽B接才能起到穩(wěn)壓作用。（ 4）穩(wěn)定電流 IZ ，最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。二極管的應(yīng)用舉例 2：波形轉(zhuǎn)換tttuiuRuoR RLui uRuo 13 特殊二極管131穩(wěn)壓二極管VIIZIZmax?UZ?IZ曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。（造成反向擊穿）? 工作頻率太高。（不足以克服死區(qū)電壓）? 正向電流太大。而反向偏置時(shí)，由于少數(shù)載流子數(shù)目很少，可忽略擴(kuò)散電容。同理，在 N區(qū)有空穴的積累。電容效應(yīng)在交流信號(hào)作用下才會(huì)表現(xiàn)出來(lái)。電容效應(yīng)：當(dāng)外加電壓發(fā)生變化時(shí)，耗盡層的寬度將隨之改變，即 PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。6. 二極管的極間電容 （結(jié)電容） *☆二極管的兩極間存在電容效應(yīng)，對(duì)應(yīng)的等效電容由兩部分組成： 勢(shì)壘電容 CB和 擴(kuò)散電容 CD。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。反向電流大，說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆睿虼朔聪螂娏髟叫≡胶谩?. 反向工作峰值電壓 VBWM保證二極管不被擊穿時(shí)的反向峰值電壓。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。反向飽和漏電流V(V)I(mA)(μA)二極管的反向擊穿簡(jiǎn)介123 主要參數(shù)1. 最大整流電流 IDM二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。作業(yè)：. . 12半導(dǎo)體二極管121 半導(dǎo)體二極管的基本結(jié)構(gòu)PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。? PN結(jié)的形成。? 本征半導(dǎo)體、熱（本征）激發(fā)。本次課小結(jié)? 半導(dǎo)體與金屬導(dǎo)電的不同（載流子）。 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，可以有較大的正向擴(kuò)散電流，即呈現(xiàn)低電阻， 我們稱PN結(jié)導(dǎo)通； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， 我們稱 PN結(jié)截止。 外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng) → 耗盡層變寬 → 漂移運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)→ 少子漂移形成反向電流 I RP N在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故 IR基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān)，所以稱為 反向飽和電流 。小結(jié)(1) 加正向電壓（正偏） —— 電源正極接 P區(qū)，負(fù)極接 N區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。 P區(qū) 中的空穴和 N區(qū)中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（ 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ）。內(nèi)電場(chǎng) E漂移運(yùn)動(dòng)P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N 型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng) E所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)。113 PN 結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。1. 本征半導(dǎo)體中受激（熱激發(fā)即本征激發(fā)）產(chǎn)生的電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)，數(shù)量很少。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。+4 +4+3 +4空穴硼原子P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子 。硼原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)空穴。在 N型半導(dǎo)體中，自由電子稱為 多數(shù)載流子 （ 多子 ），空穴稱為 少數(shù)載流子 （ 少子 ）。（ 2）本征半導(dǎo)體中成對(duì)產(chǎn)生的電子和空穴。由于磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定多出一個(gè)電子，這個(gè)電子不受共價(jià)鍵的束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子；本征半導(dǎo)體電子和空穴成對(duì)出現(xiàn)的現(xiàn)象也被打破。N 型半導(dǎo)體： 自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為電子型半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能將發(fā)生顯著變化，其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 （ 2）空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高。、自由電子和空穴+4 +4+4 +4自由電子空穴束縛電子（價(jià)電子）
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