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模擬電子技術及應用(參考版)

2025-01-07 03:56本頁面
  

【正文】 謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。? 集成度高。152 結型場效應管( JFET)與雙極型晶體管的比較? 只有多子參與導電,受溫度影響較?。岱€(wěn)定性較好),抗輻射能力較強。當 uGS> 0時,溝道增寬, iD進一步增加。N溝道增強型 MOS管的基本特性uGS < UT,管子截止uGS > UT,管子導通uGS 越大,溝道越寬,在相同的漏源電壓uDS作用下,漏極電流 ID越大四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線耗盡型的 MOS管 UGS=0時就有導電溝道,加反向電壓才能夾斷。 在轉移特性曲線上, gm為曲線的斜率。感應出電子VT稱為閾值電壓(開啟電壓)UGS較小時,導電溝道相當于電阻將 DS連接起來, UGS越大此電阻越小。增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道場效應管 絕緣柵場效應管結型場效應管151 絕緣柵場效應管( MOS管)一、結構和電路符號PN NGS DP型基底兩個 N區(qū)SiO2絕緣層導電溝道金屬鋁GSDN溝道增強型N 溝道耗盡型PN NGS D預埋了導電溝道 GSD在柵極下方的 SiO2層中摻入大量的金屬正離子。 上次課內容三極管的結構及分類三極管的電流分配及電流放大作用三極管的三種工作狀態(tài)及各自特點三極管的主要參數(shù)及安全工作區(qū)域舉例說明三極管工作狀態(tài)的特點? . 場效應管是電壓控制元件 ,只有多子參與導電,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好。? 二極管正偏時導通,呈現(xiàn)的電阻阻值較小。半導體器件 (三極管 )部分內容小結例: 有兩個晶體管分別接在放大電路中 ,測得它們的管腳電位如下表所示 :試判斷管子類型。曲線來描述。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū),有兩種載流子參與導電,稱為雙極型晶體管。手冊上給出的數(shù)值是25?C、 基極開路時的擊穿電壓 V(BR)CEO。 ICM集電極電流 IC上升會導致三極管的 ?值下降,當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。集電結反偏有 ICBO3. 穿透電流 ICEOICEO受溫度影響很大,當溫度上升時, ICEO增加很快,所以 IC也相應增加。BECNNPICBOICEO= ? IBE+ICBO =( 1+ ? ) ICBO IBE? IBEICBO進入 N區(qū),形成 IBE。共射 直流電流放大倍數(shù) :工作于動態(tài)的三極管,真正的信號是疊加在直流上的交流信號。(2) IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 飽和區(qū): 發(fā)射結正偏,集電結正偏。IC(mA )1234UCE(V)3 6 9 12IB=020?A40?A60?A80?A100?A此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,VBE 死區(qū)電壓,稱為截止區(qū)。當 VCE大于一定的數(shù)值時, IC只與 IB有關: IC=?IB。UCE=0VUCE = 死區(qū)電壓,硅管約 ,鍺管約 。IB=IBEICBO?IBEIBBECNNPEBRBECIEICBO ICEIC=ICE+ICBO ?ICEIBEICE與 IBE之比稱為電流放大倍數(shù)無數(shù)次試驗發(fā)現(xiàn): 漂移到集電區(qū)的電子數(shù)(或其變化量)與在基區(qū)復合的電子數(shù)(或其變化量)總成比例,即 ICE與 IBE之比為一常數(shù),稱作電流放大倍數(shù)。BECNNPEBRBECIE集電結反偏,集電區(qū)少子漂移形成的反向電流 ICBO。IBE進入基區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合,形成復合電流 IBE ,多數(shù)擴散到集電結。 一、實驗測試方法ICmA?AV V UCEUBERBIBECEB142 電流分配和放大原理結論:1. IE=IC+IB3. IB=0時 , IC=ICEO(穿透電流) ,發(fā)射結必須正偏 ,集電結必須反偏。? 二極管反偏時截止,呈現(xiàn)的電阻阻值較大。用萬用表檢測二極管的好壞及極性? 萬用表歐姆檔,黑表筆對應于表內電池的正極,而紅表筆對應于表內電池的負極。特殊二極管。? 特殊二極管? 二極管應用舉例。? 二極管單向導電性失敗的場合及原因。解 :忽略二極管的導通壓降:(1)二極管D A 優(yōu)先導通,則D B 反向偏置,截止,UAUB1KΩ1KΩ R9kΩD BD A(2)UA=6V,UB=。04V4Vuit2V2Vuot0uot04V4Vui ② 采用恒壓源模型分析,波形如右所示。
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