模擬電子技術(shù)及應(yīng)用-資料下載頁(yè)
2025-01-05 03:56本頁(yè)面
【正文】 應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差 。 ICM集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值下降，當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。 射極反向擊穿電壓當(dāng)集 射極之間的電壓 VCE超過(guò)一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù)值是25?C、 基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓 V(BR)CEO。6. 集電極最大允許耗散功率 PCM? 集電極電流 IC 流過(guò)三極管， 所發(fā)生的功率 為：PC =ICUCE? 必定導(dǎo)致結(jié)溫 上升，所以 PC 有限制。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)，有兩種載流子參與導(dǎo)電，稱(chēng)為雙極型晶體管。，改變基極電流就可以控制集電極電流。曲線(xiàn)來(lái)描述。：飽和區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)。半導(dǎo)體器件 (三極管 )部分內(nèi)容小結(jié)例： 有兩個(gè)晶體管分別接在放大電路中 ,測(cè)得它們的管腳電位如下表所示 :試判斷管子類(lèi)型。解：因?yàn)槿龢O管處于放大狀態(tài)，所以145 三極管的測(cè)試與應(yīng)用三極管的結(jié)構(gòu)、分類(lèi)三極管的電流分配、電流放大作用三極管的三種工作狀態(tài)及各自特點(diǎn)三極管的伏安特性、主要參數(shù)及安全工作區(qū)域本次課內(nèi)容 用萬(wàn)用表檢測(cè)二極管的好壞與極性作業(yè)：. . . 用萬(wàn)用表檢測(cè)二極管的好壞及極性? 萬(wàn)用表歐姆檔，黑表筆對(duì)應(yīng)于表內(nèi)電池的正極，而紅表筆對(duì)應(yīng)于表內(nèi)電池的負(fù)極。? 二極管正偏時(shí)導(dǎo)通，呈現(xiàn)的電阻阻值較小。? 二極管反偏時(shí)截止，呈現(xiàn)的電阻阻值較大。 上次課內(nèi)容三極管的結(jié)構(gòu)及分類(lèi)三極管的電流分配及電流放大作用三極管的三種工作狀態(tài)及各自特點(diǎn)三極管的主要參數(shù)及安全工作區(qū)域舉例說(shuō)明三極管工作狀態(tài)的特點(diǎn)? . 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件 ,只有多子參與導(dǎo)電，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好。15 場(chǎng)效應(yīng)管 單極型晶體管 * 三極管是電流控制元件，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子 (熱穩(wěn)定性較差 )都參與運(yùn)行，所以被稱(chēng)為雙極型器件。增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管151 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ MOS管）一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)PN NGS DP型基底兩個(gè) N區(qū)SiO2絕緣層導(dǎo)電溝道金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型N 溝道耗盡型PN NGS D預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 GSD在柵極下方的 SiO2層中摻入大量的金屬正離子。所以當(dāng)uGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出了溝道 .NP PGS DGSDP 溝道增強(qiáng)型P 溝道耗盡型NP PGS DGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 二、 MOS管的工作原理以 N 溝道增強(qiáng)型為例PN NGS DUDSUGSUGS=0時(shí)DS 間相當(dāng)于兩個(gè)反接的PN結(jié)ID=0對(duì)應(yīng)截止區(qū)PN NGS DUDSUGSUGS0時(shí)UGS足夠大時(shí)（UGSVT） 將 P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面 ， 形成導(dǎo)電溝道，如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 id。感應(yīng)出電子VT稱(chēng)為閾值電壓（開(kāi)啟電壓）UGS較小時(shí)，導(dǎo)電溝道相當(dāng)于電阻將 DS連接起來(lái)， UGS越大此電阻越小。PN NGS DUDSUGSUT（ VT）iD=f(uGS)?uDS=常數(shù)三、增強(qiáng)型 N溝道 MOS管的特性曲線(xiàn)輸出特性曲線(xiàn) 轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn) 一個(gè)重要參數(shù) —— 跨導(dǎo) gm gm=?iD/?uGS? uDS=const gm的大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。 在轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)上， gm為曲線(xiàn)的斜率。 在輸出特性曲線(xiàn)上也可求出 gm。N溝道增強(qiáng)型 MOS管的基本特性u(píng)GS ＜ UT，管子截止uGS ＞ UT，管子導(dǎo)通uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓uDS作用下，漏極電流 ID越大四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線(xiàn)耗盡型的 MOS管 UGS=0時(shí)就有導(dǎo)電溝道，加反向電壓才能夾斷。轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)0IDUGSVTIDU DS0UGS=0UGS0UGS0輸出特性曲線(xiàn)N溝道 耗盡型 MOS管的 特點(diǎn)當(dāng) uGS=0時(shí)，就有溝道，加入 uDS，就有 iD。當(dāng) uGS＞ 0時(shí)，溝道增寬， iD進(jìn)一步增加。當(dāng) uGS＜ 0時(shí)，溝道變窄， iD減小。152 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET）與雙極型晶體管的比較? 只有多子參與導(dǎo)電，受溫度影響較?。岱€(wěn)定性較好），抗輻射能力較強(qiáng)。? 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí) PN結(jié)必須反偏、MOS管則由于柵極被絕緣，故場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗大大高于三極管。? 集成度高。? 使用注意事項(xiàng)。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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