模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-21-資料下載頁
2025-01-02 09:04本頁面
【正文】 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) NPN管與 PNP管的區(qū)別 iB、 uBE、 iC、 iE 、 uCE的極性二者相反。 NPN管電路 BiBEu Ci CEu?? ??Ei PNP管電路 BiBEu Ci CEu?? ??Ei上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 硅管與鍺管的主要區(qū)別 (3) 鍺管的 ICBO比硅管大 (1) 死區(qū)電壓約為 硅管 V 鍺管 V (2) 導(dǎo)通壓降 |uBE|約為 鍺管 硅管 V 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 晶體管的主要電參數(shù) 1. 直流參數(shù) (3) 集電極 —— 基極間反向飽和電流 ICBO (1) 共基極直流電流放大系數(shù) ?(2) 共射極直流電流放大系數(shù) ?(4) 集電極 —— 發(fā)射極間反向飽和電流 ICEO 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 2. 交流參數(shù) (1) 共基極交流電流放大系數(shù) α β 值與 iC的關(guān)系曲線 (2) 共射極交流電流放大系數(shù) β iC O β 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 3. 極限參數(shù) (4) 集電極最大允許電流 ICM (1) 集電極開路時(shí)發(fā)射極 —— 基極間反向擊穿 電壓 U(BR)EBO (2) 發(fā)射極開路時(shí)集電極 —— 基極間反向擊穿 電壓 U(BR)EBO (3) 基極開路時(shí)集電極 —— 發(fā)射極間反向擊穿 電壓 U(BR)EBO 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 不安全區(qū) iC uCE O U (BR)CEO ICM 安全區(qū) (5) 集電極最大允許功率耗散 PCM 晶體管的安全工作區(qū) 等功耗線 PC=PCM =uCEiC 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 溫度對(duì)管子參數(shù)的影響 1． 對(duì) β的影響 C/)%1~( ???? T?? 10)CBO()CBO(002TTTT II??2． 對(duì) ICBO的影響 3．對(duì) UBE的影響 C/mV)~2(BE ????? TU4． 溫度升高，管子的死區(qū)電壓降低。 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 思 考 題 ？ 3. 晶體管能夠放大的內(nèi)部和外部條件各是什么？ 1. 晶體管的發(fā)射極和集電極是否可以調(diào)換使用？ 4. 晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，其電流放大系數(shù)是否與其工作在放大區(qū)時(shí)相同？ 上頁 下頁 返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1