模擬電子技術基礎教案-資料下載頁

【總結】云南民族大學教案課程名稱:模擬電子技術基礎授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王　霞職稱:助　教

2025-08-05 08:30

模擬電子技術基礎試題-資料下載頁

【總結】專業(yè)班號姓名學號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空（每空2分共24分）1．非線性失真與線性失真（頻率失真）的最主要差別是________。（A）非線性失真使信號波形中任一點的幅值沒有得到

2025-03-25 04:55

模擬電子技術基礎目錄-資料下載頁

【總結】《模擬電子技術基礎》主編：黃瑞祥副主編：周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運算放大器理想運算放大器的功能與特性理想運算放大器的電路符號與端口理想運算放大器的功能與特性運算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權加法器運算放大器的同

2025-06-25 22:30

模擬電子技術基礎答案-資料下載頁

【總結】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。當外加反向電壓時，擴散電流小于漂移電流，耗盡層變寬。3、在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。二．

2025-08-05 07:58

電子技術基礎模擬部分-資料下載頁

【總結】WORD格式整理電子技術基礎模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式（設初始相角為零）：（1）峰-峰值10V，頻率10kHz;（2）有效值220V，頻率50Hz;（3）峰-峰值100mV，周期1ms；（4）V，角頻率1000rad/s;解:正

2025-08-05 09:23

模擬電子技術基礎答案-資料下載頁

【總結】第一章半導體基礎知識自測題一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈UO2＝0UO3≈－UO4≈2VUO5≈UO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根據(jù)PCM＝200mW可得：UCE＝40

2025-06-24 23:33

模擬電子技術試卷二-資料下載頁

【總結】模擬電子技術試卷二（答案）一、選擇題。（20分）1．晶體三極管工作在飽和區(qū)時發(fā)射結、集電結的偏置是（B）A．發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置B．發(fā)射結正向偏置，集電結正向偏置C．發(fā)射結反向偏置，集電結反向偏置D．發(fā)射結反向偏置，集電結正向偏置2．圖示電路中，設變壓器副邊電壓有效值為U2，則輸出電壓平均值UO

2025-01-07 21:39

電子技術基礎(模擬部分)試卷二及答案-資料下載頁

【總結】試卷二系別學號姓名成績考試課程模擬電子技術基礎考試日期2002年１２月１２日題號一二三四五六七八九總分分數(shù)得分核分人閱卷人

2025-05-31 12:20

[工學]模擬電子技術基礎試卷及答案期末-資料下載頁

【總結】1第1章直流電路習題解答在圖所示電路中，（1）選d為參考點，求aV、b和cV；（2）選c為參考點，求aV、b和dV。圖習題電路圖解（1）當選d為參考點時，V3ada??uVV112cdbcbdb??????uuuV；V1cdc

2024-10-13 09:08

模擬電子技術基礎(1)-資料下載頁

【總結】翠屏電子職業(yè)技術學校電子技術基礎FundamentalsofElectronics11.本課程的性質電子技術基礎課2.特點?非純理論性課程?實踐性很強?以工程實踐的觀點來處理電路中的一些問題3.研究內(nèi)容以器件

2025-05-02 13:49

模擬電子技術基礎習題-資料下載頁

【總結】模擬電子技術基礎習題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場效應晶體管及其基本放大電路第五章集成運算放大器及其應用第六章負反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎知識第二章半導體二極管及其應用電路第十章直流穩(wěn)壓

2025-05-01 06:11

模擬電子技術基礎期末試題-資料下載頁

【總結】填空題1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為，導通后在較大電流下的正向壓降約為；鍺二極管的門檻電壓約為，。2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。ＰＮ結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向導電性，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián)，

2025-03-26 01:56

模擬電子技術基礎各章習題-資料下載頁

【總結】1《模擬電子技術基礎》各章習題2第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果填入空內(nèi)。（1）在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（）（2）因為

2024-11-01 00:49

模擬電子技術基礎復習試題-資料下載頁

【總結】模擬電子技術基礎復習試題填空題1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為，導通后在較大電流下的正向壓降約為；鍺二極管的門檻電壓約為，導通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。ＰＮ結外加正向電壓時，擴散

2024-10-29 08:43

模擬電子技術基礎實驗教程-資料下載頁

【總結】肇慶學院光機電一體化綜合性實驗教學示范中心實驗教材之五模擬電子技術基礎實驗教程肇慶學院電子信息與機電工程學院編二00八年九月I前　言這本教材是為肇慶學院光機電一體化綜合性實驗教學示范中心編寫的。根據(jù)實驗教學示范中心建設立項對教材建設的要求，結合教學實踐、教學條件以及學生實際情況，編寫了這本實用的

2025-06-07 12:02

模擬電子技術基礎模擬試卷一(完整版)

模擬電子技術基礎模擬試卷一(更新版)

模擬電子技術基礎模擬試卷一(專業(yè)版)

模擬電子技術基礎模擬試卷一(留存版)